در این ویدئو با لیتوگرافی آشنا شوید تا ببینید تراشه ها چگونه تولید می شوند.
لیتوگرافی در صنعت تولید تراشه، فرآیندی است که برای ایجاد الگوهای دقیق روی ویفرهای سیلیکونی استفاده می‌شود.

این فرآیند شامل پوشاندن ویفر با یک لایه حساس به نور (فتورزیست)، تابش نور از طریق ماسک (که الگوی مدار را دارد)، و سپس حذف قسمت‌های مشخصی از فتورزیست برای ایجاد ساختارهای ریز روی ویفر است.

لیتوگرافی با کاهش ابعاد ترانزیستورها، امکان تولید تراشه‌های سریع‌تر و کم‌مصرف‌تر را فراهم می‌کند.
فناوری‌های پیشرفته مانند EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) در حال حاضر برای رسیدن به مقیاس‌های نانومتری استفاده می‌شوند.

چالش‌های لیتوگرافی

کاهش طول‌موج نور:

هرچه طول‌موج کمتر باشد، می‌توان جزئیات کوچک‌تری را ایجاد کرد، اما نیاز به تجهیزات پیچیده‌تر و پرهزینه‌تر دارد.

هم‌ترازی دقیق:

در فرآیند ساخت تراشه‌های چندلایه، دقت بالا برای تطابق لایه‌های مختلف ضروری است.

هزینه‌ی بالا:

ماشین‌آلات EUV بسیار گران‌قیمت هستند و نگهداری آن‌ها چالش‌برانگیز است.

@Moallemekhoob

نمایشگرهای میکرو OLED با وضوح بالا و کاهش تداخل الکتریکی برای بهبود تجربه‌های واقعیت مجازی (VR) و واقعیت افزوده (AR)
پیشرفت سریع صنعت الکترونیک در حال گشودن افق‌های جدیدی برای توسعه‌ی اجزای پیشرفته‌تر دستگاه‌ها، از جمله نمایشگرها، است. بسیاری از نمایشگرهای پیشرفته و پرکاربرد امروزی بر پایه‌ی دیودهای نوری آلی (OLED) ساخته شده‌اند؛ دستگاه‌هایی که از مواد آلی تشکیل شده‌اند و با اعمال جریان الکتریکی، نور منتشر می‌کنند.

مزایای نمایشگرهای OLED در مقایسه با نمایشگرهای LCD
برخلاف نمایشگرهای متداول مبتنی بر کریستال مایع (LCD)، نمایشگرهای OLED نیازی به نور پس‌زمینه ندارند و در نتیجه، مصرف انرژی آن‌ها به‌طور قابل‌توجهی کمتر است. با این حال، با افزایش تراکم پیکسلی، عملکرد OLEDها از نظر کیفیت تصویر و دقت رنگ کاهش می‌یابد. این مشکل به دلیل اثرات نامطلوبی است که بین پیکسل‌های مجاور رخ می‌دهد و به‌عنوان تداخل الکتریکی (Electrical Crosstalk) شناخته می‌شود.

چالش‌های مهندسان الکترونیک و راه‌حل‌های پیشنهادی
مهندسان الکترونیک تاکنون راهکارهای مختلفی را برای کاهش این مشکل ارائه داده‌اند. یکی از روش‌های رایج،
ادامه مطلب ..‌

یکی از روش‌های رایج، افزایش ضخامت لایه‌ی انتقال حفره (HTL) در OLEDها است. این لایه نقشی کلیدی در جابه‌جایی حفره‌ها درون دستگاه دارد. بااین‌حال، افزایش ضخامت این لایه باعث افزایش ولتاژ کاری نمایشگر شده و در نتیجه، بازده انرژی آن را کاهش می‌دهد.
یک راهکار نوین از محققان دانشگاه‌های کره جنوبی
محققان دانشگاه‌های هان‌یانگ، یانسه و سوگانگ در کره جنوبی، اخیراً رویکرد جایگزینی را برای کاهش تداخل الکتریکی بین پیکسل‌ها ارائه کرده‌اند. این راهکار می‌تواند عملکرد و کارایی نمایشگرهای OLED را بهبود بخشد.
روش پیشنهادی آن‌ها که در مقاله‌ای منتشر شده در Nature Electronics شرح داده شده است، استفاده از لایه‌ی انتقال حفره‌ی یکپارچه با سیلیکون (SI-HTL) است که با استفاده از فناوری میکرولیتوگرافی الگوگذاری شده است. میکرولیتوگرافی یک روش تثبیت‌شده برای ایجاد ساختارهای دقیق در مقیاس میکروسکوپی است.
مزایای این روش برای نمایشگرهای با تراکم پیکسلی بالا
محققان بیان کرده‌اند که نمایشگرهای با تراکم پیکسلی بالا برای توسعه‌ی دستگاه‌های واقعیت مجازی (VR) و واقعیت افزوده (AR) ضروری هستند. اما افزایش وضوح پیکسلی می‌تواند موجب افزایش تداخل الکتریکی بین پیکسل‌ها شود، که این موضوع عمدتاً به دلیل مشترک بودن لایه‌ی انتقال حفره در پیکسل‌ها رخ می‌دهد. آن‌ها نشان داده‌اند که لایه‌ی انتقال حفره‌ی کوچک‌مولکولی یکپارچه با سیلیکون را می‌توان در مقیاس ویفر (wafer-scale) با استفاده از میکرولیتوگرافی الگوگذاری کرد تا این مشکل کاهش یابد.
آزمایش و ارزیابی عملکرد فناوری جدید
محققان با استفاده از روش میکرولیتوگرافی، لایه‌ی SI-HTL را ایجاد کرده و آن را در OLEDها ادغام کردند. سپس آرایه‌های OLED میکروالگو شده را ساخته و عملکرد آن‌ها را در مجموعه‌ای از آزمایش‌ها ارزیابی کردند.
نتایج این آزمایش‌ها نشان داد که لایه‌ی انتقال حفره‌ی جدید عملکرد بهتری دارد. نمونه‌ی اولیه‌ی ساخته‌شده دارای وضوح پیکسلی بسیار بالا بوده و در عین حال، بازده انرژی خوبی را نیز حفظ کرده است.
در مقاله‌ی منتشرشده، محققان توضیح داده‌اند:

"با این روش، ما آرایه‌های میکروالگوی با کیفیت بالا را با وضوحی تا ۱۰,۰۶۲ پیکسل در هر اینچ روی یک ویفر شش اینچی ایجاد کرده‌ایم. لایه‌ی انتقال حفره‌ی یکپارچه با سیلیکون می‌تواند تعادل بار الکتریکی را در لایه‌های انتشار نور به‌طور مؤثری تنظیم کند و ویژگی‌های روشنایی دیودهای نوری آلی را بهبود بخشد."

کاهش تداخل الکتریکی در نمایشگرهای OLED
علاوه بر این، نتایج نشان داد که دیودهای نوری آلی یکپارچه با لایه‌ی انتقال حفره‌ی الگویافته‌ی جدید، در مقایسه با OLEDهای معمولی، تداخل الکتریکی کمتری دارند.

کاربردهای آینده‌ی این فناوری
این مطالعه‌ی اخیر توسط کوان، کیم و همکارانشان، افق‌های جدیدی را برای توسعه‌ی نمایشگرهای OLED با وضوح بالا و بازده انرژی عالی باز می‌کند. این نمایشگرها می‌توانند در طیف وسیعی از دستگاه‌های الکترونیکی مورد استفاده قرار گیرند، از جمله:

هدست‌های واقعیت مجازی (VR) و واقعیت افزوده (AR)
عینک‌های هوشمند
فناوری‌های پوشیدنی
گوشی‌های هوشمند
سایر دستگاه‌های الکترونیکی پیشرفته
این پیشرفت می‌تواند تجربه‌های بصری بی‌نظیری را در دستگاه‌های دیجیتال نسل آینده فراهم کند و مسیر جدیدی را برای بهینه‌سازی نمایشگرهای OLED با کیفیت بالا هموار سازد.

## ✨ ماژول فوق العاده شارژ و تقویت باتری لیتیومی 18650: از 3.7 ولت به 9 ولت! ✨

به دنبال یه راه حلی برای تأمین انرژی دستگاه‌های قابل حملتون هستید؟ دیگه نگران تموم شدن باتری نباشید!

ماژول شارژ و تقویت باتری لیتیومی 18650 اینجاست تا به همه‌ی نیازهای شما پاسخ بده! این کوچولوی قدرتمند، نه تنها باتری‌های 18650 شما رو شارژ می‌کنه، بلکه ولتاژ اون‌ها رو از 3.7 ولت به 9 ولت افزایش می‌ده تا بتونید دستگاه‌های بیشتری رو باهاش روشن کنید!

✨⚡️ ویژگی‌های بی‌نظیر این ماژول: ⚡️✨

✅ شارژ سریع و ایمن باتری‌های 18650
✅ افزایش ولتاژ از 3.7 ولت به 9 ولت برای استفاده از دستگاه‌های متنوع
✅ طراحی کامپکت و سبک برای حمل آسان
✅ نصب و استفاده‌ی آسان
✅ مناسب برای پروژه‌های DIY و استفاده‌ی روزمره ️
✅ راندمان بالا و طول عمر طولانی

⚙️ مشخصات فنی: ⚙️

* جنس: برد مدار مجتمع : ️FR4
* ابعاد: 3.3 × 2.3 × 0.9 سانتی‌متر
* ولتاژ ورودی: 4.5-8 ولت ⚡️
* ولتاژ خروجی: 9 ولت ⚡️
* جریان خروجی مرجع حداکثر: 5V 1.4A, 9V 0.8A, 12V 0.6A
* جریان ساکن: 0.5 میلی‌آمپر
@Moallemekhoob
@mBedlablearning

تریستور چیست و چطور کار می‌کند؟
اگه بخوام خیلی ساده و خودمونی توضیح بدم، تریستور یه قطعه الکترونیکی نیمه‌هادی هست که مثل یه کلید کنترل‌شونده عمل می‌کنه. یعنی چی؟ یعنی تا وقتی که بهش فرمان ندیم، خاموشه، ولی اگه یه پالس کوچیک بهش بدیم، روشن می‌شه و دیگه تا وقتی جریانش قطع نشه، روشن می‌مونه!
خب، حالا بریم سراغ توضیح دقیق‌تر...
تریستور چطور ساخته شده؟
تریستور از چهار لایه‌ی نیمه‌هادی (PNPN) ساخته شده که اگه بخوایم مقایسه کنیم، یه چیزی شبیه به دو تا ترانزیستور BJT هست که به هم متصل شدن. این لایه‌ها سه تا پایه دارن:
1️⃣ آند (Anode) → برای ورود جریان اصلی
2️⃣ کاتد (Cathode) → برای خروج جریان اصلی
3️⃣ گیت (Gate) → برای فرمان روشن شدن
پس، تفاوت اصلی بین تریستور و ترانزیستور اینه که ترانزیستور با تغییر جریان بایاس کنترل می‌شه، اما تریستور فقط با یک پالس کوچک روی گیت روشن می‌شه و خودش باقی جریان رو عبور می‌ده.
تریستور چطور کار می‌کنه؟
تصور کن یه لامپ رو با یه کلید کنترل می‌کنی.
🔹 ترانزیستور مثل یه کلید لمسیه که تا وقتی انگشتت روشه، لامپ روشن می‌مونه.
ادامه مطلب را مطالعه فرمائید...
@Moallemekhoob
@mBedlablearning

نحوه عملکردش:
✅ وقتی یه ولتاژ کوچیک به گیت بدیم، تریستور هدایت رو شروع می‌کنه و جریان از آند به کاتد عبور می‌کنه.
✅ اگه جریان اصلی برقرار بمونه، دیگه نیازی به گیت نیست و خودش روشن می‌مونه.
✅ برای خاموش کردنش، باید جریان آند رو صفر کنیم یا یه ولتاژ معکوس بهش بدیم.


تریستورها کجا استفاده می‌شن؟

1️⃣ کنترل توان در مدارهای AC (مثل دیمرهای نوری)
2️⃣ مدارات سوییچینگ و منابع تغذیه صنعتی
3️⃣ راه‌اندازی موتورهای الکتریکی (برای کنترل دور موتور)
4️⃣ مدارات محافظتی و رله‌های حالت جامد


انواع معروف تریستورها

🔹 SCR (Silicon Controlled Rectifier) → پرکاربردترین نوع که برای سوییچینگ AC و DC استفاده می‌شه.
🔹 GTO (Gate Turn-Off Thyristor) → می‌تونه از طریق گیت خاموش بشه.
🔹 Triac → یه نوع خاص از تریستور که توی هر دو نیم‌دوره AC کار می‌کنه (مثل دیمرهای لامپ‌های روشنایی).

جمع‌بندی

✅ تریستور یه سوییچ الکترونیکی کنترلی هست که با یه پالس گیت روشن می‌شه و تا زمانی که جریانش قطع نشه، روشن می‌مونه.
✅ عملکردش شبیه به دو تا ترانزیستور به هم چسبیده‌ست.
✅ توی کنترل توان، منابع تغذیه، و مدارات سوییچینگ صنعتی کاربرد داره.
#تریستور #الکترونیک_قدرت #قطعات_نیمهرسانا #کنترل_قدرت #سوئیچینگ_الکترونیکی

#Thyristor #PowerElectronics #SemiconductorDevices #ElectricalEngineering #SolidStateSwitching

@Moallemekhoob
@mBedlablearning

ترانزیستورهای کامپکت GaN با عملکرد بالا

ترانزیستورهایی با مقاومت فوق‌العاده پایین، عملکرد حرارتی برتر و بسته‌بندی استاندارد صنعتی برای یکپارچه‌سازی بی‌نقص GaN در کاربردهای توان.

ترانزیستورهای کامپکت GaN
شرکت Infineon Technologies AG با معرفی ترانزیستور CoolGaN G3 با ولتاژ 100 ولت در بسته‌بندی RQFN 5×6 (مدل IGD015S10S1) و 80 ولت در بسته‌بندی RQFN 3.3×3.3 (مدل IGE033S08S1) استاندارد جدیدی را در صنعت تعیین کرده است.
این محصولات جدید، مشکل عدم وجود بسته‌بندی استاندارد برای ترانزیستورهای GaN را برطرف کرده و به مشتریان امکان استفاده از تأمین‌کنندگان متعدد و یکپارچه‌سازی آسان با طراحی‌های مبتنی بر سیلیکون را می‌دهند.

این ترانزیستورهای کامپکت و با عملکرد بالا، امکان ایجاد اتصالات با مقاومت پایین و کاهش اثرات پارازیتی را فراهم می‌کنند و در عین حال، با استفاده از استانداردهای رایج در صنعت، بهره‌وری بهینه و توان خروجی بالا را تضمین می‌کنند.

ویژگی‌های کلیدی شامل:
ترانزیستور CoolGaN G3 با ولتاژ 100 ولت: بسته‌بندی RQFN 5×6، مقاومت روشنایی 1.1 میلی‌اهم
ادامه مطلب را مطالعه فرمائید...
@Moallemekhoob

ترانزیستور CoolGaN G3 با ولتاژ 80 ولت: بسته‌بندی RQFN 3.3×3.3، مقاومت روشنایی 2.3 میلی‌اهم


طراحی پیشرفته بسته‌بندی، عملکرد حرارتی را بهبود داده است. هدایت حرارتی بهتر و دفع حرارت بهینه که به لطف سطح تماس بزرگ‌تر و تراکم مس بالاتر حاصل شده، منجر به افزایش مقاومت در برابر سیکل‌های حرارتی می‌شود.

با همگام‌سازی ترانزیستورهای GaN با بسته‌بندی‌های استاندارد MOSFETهای سیلیکونی، شرکت Infineon فرآیند پذیرش GaN را ساده کرده و به طراحان توان اجازه می‌دهد تا به‌راحتی از بالاترین سطح بهره‌وری در کاربردهای توان دیتاکام، مصرف‌کننده و صنعتی بهره ببرند.

حالا ببینیمGaN (نیترید گالیوم) چیست و چرا انقلابی در صنعت الکترونیک قدرت محسوب می‌شود؟

نیترید گالیوم (GaN) یک نیمه‌هادی ترکیبی است که به دلیل ویژگی‌های الکتریکی و حرارتی فوق‌العاده، در کاربردهای الکترونیک قدرت، ارتباطات رادیویی و اپتوالکترونیک مورد استفاده قرار می‌گیرد. این ماده، که ترکیبی از گالیم (Ga) و نیتروژن (N) است، جایگزین مناسبی برای سیلیکون (Si) در ترانزیستورها و ادوات نیمه‌هادی محسوب می‌شود.
ویژگی‌های کلیدی GaN در مقایسه با سیلیکون
1️⃣

باندگپ گسترده‌تر (Wide Bandgap, WBG):
باندگپ GaN حدود 3.4 الکترون‌ولت است، درحالی‌که برای سیلیکون فقط 1.1 الکترون‌ولت است.
این ویژگی باعث می‌شود که GaN در ولتاژهای بالاتر و دماهای بالاتر به‌خوبی عمل کند.
2️⃣ چگالی شکست دی‌الکتریک بالاتر (Higher Breakdown Voltage):
ماده GaN دارای ولتاژ شکست بالاتر از سیلیکون است، به این معنی که می‌توان از ترانزیستورهای GaN برای ولتاژهای بالاتر و توان بیشتر بدون افزایش ابعاد تراشه استفاده کرد.
3️⃣ تحرک الکترونی بالا (High Electron Mobility):
تحرک الکترون‌ها در GaN بسیار بالاتر از سیلیکون است که این موضوع منجر به سرعت سوئیچینگ سریع‌تر و کاهش تلفات در مدارهای قدرت می‌شود.
4️⃣ ظرفیت خازنی و مقاومت روشنایی کمتر:
ترانزیستورهای GaN دارای Rds(on) بسیار کمتری نسبت به MOSFETهای سیلیکونی هستند که باعث کاهش تلفات هدایتی و بهبود راندمان کلی سیستم می‌شود.
5️⃣ عملکرد حرارتی بهتر:
ضریب هدایت حرارتی GaN بالاتر از بسیاری از مواد نیمه‌هادی رایج است و امکان اتلاف بهتر حرارت و افزایش دوام و قابلیت اطمینان قطعات را فراهم می‌کند

.
کاربردهای GaN در صنعت
✅ منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS):
در منابع تغذیه سوئیچینگ، ترانزیستورهای GaN امکان طراحی مدارهای فشرده‌تر، راندمان بالاتر و کاهش تلفات حرارتی را فراهم می‌کنند.
✅ شارژرهای سریع و تجهیزات توان بالا:
بسیاری از شارژرهای سریع گوشی‌های هوشمند و لپ‌تاپ‌های مدرن از فناوری GaN استفاده می‌کنند، زیرا نسبت به ترانزیستورهای سیلیکونی ابعاد کوچکتری داشته و بهره‌وری بالاتری دارند.
✅ الکترونیک خودرو و وسایل نقلیه الکتریکی (EVs):
در این حوزه، GaN باعث کاهش ابعاد و وزن سیستم‌های مدیریت توان و افزایش بهره‌وری تبدیل انرژی می‌شود.
✅ تقویت‌کننده‌های توان RF و مخابرات 5G:
ماده GaN به دلیل باندگپ گسترده و سرعت سوئیچینگ بالا، گزینه‌ای ایده‌آل برای تقویت‌کننده‌های توان فرکانس بالا در سیستم‌های مخابراتی و راداری است.
✅ رادارها و تجهیزات فضایی:
بسیاری از رادارهای مدرن و سیستم‌های مخابراتی فضایی از GaN به دلیل توان خروجی بالا و مقاومت در برابر تشعشعات فضایی استفاده می‌کنند.
چالش‌های فناوری GaN
🔹 هزینه تولید بالا:
تولید GaN همچنان گران‌تر از سیلیکون است، اگرچه با پیشرفت فناوری‌های تولید، این هزینه در حال کاهش است.
🔹 مشکلات در طراحی و یکپارچه‌سازی:
به دلیل تفاوت‌های ساختاری بین GaN و سیلیکون، طراحان مدار باید ملاحظات جدیدی در طراحی و خنک‌سازی این قطعات داشته باشند.
🔹 عدم وجود استانداردهای یکپارچه در بسته‌بندی:
برخلاف MOSFETهای سیلیکونی، بسته‌بندی‌های GaN هنوز به طور کامل استاندارد نشده‌اند، اگرچه شرکت‌هایی مانند Infineon، Transphorm و EPC در حال توسعه استانداردهای جدیدی برای این فناوری هستند.
آینده GaN در صنعت الکترونیک
🔹 با افزایش تقاضا برای سیستم‌های الکترونیک کم‌مصرف و با بازده بالا، GaN به سرعت در حال جایگزینی ترانزیستورهای سنتی سیلیکونی است.
🔹 پیش‌بینی می‌شود که در سال‌های آینده، GaN به استاندارد جدیدی در سیستم‌های قدرت، مخابرات، خودروهای الکتریکی و تجهیزات نظامی و فضایی تبدیل شود.
🔹 توسعه GaN روی بسترهای سیلیکونی (GaN-on-Si) هزینه‌ها را کاهش داده و امکان استفاده از فناوری‌های موجود در صنعت نیمه‌هادی را فراهم کرده است.
نتیجه‌گیری:
نیترید گالیوم (GaN) آینده‌ی صنعت الکترونیک قدرت را متحول کرده و موجب افزایش راندمان، کاهش تلفات و کوچک‌تر شدن سیستم‌های الکترونیکی شده است. با پیشرفت فناوری و کاهش هزینه‌های تولید، GaN می‌تواند جایگزین اصلی سیلیکون در بسیاری از کاربردهای توان بالا و فرکانس بالا شود.

@Moallemekhoob

سیستم رباتیک خودکار برای تمیزکاری پنل‌های خورشیدی
این ویدئو یک سیستم رباتیک پیشرفته را نمایش می‌دهد که شامل ربات‌های تمیزکننده پنل‌های خورشیدی و ربات حمل‌کننده T1 است. این سیستم برای حفظ کارایی نیروگاه‌های خورشیدی و جلوگیری از کاهش بازده ناشی از گرد و غبار طراحی شده است.

این ربات‌ها دارای چرخ‌های شنی با پوشش مخصوص هستند که امکان حرکت ایمن و بدون ایجاد خراش بر روی پنل‌های خورشیدی را فراهم می‌کنند.
ربات حمل‌کننده T1
علاوه بر ربات‌های تمیزکننده، در این سیستم از یک ربات حمل‌کننده به نام T1 نیز استفاده می‌شود. این ربات وظیفه جابجایی ربات‌های تمیزکننده را بین بخش‌های مختلف پنل‌ها بر عهده دارد.
ویژگی‌های ربات T1:
جابجایی خودکار ربات‌های تمیزکننده:

پس از پایان تمیزکاری یک نوار از پنل‌ها، T1 ربات را بلند کرده و به بخش بعدی منتقل می‌کند.

قدرت بالا:

هر ربات تمیزکننده می‌تواند تا ۸۰ کیلوگرم یا بیشتر وزن داشته باشد، اما T1 قادر است آنها را بدون مشکل جابجا کند.

ابعاد متغیر و تطبیق‌پذیر:

این ربات می‌تواند بین ۷۰ سانتی‌متر تا ۱.۸۸ متر گسترش یابد و برای جابجایی در مناطق مختلف و انواع سطوح مناسب است.

  مشخصات فنی ArduTV

پردازنده FPGA: مدل AMD Spartan-7

موتور پردازش ویدئو: گیت‌ویر اختصاصی پردازش ویدئویی

رابط ارتباطی: پورت HDMI با سیگنال DVI

ارتباط با Arduino: SPI استاندارد (قابل تنظیم در دو سطح ولتاژ 3.3V و 5V)

به‌روزرسانی فریمور FPGA: امکان به‌روزرسانی بیت‌استریم FPGA از طریق Arduino UNO SPI

حداکثر رزولوشن: 640×480 (رزولوشن‌های بالاتر در نسخه‌های آینده فریمور ارائه خواهد شد)

فرم‌فاکتور: سازگار با اینترفیس Arduino، از برد Arduino UNO به بعد

کتابخانه‌ها: موجود برای Arduino IDE و STM32CubeIDE

🌍 عرضه و دسترسی 
کمپین Crowd Supply: بهزودی راهاندازی میشود! برای اطلاع از شروع کمپین ثبتنام کنید. 
کد منبع: کتابخانه نرم افزاری در GitHub منتشر شده (+ پروژه نمونه در سایت ArduTV). 

حتی امکان نمایش مجموعه Mandelbrot نیز با استفاده از ArduTV فراهم شده است. کاربران می‌توانند با تنظیم پارامترهای cR، cX، zR، و zX، الگوی گرافیکی مورد نظر خود را ایجاد کنند.
کدباز و در دسترس برای توسعه‌دهندگان

بردArduTV یک پروژه کاملاً متن‌باز (Open Source) است و تمام فایل‌های سخت‌افزار و فریمور آن منتشر خواهد شد
@Moallemekhoob

شیلد ArduTV: انقلابی در خروجی ویدیویی HDMI برای آردوینو با FPGA!  
 
ارتباط آسان با نمایشگرهای مدرن! 
برد #ArduTV توسط یک استارتاپ سوئیسی در زوریخ طراحی شده و با استفاده از FPGA AMD Spartan 7، خروجی ویدیویی دیجیتال HDMI را برای بردهای آردوینو UNO فراهم میکند! ✨
این شیلد با اتصال SPI و بدون فشار پردازشی روی برد اصلی، متن و گرافیک ساده را روی هر تلویزیون یا مانیتوری نمایش میدهد. 

🚀 ویژگیهای شگفت انگیز شیلدArduTV 
- نصب سریع: بهراحتی روی آردوینو UNO یا بردهای سازگار سوار میشود. 
- پردازش مستقل: تمام پردازشهای گرافیکی روی FPGA اختصاصی انجام میشود! 
- پینهای Passthrough: امکان اضافه کردن شیلدهای دیگر بدون محدودیت. 
- پشتیبانی چندپلتفرمی: سازگار با Arduino IDE و STM32CUBE IDE برای بردهای Nucleo. 

کاربردهای بینظیر 
- 🎓 ابزار آموزشی ایده‌آل:

نمایش کدها و پروژه‌ها روی پروژکتور یا تلویزیون در کلاسهای درس! 

- 🖥️ جایگزین نمایشگرهای گران:

نیاز به خرید LCD جداگانه را حذف میکند. 

- 🔧 ارتقای پروژه های قدیمی:

با کمی تغییر کد، خروجی HDMI بگیرید! 

@Moallemekhoob

ماژول دوربین تصویربرداری حرارتی مادون قرمز ESP32-S3 با رزولوشن ۸۰×۶۲ و نسخه‌های زاویه دید ۴۵° و ۹۰°

شرکت Waveshare ماژول دوربین تصویربرداری حرارتی مبتنی بر ESP32-S3 را معرفی کرده است. این ماژول از همان دوربین مادون قرمز با رزولوشن ۸۰×۶۲ استفاده می‌کند که در HAT دوربین حرارتی ۴۵/۹۰ برای رزبری‌پای و دوربین حرارتی USB مدل ۴۵/۹۰ این شرکت به‌کار رفته است.

مشخصات فنی ماژول دوربین حرارتی مادون قرمز ESP32-S3 Waveshare

ماژول بی‌سیم ESP32-S3-WROOM-1
پردازنده: میکروکنترلر ESP32-S3 با دو هسته Tensilica LX7 با فرکانس کاری تا ۲۴۰ مگاهرتز، دارای ۵۱۲ کیلوبایت SRAM و حداکثر ۸ مگابایت PSRAM
حافظه ذخیره‌سازی: ۱۶ مگابایت حافظه فلش
اتصالات بی‌سیم: Wi-Fi 4 و Bluetooth LE 5
دوربین حرارتی – مدل MI0802 شرکت Meridian Innovation
رزولوشن: ۸۰ × ۶۲ پیکسل
زاویه دید (FOV):
نسخه استاندارد: ۵۶° (D) × ۴۵° (H) × ۳۴° (V)
نسخه زاویه باز: ۱۲۲° (D) × ۹۰° (H) × ۶۷° (V)
محدوده دمایی قابل اندازه‌گیری: ۴۰- تا ۴۰۰+ درجه سانتی‌گراد
دقت اندازه‌گیری: ±۲ درجه سانتی‌گراد
ادامه مطلب را مطالعه فرمائید.
@Moallemekhoob
@mBedlabLearning