🇷🇺 Участники рынка. Производство электроники

Завод Протон в 2024 году расширил производство

Завод Протон осваивает первый из корпусов Инновационного центра электроники в Зеленограде.

Предприятие заниматься разработкой и производством радиоэлектронной аппаратуры и информационно-вычислительных систем. В 2024 году компания расширила свои производственные площади до 15,5 тысяч кв.м.

В новом корпусе расположены участки по выпуску печатных плат, автоматического поверхностного монтажа компонентов и автоматизированной локальной пайки выводных элементов. Кроме того, здесь размещены измерительно-испытательный комплекс для разработки и серийного производства СВЧ-электроники и испытательная станция. Производство оснащено передовым высокотехнологичным оборудованием.

Утверждается что все технологические процессы с использованием электрохимической обработки изделий проводятся исключительно на российском оборудовании, с использованием российских реактивов.

Завод был создан 25 сентября 1972 года как экспериментальное производство в структуре учебно-научного комплекса МИЭТ. Первоначально на заводе учёные и инженеры МИЭТ создавали опытные образцы своих научных разработок, которые после отработки конструкции и технологии изготовления передавали в серийное производство.

@RUSmicro по материалам mos.ru

#производствоэлектроники

🇷🇺 Наука. Производственное оборудование. Ионные имплантеры. Россия

В ИЯФ СО РАН разработали устройство для создания сильноточных ионных имплантеров

В АО НИИМЭ занимаются ОКР Имплантер с целью создания отечественной установки ионной имплантации. Разработками ионных источников заняты в Институте ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН. Здесь разработали устройство для создания сильноточных имплантеров, формирующих потоки легирующих ионов требуемой энергии.

Разработан прототип каспового, то есть имеющего остроконечную структуру магнитного поля, ионного источника. Первые эксперименты показали, что устройство действительно позволяет работать с ленточными ионными пучками любой ширины, что обеспечивает качественное нанесение примесей, и подходит для создания сильноточных имплантеров необходимых в микроэлектронике.

Ленточные пучки тяжелых ионов имеют преимущества перед круглыми пучками, обеспечивая в разы более высокий предел объемного заряда, что необходимо для сильноточных имплантеров. Также они обеспечивают точное легирование путем механического сканирования подложки ионным пучком в одном измерении.

В 2024 году в ИЯФ СО РАН была создана молодежная лаборатория имплантерных ионных источников, чтобы, объединив специалистов, работающих в области физики плазмы, ускорительной физики, а также силовой электроники, развивать имплантерные технологии.

Имплантерные ионные источники ИЯФ СО РАН будут использоваться для развития современных отечественных ионных имплантеров, первые проекты которых уже реализуются в коллаборации с предприятиями Зеленограда (АО НИИТМ и АО НИИМЭ).

В настоящее время в имплантерах используются ионные источники Фримана и Бернаса. Они работают в магнитном поле, создаваемом внешним магнитом, вес которого растет в кубической зависимости от ширины ленточного пучка и может достигать многих сотен килограммов. Расположение такой конструкции под потенциалом в сотни киловольт и даже мегавольта становится весьма проблематичным.

Идея создать конструкцию ленточного источника ионов, сочетающую в себе модифицированную ловушку Пеннинга с системой магнитного удержания, которая позволяет расширить пучок до нескольких метров, сохраняя линейную плотность тока около 10 мА/см, показалась специалистам ИЯФ СО РАН привлекательной, и они приступили к выполнению задачи.

«Поскольку описание такого источника было представлено только одной лабораторией и не было подтверждения в печати другими авторами его работоспособности, а идея выглядела весьма привлекательной, в феврале 2024 г. мы начали проектирование, изготовление и исследование такого источника с шириной эмиссионной щели 5 см, – добавил Сергей Константинов, ведущий научный сотрудник ИЯФ СО РАН к.ф.-м.н. – Была также спроектирована и изготовлена ионно-оптическая система для формирования ленточного пучка».

Получен прекрасный результат: эмиссия вдоль щели равномерна, и это открывает возможность разработки такого источника с любой шириной ленточного пучка. Отмечу, что в экспериментах ученые не стремились получить максимально возможный ионный ток, но уже сейчас он выдает ~20 мА при извлекающем потенциале 6 кВ, что вполне приемлемо.

Направление дальнейшей разработки каспового источника зависит от конкретных требуемых параметров ионного пучка. В высоковольтных имплантерах, таких как разрабатываются в ИЯФ, то есть с энергией ионов ~1 Мэв, разработанный тип источника предпочтителен, когда не требуется предельно большой ток ионов, (который при такой энергии может разрушить кремниевую пластину), и применения внешнего магнита.

@RUSmicro по материалам ИЯФ СО РАН

#ионныеимплантеры #наука #разработки #ионнаяимплантация

🎓 Образование. Россия

В ПИШ ЮФУ готовят "специалистов будущего"

Созданный при Университете Учебно-производственный комплекс оснащен передовой научно-исследовательской и технологической инфраструктурой для разработок технологий в области микроэлектроники и фотоники, создание прототипов инкапсулированных элементов МЭМС, преобразователей энергии, функциональных элементов нейроморфной электроники, однофотонных излучателей ближнего инфракрасного диапазона, источников одиночных и запутанных фотонов, элементной базы интегральной нанофотоники, квантовых коммуникаций и вычислений и других передовых решений, позволяющих уже сегодня разрабатывать технологии, совмещенные с производственными мощностями отечественных предприятий.

«Учить персонал на производстве – это упущенная выгода для производства. Однако сейчас это неизбежный этап, который выравнивает разрыв в знаниях и навыках выпускников при работе с реальной технологической линейкой. Если к моменту выпуска студенты смогут обладать достаточными компетенциями и умениями по работе с современным оборудованием, пониманием существующих, а также перспективных технологий и методик, время на разработку новой продукции и ее вывод на рынок должно значительно сократиться», – рассказал руководитель «умной» фабрики, к.т.н., доцент Олег Ильин.

В рамках реализации гранта по федеральному проекту «Передовые инженерные школы» в ЮФУ состоялось перевооружение научно-технологической инфраструктуры для полнофункционального запуска и обеспечения бесперебойной работы технологической линии в области кристального производства перспективных изделий микроэлектроники и фотоники.

«Уже сейчас мы готовим инженеров в области дизайна и технологий создания элементной базы опто- и микроэлектроники с применением современной научно-исследовательской и технологической инфраструктуры и технологических процессов в условиях, максимально приближенных к производственным, в том числе по заказу, с учетом специфики и непосредственным участием индустриальных партнеров – предприятий электронной промышленности (АО НЗПП Восток (ГК Элемент), ГК Бештау, ООО Поликетон и других). Проведенное дооснащение современным оборудованием в ближайшем горизонте событий обеспечит выход на самоокупаемость с трёхкратным превышением объемов вложенных средств и привлечет новых отраслевых партнеров», – сообщил директор ПИШ ЮФУ Александр Федотов.

«Умная» фабрика ПИШ ЮФУ уже выполняет проекты по запросу от индустриальных партнёров. В рамках технологического конкурса РНФ «Микроэлектроника», где заказчиком выступает ГК Элемент, на базе фабрики реализуется проект по созданию технологии инкапсулированных МЭМС. В настоящее время единственным обладателем этой технологии является фирма Bosch. В среднесрочной перспективе в ЮФУ должны разработать исключительную технологию и передать её на строящуюся производственную линейку новосибирского завода полупроводниковых приборов НЗПП Восток, которая обеспечит импортозамещение и технологическую независимость.

«Ещё до запуска «умной» фабрики мы пошли на своеобразную авантюру и максимально омолодились – начали привлекать к работе студентов уже с первого курса. Они достаточно «пластичны», что позволяет правильно их обучить, со второго курса давать уже спецпредметы и кейсы, которые охватывают использование не только отдельных технологий Фабрики, но и строить цепочку, позволяющую превратить чистую подложку в готовый функциональный кристалл», – рассказал руководитель «умной» фабрики, к.т.н., доцент Олег Ильин.

@RUSmicro по материалам DonDay, фото - ЮФУ

#образование #микроэлектроники

🇷🇺 Производство электроники. Участники рынка

Производство электроники в Удмуртии развивается, но сталкивается с проблемами

Компания Уральские заводы завершает строительство нового корпуса 5.5 тыс кв. м в Первомайском районе Ижевска. Строили 2 года, закупили и освоили современные линии поверхностного монтажа, автоматическую систему хранения комплектующих, наладили многоуровневый контроль качества.

Новый корпус должен помочь в 1.5 раза нарастить объем выпуска востребованной силовыми структурами продукции. Об этом сообщают Новые Известия.

Летом 2024 года против Уральских заводов завели уголовное дело, поместили в СИЗО генерального директора. В Следственном комитете России полагают, что сотрудники «Уральских заводов» занимаются лишь переклеиванием лейблов с китайских товаров на отечественные. Якобы в 2023 году для исполнения двух контрактов с МВД РФ руководство компании решило купить готовые радиостанции в Китае, поменять на них «этикетки» и выдать за собственную продукцию для получения сверхприбылей.

Можно ли было так сделать, учитывая, что продукция, поставляемая предприятием в рамках ГОЗ, проходит военную приемку Минобороны РФ, чьи военпреды постоянно находятся на производстве?

Есть и альтернативное мнение. Депутат Госдумы Михаил Делягин отмечает, что споры о том, какую продукцию признать российской, вышли за рамки здоровой конкуренции.

«Дискредитация разработчиков и дезорганизация производств противника — неотъемлемый элемент современной конкуренции и войны».

Чем больше в России становится производств, тем больше конкуренция за их загрузку в рамках госзаказа. Не может ли эта конкуренция из-за этого принимать в том числе самые уродливые формы?

В таких ситуация велика роль экспертизы - она должна быть объективной и прозрачной. Это жизни людей и перспективы ее технологического развития.

@RUSmicro

#производствоэлектроники #участникирынка #проблемы

🇺🇸 2нм. Техпроцессы

Apple не устраивает 60% уровень выхода годных техпроцесса N2 TSMC?

Американская компания может отложить внедрение микросхем по техпроцессу 2нм TSMС в iPhone 17. О достижении уровня 60% выхода годных TSMC гордо заявила в начале декабря 2024 – раньше, чем планировалось. Но в Apple, похоже, результатом не удовлетворены. Сказывается не только «недостаточный» уровень годных, но и текущая стоимость в $30 тысяч за пластину. Как ожидается, цена еще пойдет вниз, когда производство по новому техпроцессу запустят на фабе Kaohsiung Nanzi F22.

Если Apple действительно не будет спешить с размещением заказов на продукты по техпроцессу N2, TSMC может лишиться части необходимых компании «сверхдоходов» в короткий период технологического отрыва от конкурентов. В дальнейшем цены неминуемо снизятся, когда чипы 2нм начнут предлагать также Intel, Samsung и Rapidus.

Впрочем, далеко не все ожидали появления чипа 2нм в iPhone 17, скорее всего, в конце 2025 года на этом чипе выйдет iPad Pro, а в 2026 году – iPhone 18 Pro.
К этому времени цена за пластину с структурами 2нм должна заметно упасть. Сейчас TSMC производит всего 10 тысяч таких пластин в месяц на фабе Baoshan F20, к 2025 году, как ожидается, объемы производства вырастут до 50 тысяч, к 2026 году – до 80 тысяч.

В этой связи можно вспомнить спекуляции о том, что на оборудовании ASML DUV китайские производители могут выпускать изделия по техпроцессу 5нм. Может быть, и могут, но о 60-70% выхода годных в этом случае, думаю, следует забыть. Стоимость изделий, выпущенных по техпроцессу с низким выходом годных, может оказаться экономически неприемлемой для массового производства.

@RUSmicro

#2нм

🇨🇳 Перспективные материалы. Диоды. Китай

В Китае разработали широкозонные диоды на базе алмаз/ε-Ga2O3 с напряжением пробоя выше 3 кВ

Исследование проводилось под руководством профессора Йе Цзичуня из Института технологий и инжиниринга материалов Нинбо (NIMTE) Китайской академии наук совместно с исследователями из Университета Чженчжоу, Нанкинского университета, Харбинского технологического университета и лаборатории Юнцзян.

Разработка относится к классу так называемых широкозонных полупроводников и потому обладает потенциалом применения в различных мощных устройствах, за счет высокого поля пробоя, радстойкости и подвижности носителей в созданном доиоде.

Обычно эффективность легирования в сверхширокозонных полупроводниках ограничена существенными энергиями ионизации легирующих примесей. Исследователи предложили стратегию использования гетероперехода. В частности, объединение алмаза p-типа и ε-Ga2O3 оксида галлия n-типа.

Гетероэпитаксиальную пленку ε-Ga2O3 удалось вырастить на монокристаллической подложке алмаза p-типа путем координации нескольких доменов и ограничения направлений кристаллизации – так удалось устранить несоответствие кристаллических решеток материалов.

Интерфейс гетероперехода между ε-Ga2O3 и алмазом получился атомарно резким – без наблюдаемой диффузии интерфейсных элементов (очень интересно, как именно китайцы смогли справиться с диффузией). Это обеспечило высокоэффективное выпрямление и низкий обратный ток утечки в диодах с гетеропереходом.

По сравнению с диодами на основе алмаза, которые описывались в научных публикациях ранее, изготовленный исследователями диод на основе гетероперехода алмаз/ε-Ga2O3 демонстрирует превосходящие выпрямительные характеристики, в частности соотношение on-off превышает 108. Максимальное напряжение пробоя превосходит 3000 В даже без мер против edge termination.

Устройство обладает также прекрасными температурными свойствами – тепловая граничная проводимость достигает 64 МВт/м2К при температуре 500К.

@RUSmicro по материалам Академии наук Китая, картинка - отсюда

#алмазы #алмазные

🇹🇼 Техпроцессы. 2нм. Тайвань

TSMC начала опытное производство по техпроцессу N2 с планами выйти на производство 120-130 тысяч пластин 2нм к концу 2026 года

Речь идет о малосерийной опытной производственной линии на фабрике Hsinchu Baoshan (Fab 20) в 1q2025, ежемесячная производственная мощность может достичь 3000 – 3500 пластин в месяц.

Кроме того, как ожидается, фабрика в Гаосюне (Fab 22) выйдет на ежемесячную производственную мощность от 25 до 30 тысяч к концу 2025 года, а также нарастит выпуск до 60-65 тысяч пластин к концу 2026 года или началу 2027 года.

Суммарно ожидается, что производственная мощность TSMC по процессу 2нм превысит 50 тыс пластин еще до конца 2025 года и достигнет 120-130 тысяч штук к концу 2026 года.

Ожидается, что первым заказчиком станет Apple, которая будет упаковывать чипы по многочиповой технологии WMCM. Другими потребителями станут MediaTek, Qualcomm, Intel, Nvidia, AMD, Broadcom.

@RUSmicro по материалам Passionategeekz

#2нм #техпроцессы #производство #передовые

🔬 Кремниевая фотоника. Источники света на кристалле

Кремниевая фотоника - быстро развивающаяся технология, развитию которой мешает отсутствие масштабируемых источников света с интегрированной комплиментарной КМОП-структурой

Несмотря на значительный прогресс в гибридной и гетерогенной интеграции источников света III-V на кремнии, монолитная интеграция методом прямой эпитаксии материалов III-V остается наиболее перспективным способом для экономически эффективного создания источников света на кристалле.

Авторы научной публикации в Nature сообщают об изготовлении электрически управляемых лазерных диодов на основе GaAs, создаваемых на кремниевых пластинах 400 мм на пилотной линии, основанной на новом подходе к интеграции, так называемой нано-гребневой инженерии.

Волноводы GaAs nano-ridge со встроенными p-i-n диодами и квантовыми ямами InGaAs выращиваются с высоким качеством в масштабах пластины.

Ученые показали генерацию непрерывного лазерного излучения при комнатной температуре при длине излучения около 1020 нм, в более чем 300 устройствах на пластине с пороговыми токами всего 5 мА, выходной мощностью более 1 мВт, шириной лазерной линии (linewidths) до 46 МГц и работой лазера при температурах до 55°C.

Исследование демонстрирует потенциал инженерной концепции III-V/Si nano-ridge для монолитной интеграции лазерных диодов в пластину кремниевой фотоники. В перспективе это позволит создавать серийные приборы для оптического считывания, межсоединений и т.п.

@RUSmicro по материалам Nature

#кремниеваяфотоника #источникисвета #фотоника

⚔️ Судебные споры. Участники рынка

Суд США вынес решение в пользу Qualcomm

Суд в Делавэре в последнюю декаду декабря 2024 года постановил, что Qualcomm может продолжать выпускать и продавать чипы Nuvia.

Этим решением подведены итоги двухлетних судебных разборок между Qualcomm и британским ARM. Последняя требовала запрета на изготовление и продажу чипов Nuvia.

Qualcomm удалось убедить суд в том, что ARM требует использования Qualcomm более дорогой лицензии TLA (технологического лицензионного соглашения) вместо имеющейся у Qualcomm лицензии ALA (архитектурное лицензионное соглашение) только для того, чтобы получать с Qualcomm большие выплаты.

Суд вынес решение, что Qualcomm не должна была подписывать новую лицензию с ARM.

В ходе суда Qualcomm представил внутренний документ ARM, согласно которому в ARM рассматривают возможность производства собственных процессоров. Пока что не ясно, решится ли ARM в ближайшие год два пойти этим путем, что вряд ли порадовало бы компании, покупающие у ARM ее лицензии.

Думаю, что и в дальнейшем мы сможем наблюдать, как американские суды пресекают попытки европейцев мешать бизнесу крупных американских компаний.

@RUSmicro по материалам Notebookcheck

#судебныеспоры #ARM