🇪🇺 Участники рынка. Производители. Европа
NXP привлекла кредит на 1 млрд евро для стимулирования НИОКР в ЕС
Компания NXP Semiconductors получила кредит от Европейского инвестиционного банка (ЕИБ) для финансирования исследований, разработок и инноваций компании на внутреннем рынке Нидерландов и четырех других европейских стран.
Голландская компания по производству микросхем заявила, что будет использовать кредит для ускорения работы по предоставлению услуг в различных секторах, включая автомобилестроение, промышленность и Интернет вещей.
Процентная ставка по кредиту составит 4,75%, срок погашения – 6 лет.
Денежные средства будут направлены на существующие объекты NXP в Нидерландах, а также в Австрии, Франции, Германии и Румынии.
Маартен Диркцвагер, исполнительный вице-президент и директор по безопасности компании NXP Semiconductors, заявил, что компания стремится укреплять экосистему полупроводников в Европе, и кредит окажет значительную поддержку в этой работе.
Г-н Диркцвагер также заявил, что планы по расширению в Германии – это участие в совместном предприятии, которое занимается строительством предприятия под руководством специалистов TSMC (вероятно, речь идет о фабе в Дрездене, о котором мы сегодня уже говорили в чате).
Как видим, после того как США придержали планы европейских инвестиций, в Европе активизируют деятельность имеющимися силами. О европейском проекте TSMC давно не было слышно, но вот и упоминание.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
NXP привлекла кредит на 1 млрд евро для стимулирования НИОКР в ЕС
Компания NXP Semiconductors получила кредит от Европейского инвестиционного банка (ЕИБ) для финансирования исследований, разработок и инноваций компании на внутреннем рынке Нидерландов и четырех других европейских стран.
Голландская компания по производству микросхем заявила, что будет использовать кредит для ускорения работы по предоставлению услуг в различных секторах, включая автомобилестроение, промышленность и Интернет вещей.
Процентная ставка по кредиту составит 4,75%, срок погашения – 6 лет.
Денежные средства будут направлены на существующие объекты NXP в Нидерландах, а также в Австрии, Франции, Германии и Румынии.
Маартен Диркцвагер, исполнительный вице-президент и директор по безопасности компании NXP Semiconductors, заявил, что компания стремится укреплять экосистему полупроводников в Европе, и кредит окажет значительную поддержку в этой работе.
Г-н Диркцвагер также заявил, что планы по расширению в Германии – это участие в совместном предприятии, которое занимается строительством предприятия под руководством специалистов TSMC (вероятно, речь идет о фабе в Дрездене, о котором мы сегодня уже говорили в чате).
Как видим, после того как США придержали планы европейских инвестиций, в Европе активизируют деятельность имеющимися силами. О европейском проекте TSMC давно не было слышно, но вот и упоминание.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
Mobile World Live
NXP bags €1B loan to boost EU R&D
NXP Semiconductors secured a €1 billion loan from the European Investment Bank (EIB) to help fund the company’s RDI efforts.
🇯🇵 Господдержка. Разработка микросхем. Япония
Япония поддержит не только производство чипов, но и их разработку
Правительство Японии расширяет меры господдержки отечественной полупроводниковой промышленности за пределы поддержки создания производственных мощностей. Будет выделено порядка $1 млрд на стимулирование компаний, занимающихся разработкой микросхем, сообщает Mobile World Live со ссылкой на Nikkei Asia.
Минэкономики Японии будет обеспечивать поддержку технологическим компаниям, стартапам и университетам, занимающимися разработкой передовых чипов для ИИ, ЦОД, БС сотовой связи, систем управления беспилотными автомобилями и роботами в ближайшие 5 лет.
Правительство Японии стремится вернуть отечественный сектор полупроводников к «славным дням 80-х». Слабая иена делает Японию привлекательным местом для инвестиций и развития производства. Проблемой остается серьезная нехватка кадров, прежде всего, инженеров в области разработки полупроводников.
Этот шаг в Японии последовал за представленным в ноябре 2024 года планом поддержки отечественной индустрии микроэлектроники на общую сумму $65 млрд, инвестиции в рамках которого должны быть направлены прежде всего на создание современного производства микроэлектроники и расширение производственных мощностей.
Такие действия правительства Японии частично обусловлены аналогичными решениями Китая, США, Южной Кореи, Тайваня и Европы – в условиях, когда все ключевые страны – производители микроэлектроники заявили о двузначных (в десятках миллиардов долларов) госсубсидиях в эту отрасль, Япония не может не принимать аналогичные меры, чтобы хотя бы сохранить свою долю рынка и конкурентоспособность на обновленном мировом рынке. Впору говорить о "гонке микроэлектроники" в которую вступили ряд передовых стран.
В частности, в Китае начал работать фонд «третьего поколения» с объемом финансовых средств в $46.9 млрд. В январе 2025 года правительство Южной Кореи представило пакет поддержки своего сектора производства микросхем в объеме $17.8 млрд. В США в последние недели года произошло массовое распределение средств, ранее аккумулированных в рамках Закона США «О технологиях и науке» в объеме $52 млрд.
@RUSmicro
#геополитика #господдержка #Япония
Япония поддержит не только производство чипов, но и их разработку
Правительство Японии расширяет меры господдержки отечественной полупроводниковой промышленности за пределы поддержки создания производственных мощностей. Будет выделено порядка $1 млрд на стимулирование компаний, занимающихся разработкой микросхем, сообщает Mobile World Live со ссылкой на Nikkei Asia.
Минэкономики Японии будет обеспечивать поддержку технологическим компаниям, стартапам и университетам, занимающимися разработкой передовых чипов для ИИ, ЦОД, БС сотовой связи, систем управления беспилотными автомобилями и роботами в ближайшие 5 лет.
Правительство Японии стремится вернуть отечественный сектор полупроводников к «славным дням 80-х». Слабая иена делает Японию привлекательным местом для инвестиций и развития производства. Проблемой остается серьезная нехватка кадров, прежде всего, инженеров в области разработки полупроводников.
Этот шаг в Японии последовал за представленным в ноябре 2024 года планом поддержки отечественной индустрии микроэлектроники на общую сумму $65 млрд, инвестиции в рамках которого должны быть направлены прежде всего на создание современного производства микроэлектроники и расширение производственных мощностей.
Такие действия правительства Японии частично обусловлены аналогичными решениями Китая, США, Южной Кореи, Тайваня и Европы – в условиях, когда все ключевые страны – производители микроэлектроники заявили о двузначных (в десятках миллиардов долларов) госсубсидиях в эту отрасль, Япония не может не принимать аналогичные меры, чтобы хотя бы сохранить свою долю рынка и конкурентоспособность на обновленном мировом рынке. Впору говорить о "гонке микроэлектроники" в которую вступили ряд передовых стран.
В частности, в Китае начал работать фонд «третьего поколения» с объемом финансовых средств в $46.9 млрд. В январе 2025 года правительство Южной Кореи представило пакет поддержки своего сектора производства микросхем в объеме $17.8 млрд. В США в последние недели года произошло массовое распределение средств, ранее аккумулированных в рамках Закона США «О технологиях и науке» в объеме $52 млрд.
@RUSmicro
#геополитика #господдержка #Япония
Mobile World Live
Japan shifts chip support to design sector
Japan stepped up measures to boost the domestic chip industry, allocating JPY160 billion to be spent on incentives for chip design companies.
🇳🇱 Экспортный контроль. Нидерланды
Нидерланды расширят экспортный контроль за оборудованием для производства полупроводников
Правительство Нидерландов заявило, что с 1 апреля 2025 года расширит экспортный контроль за современным полупроводниковым оборудованием. Компания ASML уже заявила, что не ожидает, что это окажет существенное влияние на ее бизнес. Требования к лицензированию экспорта оборудования для производства микроэлектроники в Нидерландах были впервые введены в 2023 году под давлением США и призваны ограничить поставки в Китай. С тех пор они лишь расширялись.
Последние меры потребуют от компаний поучения экспортных лицензий на «очень ограниченное» количество технологий, на поставки измерительного и инспекционного оборудования, говорится в заявлении Министерства торговли Нидерландов.
В ASML отметили, что не видят дополнительного негативного влияния на экспортные возможности компании по сравнению с декабрем 2024 года, когда США заявили о новых экспортных ограничениях в отношении Китая.
Новые правила включают технологии, используемые для обнаружения дефектов в пластинах и выращенных на них структурах, а также оборудование, которое улучшает измерения после осаждения и травления.
Минторг Нидерландов планирует вносить в экспортные правила «незначительные изменения, время от времени», чтобы адаптировать их к развитию технологий.
@RUSmicro по материалам Reuters
#экспортныеограничения
Нидерланды расширят экспортный контроль за оборудованием для производства полупроводников
Правительство Нидерландов заявило, что с 1 апреля 2025 года расширит экспортный контроль за современным полупроводниковым оборудованием. Компания ASML уже заявила, что не ожидает, что это окажет существенное влияние на ее бизнес. Требования к лицензированию экспорта оборудования для производства микроэлектроники в Нидерландах были впервые введены в 2023 году под давлением США и призваны ограничить поставки в Китай. С тех пор они лишь расширялись.
Последние меры потребуют от компаний поучения экспортных лицензий на «очень ограниченное» количество технологий, на поставки измерительного и инспекционного оборудования, говорится в заявлении Министерства торговли Нидерландов.
В ASML отметили, что не видят дополнительного негативного влияния на экспортные возможности компании по сравнению с декабрем 2024 года, когда США заявили о новых экспортных ограничениях в отношении Китая.
Новые правила включают технологии, используемые для обнаружения дефектов в пластинах и выращенных на них структурах, а также оборудование, которое улучшает измерения после осаждения и травления.
Минторг Нидерландов планирует вносить в экспортные правила «незначительные изменения, время от времени», чтобы адаптировать их к развитию технологий.
@RUSmicro по материалам Reuters
#экспортныеограничения
Reuters
Netherlands to expand export controls on semiconductor equipment
The Dutch government on Wednesday said it would expand its export controls on advanced semiconductor equipment from April 1, which chip equipment company ASML said it did not expect to impact its business.
🇰🇷 Память. HBM4
SK hynix поставит образцы HBM4 компании Nvidia в июне 2025 года
По данным ZDNet, SK Hynix планирует отправить в Nvidia первые образцы кристаллов памяти HBM4 в июне 2025 года с планами начать массовое производство в конце 3q2025.
В отчете отмечается, что изначально Nvidia планировала оснастить свою высокопроизводительную серию графических процессоров следующего поколения Rubin 12-слойной памятью HMB4 к 2026 году. Однако планы решено скорректировать, компания Nvidia нацеливается на запуск этой продукции во второй половине 2025 года.
В ответ на это в SK Hynix ускоряют разработку HBM4. Как подчеркивается в отчете, компания сформировала специальную группу разработчиков для поставки HBM4 Nvidia и завершила процесс разработки HBM4 в 4q2024.
После этого SK Hynix скорректировала график поставки образцов HBM4 с первоначально запланированного срока «во второй половине 2025 года» на июнь 2025 года. Эти образцы, называемые сэмплами или образцами заказчика, предоставляют клиентам для сертификации перед началом массового производства.
На решения Nvidia и SK Hynix скорее всего повлияли и действия Samsung – этот конкурент на днях объявил о начале пробных образцов HBM4, планируя завершить процесс подготовки к началу массового производства (PRA – Production Readiness Approval) в 1H2025.
Как сообщала ZDNet, Samsung Electronics планирует оснастить свои чипы HBM4 памятью DRAM 1c (DRAM 6-го поколения, класс 10 нм). В отличие от конкурентов SK Hynix и Micron опираются на 1b DRAM. То есть стратегия Samsung – выделить свою продукцию на фоне продукции конкурентов за счет использования DRAM более нового поколения.
А что у Micron?
Американская компания в конце 2024 года объявила, что планирует наладить массовое производство HBM4, начиная с 2026 года.
По данным ETNews от 15 января 2025 года, сейчас Micron находится на этапе финального тестирования оборудования для производства 16-слойных матриц HBM3E, а массовое производство станет следующим этапом.
Таким образом заваривается интрига – предпочтет ли Nvidia более технологически совершенное решение Samsung или выберет продукцию SK hynix, качеством которой в компании были довольны в последние годы?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM
SK hynix поставит образцы HBM4 компании Nvidia в июне 2025 года
По данным ZDNet, SK Hynix планирует отправить в Nvidia первые образцы кристаллов памяти HBM4 в июне 2025 года с планами начать массовое производство в конце 3q2025.
В отчете отмечается, что изначально Nvidia планировала оснастить свою высокопроизводительную серию графических процессоров следующего поколения Rubin 12-слойной памятью HMB4 к 2026 году. Однако планы решено скорректировать, компания Nvidia нацеливается на запуск этой продукции во второй половине 2025 года.
В ответ на это в SK Hynix ускоряют разработку HBM4. Как подчеркивается в отчете, компания сформировала специальную группу разработчиков для поставки HBM4 Nvidia и завершила процесс разработки HBM4 в 4q2024.
После этого SK Hynix скорректировала график поставки образцов HBM4 с первоначально запланированного срока «во второй половине 2025 года» на июнь 2025 года. Эти образцы, называемые сэмплами или образцами заказчика, предоставляют клиентам для сертификации перед началом массового производства.
На решения Nvidia и SK Hynix скорее всего повлияли и действия Samsung – этот конкурент на днях объявил о начале пробных образцов HBM4, планируя завершить процесс подготовки к началу массового производства (PRA – Production Readiness Approval) в 1H2025.
Как сообщала ZDNet, Samsung Electronics планирует оснастить свои чипы HBM4 памятью DRAM 1c (DRAM 6-го поколения, класс 10 нм). В отличие от конкурентов SK Hynix и Micron опираются на 1b DRAM. То есть стратегия Samsung – выделить свою продукцию на фоне продукции конкурентов за счет использования DRAM более нового поколения.
А что у Micron?
Американская компания в конце 2024 года объявила, что планирует наладить массовое производство HBM4, начиная с 2026 года.
По данным ETNews от 15 января 2025 года, сейчас Micron находится на этапе финального тестирования оборудования для производства 16-слойных матриц HBM3E, а массовое производство станет следующим этапом.
Таким образом заваривается интрига – предпочтет ли Nvidia более технологически совершенное решение Samsung или выберет продукцию SK hynix, качеством которой в компании были довольны в последние годы?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM
[News] SK hynix Reported to Deliver HBM4 Samples to NVIDIA in June, with Mass Production by Q3 2025 | TrendForce News
According to a report from ZDNet, SK hynix is reportedly planning to ship HBM4 samples to NVIDIA as early as June 2025, with full-scale product supply...
🇹🇼 Упаковка. Тайвань
Nvidia переходит от CoWoS-S к CoWoS-L?
По мере того, как Nvidia наращивает производство многочиплетных продуктов линейки Blackwell компания все масштабнее использует упаковку CoWoS-L, уходя от упаковки CoWoS-S, подтвердил на пресс-конференции гендиректор компании Дженсен Хуан.
Пресс-конференция была проведена в рамках открытия передового упаковочного предприятия Siliconware Precision Industries Limited (SPIL), дочерней компании ASE Technology.
Продукция линейки Hopper, которую компания продолжает производить, продолжит опираться на CoWoS-S. Но новые производственные мощности создаются уже под CoWoS-L.
CoWoS-S – это передовая технология упаковки 2.5D, в которой для соединения чиплетов используют кремниевый интерпозер. Она активно использовалась для выпуска GPU Nvidia A100 на базе Ampere и H100 на базе Hopper, использующих подключения к HBM.
Однако GPU Nvidia B100 и B200 на основе Blackwell требует двух вычислительных чиплетов, которым необходимо взаимодействие с пропускной способностью 10 ТБ/с. Эту возможность не мог обеспечить интерпозер, но обеспечивает комбинация локальных кремниевых межсоединений (LSI) и органического интерпозера, действующего в качестве перераспределительного слоя (RDL).
В первых выпусках графических процессоров Nvidia B100 и B200 была выявлена конструктивная проблема, снижающая производительность.
Компания ее исправила, перепроектировав верхние металлические слои маршрутизации и увеличив площадь кристалла. На текущем этапе графические процессоры Blackwell имеют два вычислительных кристалла с предсказуемой производительностью.
Еще одна версия ускорителя, над которой компания сейчас работает, получит название B200A. Она основывается на монолитном кристалле B102 с 144 ГБ (4 стека) HBM3E, которые упакованы привычным методом CoWoS-S. Этот продукт будет менее производительный, чем B100 и B200, но зато более бюджетный. По слухам, это будет нишевый продукт, а мейнстримом останутся двухвычислительные графические процессоры B100, B200 и, в конечном итоге, B300.
Компания SPIL, дочерняя компания ASE Technology Holding, это один из немногих аутсорсинговых поставщиков услуг по сборке и тестированию полупроводников (OSAT), которые лицензировали технологию CoWoS-S компании TSMC и обладают необходимым оборудованием для создания систем в корпусе.
Присутствие гендиректора TSMC на церемонии открытия SPIL по мнению экспертов может указывать на то, что компания планирует активно использовать эти мощности для выпуска своих новых продуктов.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#упаковка #корпусирование
Nvidia переходит от CoWoS-S к CoWoS-L?
По мере того, как Nvidia наращивает производство многочиплетных продуктов линейки Blackwell компания все масштабнее использует упаковку CoWoS-L, уходя от упаковки CoWoS-S, подтвердил на пресс-конференции гендиректор компании Дженсен Хуан.
Пресс-конференция была проведена в рамках открытия передового упаковочного предприятия Siliconware Precision Industries Limited (SPIL), дочерней компании ASE Technology.
Продукция линейки Hopper, которую компания продолжает производить, продолжит опираться на CoWoS-S. Но новые производственные мощности создаются уже под CoWoS-L.
CoWoS-S – это передовая технология упаковки 2.5D, в которой для соединения чиплетов используют кремниевый интерпозер. Она активно использовалась для выпуска GPU Nvidia A100 на базе Ampere и H100 на базе Hopper, использующих подключения к HBM.
Однако GPU Nvidia B100 и B200 на основе Blackwell требует двух вычислительных чиплетов, которым необходимо взаимодействие с пропускной способностью 10 ТБ/с. Эту возможность не мог обеспечить интерпозер, но обеспечивает комбинация локальных кремниевых межсоединений (LSI) и органического интерпозера, действующего в качестве перераспределительного слоя (RDL).
В первых выпусках графических процессоров Nvidia B100 и B200 была выявлена конструктивная проблема, снижающая производительность.
Компания ее исправила, перепроектировав верхние металлические слои маршрутизации и увеличив площадь кристалла. На текущем этапе графические процессоры Blackwell имеют два вычислительных кристалла с предсказуемой производительностью.
Еще одна версия ускорителя, над которой компания сейчас работает, получит название B200A. Она основывается на монолитном кристалле B102 с 144 ГБ (4 стека) HBM3E, которые упакованы привычным методом CoWoS-S. Этот продукт будет менее производительный, чем B100 и B200, но зато более бюджетный. По слухам, это будет нишевый продукт, а мейнстримом останутся двухвычислительные графические процессоры B100, B200 и, в конечном итоге, B300.
Компания SPIL, дочерняя компания ASE Technology Holding, это один из немногих аутсорсинговых поставщиков услуг по сборке и тестированию полупроводников (OSAT), которые лицензировали технологию CoWoS-S компании TSMC и обладают необходимым оборудованием для создания систем в корпусе.
Присутствие гендиректора TSMC на церемонии открытия SPIL по мнению экспертов может указывать на то, что компания планирует активно использовать эти мощности для выпуска своих новых продуктов.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#упаковка #корпусирование
Tom's Hardware
Nvidia shifts to CoWoS-L packaging for Blackwell GPU production ramp-up
What about the alleged B200A?
🇺🇸 Производство микроэлектроники. Участники рынка. США
TSMC нуждается в цепочке поставок в Аризоне, чтобы сократить расходы
Компании TSMC необходима цепочка поставок в Аризоне, которая снизила бы эксплуатационные расходы до уровня, характерного для Тайваня.
В частности, отсутствие полной цепочки поставок на сегодня приводит к тому, что материалы для производства в Аризоне приходится завозить из Тайваня. Об этом заявил председатель TSMC C.C. Вэй на конференции инвесторов.
Эта ситуация увеличивает расходы предприятия. Г-н Вэй подчеркивает необходимость поддержки правительства США для создания такой цепочки.
Непростая задачка стоит перед американцами?
@RUSmicro по материалам TechinAsia
TSMC нуждается в цепочке поставок в Аризоне, чтобы сократить расходы
Компании TSMC необходима цепочка поставок в Аризоне, которая снизила бы эксплуатационные расходы до уровня, характерного для Тайваня.
В частности, отсутствие полной цепочки поставок на сегодня приводит к тому, что материалы для производства в Аризоне приходится завозить из Тайваня. Об этом заявил председатель TSMC C.C. Вэй на конференции инвесторов.
Эта ситуация увеличивает расходы предприятия. Г-н Вэй подчеркивает необходимость поддержки правительства США для создания такой цепочки.
Непростая задачка стоит перед американцами?
@RUSmicro по материалам TechinAsia
Tech in Asia
TSMC to build supply chain in Arizona to cut costs
The company is investing US$65 billion in three advanced wafer fabrication facilities in the state.
⚔️ Микроэлектроника. Конкурентная борьба. Слухи
TSMC отказала Samsung в производстве процессоров Exynos?
В ноябре мы обсуждали слухи о том, что Samsung обратился в TSMC с просьбой о размещении у конкурента производства чипов Exynos. Такое желание компании связывалось с недостаточным процентом выхода годных техпроцесса 3нм GAA (SF3E-3GAE), который достигал 50-60%. Производительность техпроцесса 3нм Samsung 2-го поколения (SF3-3GAP) составляет 20%, что менее трети от целевого показателя.
Сейчас появились слухи о том, что договориться не удалось, что TSMC отклонила сделку по производству чипсетов Exynos от Samsung. Если эти слухи не безосновательны, то такое решение TSMC скорее всего обусловлено тем, что тайваньская компания воздерживается от любых рисков, которые могут привести к утечке ее технологических достижений в области System LSI.
Есть и другие причины – ключевые клиенты TSMC, то есть Apple, Qualcomm и MediaTek, не заинтересованы, чтобы Samsung получила ранний доступ к процессорам 3нм.
Между тем, Apple уже работает над переходом к пользованию техпроцессом 2нм. А Qualcomm в 2025 году перейдет к использованию 3нм.
@RUSmicro по материалам SammyFans
#3нм
TSMC отказала Samsung в производстве процессоров Exynos?
В ноябре мы обсуждали слухи о том, что Samsung обратился в TSMC с просьбой о размещении у конкурента производства чипов Exynos. Такое желание компании связывалось с недостаточным процентом выхода годных техпроцесса 3нм GAA (SF3E-3GAE), который достигал 50-60%. Производительность техпроцесса 3нм Samsung 2-го поколения (SF3-3GAP) составляет 20%, что менее трети от целевого показателя.
Сейчас появились слухи о том, что договориться не удалось, что TSMC отклонила сделку по производству чипсетов Exynos от Samsung. Если эти слухи не безосновательны, то такое решение TSMC скорее всего обусловлено тем, что тайваньская компания воздерживается от любых рисков, которые могут привести к утечке ее технологических достижений в области System LSI.
Есть и другие причины – ключевые клиенты TSMC, то есть Apple, Qualcomm и MediaTek, не заинтересованы, чтобы Samsung получила ранний доступ к процессорам 3нм.
Между тем, Apple уже работает над переходом к пользованию техпроцессом 2нм. А Qualcomm в 2025 году перейдет к использованию 3нм.
@RUSmicro по материалам SammyFans
#3нм
Sammy Fans
Rumor: TSMC rejects deal to make Exynos for Samsung Phones
Samsung has reportedly approached TSMC to produce Exynos chips for Galaxy phones. The behind-the-scenes conversation was already a rumor and the latest development to the story suggests TSMC won’t make Exynos chipsets for Samsung. According to Jukanlosreve…
🇺🇸 Упаковка и корпусирование. Кремниевая фотоника. США
Global Foundries расширит фабрику в штате Нью-Йорк
Компания анонсировала строительство современного предприятия по упаковке/корпусированию и тестированию на своей производственной площадке в городе Мальта, штат Нью-Йорк. Мотивом является рост спроса на микросхемы, полностью произведенные в США. На этом предприятии компания также планирует наладить сборку и тестирование микросхем кремниевой фотоники.
Предполагается, что строительство этого объекта обойдется компании в $575 млн, кроме того, Global Foundries потребуется еще $186 млн на исследования и разработки в течение ближайшего десятилетия. Штат Нью-Йорк выделит на поддержку этого проекта $20 млн, в дополнение к $550 млн, которые штат уже потратил на поддержку Global Foundries. Минторг США также выделит $75 млн в виде прямого финансирования в дополнение к $1,5 млрд, полученным в рамках Закона о чипах и науке.
Строительство современных упаковочных предприятий на территории США – важный элемент по достижению этой страной технологической независимости в области микроэлектроники. На сегодня большая часть процессов упаковки и корпусирования микросхем сосредоточена в Азии. Например, TSMC, которая запустила производство кристаллов по техпроцессу 4нм на своем фабе в Аризоне, все еще вынуждена отравлять их на тайваньскую фабрику Amkor для упаковки, пока последняя не завершит строительство своего предприятия по упаковке/корпусированию в Аризоне.
Упаковочное предприятие в Мальте, Нью-Йорк, позволит компании получать заказы на сборку и корпусирование чипов, которые не должны покидать территорию США. Global Foundries и сейчас является одним из поставщиков для Минобороны США, так что компания вполне может стать кандидатом для производства современных чипов.
В штате Нью-Йорк строится также фаб
Micron, где планируется производить DRAM-память. Кроме того, здесь успешно действует производство Wolfspeed, работающее с пластинами SiC 200 мм.
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#упаковка #господдержка
Global Foundries расширит фабрику в штате Нью-Йорк
Компания анонсировала строительство современного предприятия по упаковке/корпусированию и тестированию на своей производственной площадке в городе Мальта, штат Нью-Йорк. Мотивом является рост спроса на микросхемы, полностью произведенные в США. На этом предприятии компания также планирует наладить сборку и тестирование микросхем кремниевой фотоники.
Предполагается, что строительство этого объекта обойдется компании в $575 млн, кроме того, Global Foundries потребуется еще $186 млн на исследования и разработки в течение ближайшего десятилетия. Штат Нью-Йорк выделит на поддержку этого проекта $20 млн, в дополнение к $550 млн, которые штат уже потратил на поддержку Global Foundries. Минторг США также выделит $75 млн в виде прямого финансирования в дополнение к $1,5 млрд, полученным в рамках Закона о чипах и науке.
Строительство современных упаковочных предприятий на территории США – важный элемент по достижению этой страной технологической независимости в области микроэлектроники. На сегодня большая часть процессов упаковки и корпусирования микросхем сосредоточена в Азии. Например, TSMC, которая запустила производство кристаллов по техпроцессу 4нм на своем фабе в Аризоне, все еще вынуждена отравлять их на тайваньскую фабрику Amkor для упаковки, пока последняя не завершит строительство своего предприятия по упаковке/корпусированию в Аризоне.
Упаковочное предприятие в Мальте, Нью-Йорк, позволит компании получать заказы на сборку и корпусирование чипов, которые не должны покидать территорию США. Global Foundries и сейчас является одним из поставщиков для Минобороны США, так что компания вполне может стать кандидатом для производства современных чипов.
В штате Нью-Йорк строится также фаб
Micron, где планируется производить DRAM-память. Кроме того, здесь успешно действует производство Wolfspeed, работающее с пластинами SiC 200 мм.
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#упаковка #господдержка
Tom's Hardware
GlobalFoundries to expand New York fab — announces new $575 million advanced packaging and photonics facility
This packaging facility will help build all-American chips.
🔬 Стандартизация. PCIe
Группа по стандартизации PCIe выпускает проект спецификации PCIe 7.0, полная версия ожидается в 2025 году
Рабочая группа по взаимодействию периферийных компонентов PCI-SIG только что выпустила версию 0.7 спецификаций PCIe 7.0, представив ее на утверждение участникам с планами выпуска окончательного стандарта в 2025 году.
PCI-SIG – это группа, устанавливающая стандарты интерфейса, соединяющего материнскую плату с другими компонентами, такими как лучшие графические процессоры. Стандарт должен отвечать развитию аппаратного обеспечения, чтобы не стать узким местом для будущих разработок. Новые стандарты PCIe выходят каждые 3 года.
PCIe 7.0 должен удвоить пределы, установленные PCIe 6.0. В частности, скорость передачи данных должны вырасти до 128 ГТ/с raw bit, что можно интерпретировать как двунаправленную передачу данных со скоростью 512 ГБ/с в 16-канальной конфигурации (x16).
Интерфейс будет использовать сигнализацию с амплитудно-импульсной модуляцией с 4-мя уровнями (PAM4), представленную в PCIe 6.0, что позволяет кодировать за такт 2 бита данных.
Предыдущая версия проекта спецификаций PCIe 7.0, версия 0.5, была выпущена в апреле 2024 года. Похоже, в версии 0.7 нет каких-то серьезных изменений. Если не последует каких-то возражений от участников PCI-SIG в отношении нового релиза, группа завершит разработку и опубликует стандарт в 2025 году.
Даже если это так и произойдет, не стоит ожидать появления на рынке твердотельных накопителей и графических процессоров с PCIe 7.0 в ближайшее время. Стандарт PCIe 5.0 был выпущен в 2019 году, но первые твердотельные накопители PCIe 5.0 появились в розничных магазинах лишь в 2023 году. Для финализированного в январе 2022 года PCIe 6.0 спустя год еще не завершился период тестирования и проверок на совместимость.
Производителям приходится сталкиваться с различными препятствиями при внедрении новых технологий, в частности, из-за того, что более высокие скорости передачи данных приводят к постоянному повышению рабочих температур. Intel использует драйвер PCIe для Linux, который снижает пропускную способность SSD, если температура повышается для слишком высоких значений. Скорее всего, мы увидим еще больше компонентов, которым потребуются массивные радиаторы и активное охлаждение, чтобы они смогли работать на заданной скорости.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#стандартизация
Группа по стандартизации PCIe выпускает проект спецификации PCIe 7.0, полная версия ожидается в 2025 году
Рабочая группа по взаимодействию периферийных компонентов PCI-SIG только что выпустила версию 0.7 спецификаций PCIe 7.0, представив ее на утверждение участникам с планами выпуска окончательного стандарта в 2025 году.
PCI-SIG – это группа, устанавливающая стандарты интерфейса, соединяющего материнскую плату с другими компонентами, такими как лучшие графические процессоры. Стандарт должен отвечать развитию аппаратного обеспечения, чтобы не стать узким местом для будущих разработок. Новые стандарты PCIe выходят каждые 3 года.
PCIe 7.0 должен удвоить пределы, установленные PCIe 6.0. В частности, скорость передачи данных должны вырасти до 128 ГТ/с raw bit, что можно интерпретировать как двунаправленную передачу данных со скоростью 512 ГБ/с в 16-канальной конфигурации (x16).
Интерфейс будет использовать сигнализацию с амплитудно-импульсной модуляцией с 4-мя уровнями (PAM4), представленную в PCIe 6.0, что позволяет кодировать за такт 2 бита данных.
Предыдущая версия проекта спецификаций PCIe 7.0, версия 0.5, была выпущена в апреле 2024 года. Похоже, в версии 0.7 нет каких-то серьезных изменений. Если не последует каких-то возражений от участников PCI-SIG в отношении нового релиза, группа завершит разработку и опубликует стандарт в 2025 году.
Даже если это так и произойдет, не стоит ожидать появления на рынке твердотельных накопителей и графических процессоров с PCIe 7.0 в ближайшее время. Стандарт PCIe 5.0 был выпущен в 2019 году, но первые твердотельные накопители PCIe 5.0 появились в розничных магазинах лишь в 2023 году. Для финализированного в январе 2022 года PCIe 6.0 спустя год еще не завершился период тестирования и проверок на совместимость.
Производителям приходится сталкиваться с различными препятствиями при внедрении новых технологий, в частности, из-за того, что более высокие скорости передачи данных приводят к постоянному повышению рабочих температур. Intel использует драйвер PCIe для Linux, который снижает пропускную способность SSD, если температура повышается для слишком высоких значений. Скорее всего, мы увидим еще больше компонентов, которым потребуются массивные радиаторы и активное охлаждение, чтобы они смогли работать на заданной скорости.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#стандартизация
Tom's Hardware
PCIe standards group releases draft specification for PCIe 7.0
Final specifications to be revealed later in 2025
🇯🇵 Технологии микроэлектроники и оптика. Плоские линзы. Япония
Ученые из Токийского университета и JSR Corp. изготовили и протестировали плоские линзы (FZP или пластины Френеля).
Особенность подхода - линзы выпущены с помощью стандартного оборудования для микроэлектронного производства. Применялся особый вид фоторезиста, так называемый "цветной фоторезист". Линзы созданы в ходе процесса нанесения, экспонирования и проявки фоторезиста.
Созданные линзы способны фокусировать свет с разрешением до 1,1 мкм. К сожалению, эффективность таких линз весьма скромная - лишь 7%, они создают "шумные" изображения. Разработчики утверждают, что знают, как улучшить этот показатель, минимум, в 4 раза. Для этого им придется модифицировать фоторезист.
Созданы цифровые модели FZP, что позволяет адаптировать конкретные линзы под конкретные задачи. Отмечается, что проявка фоторезиста не требует применения токсичных материалов.
@RUSmicro по материалам Научная Россия , научная публикация - Light Science & Applications ; фото: ©2024 Konishi et al. CC-BY-ND
Ученые из Токийского университета и JSR Corp. изготовили и протестировали плоские линзы (FZP или пластины Френеля).
Особенность подхода - линзы выпущены с помощью стандартного оборудования для микроэлектронного производства. Применялся особый вид фоторезиста, так называемый "цветной фоторезист". Линзы созданы в ходе процесса нанесения, экспонирования и проявки фоторезиста.
Созданные линзы способны фокусировать свет с разрешением до 1,1 мкм. К сожалению, эффективность таких линз весьма скромная - лишь 7%, они создают "шумные" изображения. Разработчики утверждают, что знают, как улучшить этот показатель, минимум, в 4 раза. Для этого им придется модифицировать фоторезист.
Созданы цифровые модели FZP, что позволяет адаптировать конкретные линзы под конкретные задачи. Отмечается, что проявка фоторезиста не требует применения токсичных материалов.
@RUSmicro по материалам Научная Россия , научная публикация - Light Science & Applications ; фото: ©2024 Konishi et al. CC-BY-ND
🇭🇰 Наука. Технологии. Нанокристаллическая медь. Гонконг
В Городском университете Гонконга разработали технологию создания нанокристаллической меди. Материал допускает качественные соединения при более низких температурах.
Использование в микроэлектронике нанокристаллической меди давно считается перспективным направлением. Этому мешали 2 проблемы: на межзёренных границах скапливались примеси, мешающие росту зёрен при низких температурах, а при осторожном нагреве зерна росли, но лишь на верхней поверхности, при этом у нижнего медного слоя образовывались пустоты.
Исследователи из Гонконга разработали двухслойную конструкцию, позволяющую обойти эти проблемы. Крупнозернистый слой выступает как ловушка для примесей, обеспечивая контролируемую диффузию и предотвращая образование пустот.
Кроме того разработаны добавки, позволяющие осаждать нанокристаллическую медь электрохимическим способом, при этом нанозёрна отличают однородные размеры и низкое содержание примесей, что обеспечивает быстрый рост зерен при низких температурах.
@RUSmicro по материалам iXBT, картинка: схематическая диаграмма прямого соединения Cu–Cu с использованием структуры «двойного слоя». На цветной картинке - гистограмма размеров зёрен. Источник: Nature Communications (2024).
#материалы #медь
В Городском университете Гонконга разработали технологию создания нанокристаллической меди. Материал допускает качественные соединения при более низких температурах.
Использование в микроэлектронике нанокристаллической меди давно считается перспективным направлением. Этому мешали 2 проблемы: на межзёренных границах скапливались примеси, мешающие росту зёрен при низких температурах, а при осторожном нагреве зерна росли, но лишь на верхней поверхности, при этом у нижнего медного слоя образовывались пустоты.
Исследователи из Гонконга разработали двухслойную конструкцию, позволяющую обойти эти проблемы. Крупнозернистый слой выступает как ловушка для примесей, обеспечивая контролируемую диффузию и предотвращая образование пустот.
Кроме того разработаны добавки, позволяющие осаждать нанокристаллическую медь электрохимическим способом, при этом нанозёрна отличают однородные размеры и низкое содержание примесей, что обеспечивает быстрый рост зерен при низких температурах.
@RUSmicro по материалам iXBT, картинка: схематическая диаграмма прямого соединения Cu–Cu с использованием структуры «двойного слоя». На цветной картинке - гистограмма размеров зёрен. Источник: Nature Communications (2024).
#материалы #медь
Forwarded from 💡KAMA FLOW | News
Рынок микроэлектроники РФ.pdf
44.7 MB
Исследование KAMA FLOW: потенциал российского рынка микроэлектроники для инвестиций
Для локализации производства микроэлектроники и увеличения объемов выпуска продукции в России необходимы триллионы рублей, включая капитальные вложения частных инвесторов.
📊Текущая ситуация на рынке
До 2022 года Россия сильно зависела от импорта, доля которого достигала 82%. В 2020 году объем производства электроники в России составлял 1,1 трлн рублей, а в 2022 году, согласно данным АРПЭ, он увеличился до 1,45 трлн рублей. Однако, объемы инвестиций в сектор все еще существенно отстают от мировых лидеров, таких как США, ЕС и Китай.
🏛Государственная поддержка и частное участие
В рамках национального проекта развития электронной промышленности в России планируется вложить 2,74 трлн рублей, из которых 904 млрд рублей должны быть привлечены из внебюджетных источников. Тем не менее, этих инвестиций недостаточно для достижения мирового уровня. В частности, США с 2021 года запланировали более $300 млрд на развитие радиоэлектронной отрасли.
🚫Российская электроника сталкивается с рядом вызовов:
– Концентрация производственных мощностей под контролем государственных корпораций, что ограничивает доступ частного бизнеса к инфраструктуре.
– Зависимость от зарубежного ПО для проектирования чипов.
– Ограничения на покупку элементной базы и недоступность передовых технологий.
Однако мы в KAMA FLOW уверены, что ситуация не безнадежна и при правильном подходе можно использовать существующие возможности.
🌐Ключевые сегменты для инвестиций:
Дизайн центры, Fabless компании, САПР, IoT, телекоммуникационное оборудование, промышленная автоматизация, оборудование для энергетики.
🦾Чтобы максимально эффективно развить индустрию, необходимо сочетание нескольких факторов, в том числе:
– Структурированный подход к инвестициям в ключевые сегменты, в том числе через создание отраслевых фондов прямых инвестиций.
– Государственно-частное партнерство для достижения значимых результатов.
- Системная работа по построению производственных и R&D проектов, совместно с партнерами из дружественных стран.
Вывод – консолидируя усилия бизнеса и государства, можно создать условия для активного роста отрасли и привлечь частных инвесторов для реализации ее потенциала.
Подробности – в нашем исследовании
Для локализации производства микроэлектроники и увеличения объемов выпуска продукции в России необходимы триллионы рублей, включая капитальные вложения частных инвесторов.
📊Текущая ситуация на рынке
До 2022 года Россия сильно зависела от импорта, доля которого достигала 82%. В 2020 году объем производства электроники в России составлял 1,1 трлн рублей, а в 2022 году, согласно данным АРПЭ, он увеличился до 1,45 трлн рублей. Однако, объемы инвестиций в сектор все еще существенно отстают от мировых лидеров, таких как США, ЕС и Китай.
🏛Государственная поддержка и частное участие
В рамках национального проекта развития электронной промышленности в России планируется вложить 2,74 трлн рублей, из которых 904 млрд рублей должны быть привлечены из внебюджетных источников. Тем не менее, этих инвестиций недостаточно для достижения мирового уровня. В частности, США с 2021 года запланировали более $300 млрд на развитие радиоэлектронной отрасли.
🚫Российская электроника сталкивается с рядом вызовов:
– Концентрация производственных мощностей под контролем государственных корпораций, что ограничивает доступ частного бизнеса к инфраструктуре.
– Зависимость от зарубежного ПО для проектирования чипов.
– Ограничения на покупку элементной базы и недоступность передовых технологий.
Однако мы в KAMA FLOW уверены, что ситуация не безнадежна и при правильном подходе можно использовать существующие возможности.
🌐Ключевые сегменты для инвестиций:
Дизайн центры, Fabless компании, САПР, IoT, телекоммуникационное оборудование, промышленная автоматизация, оборудование для энергетики.
🦾Чтобы максимально эффективно развить индустрию, необходимо сочетание нескольких факторов, в том числе:
– Структурированный подход к инвестициям в ключевые сегменты, в том числе через создание отраслевых фондов прямых инвестиций.
– Государственно-частное партнерство для достижения значимых результатов.
- Системная работа по построению производственных и R&D проектов, совместно с партнерами из дружественных стран.
Вывод – консолидируя усилия бизнеса и государства, можно создать условия для активного роста отрасли и привлечь частных инвесторов для реализации ее потенциала.
Подробности – в нашем исследовании
🇷🇺 Производство микроэлектроники. Участники рынка. Россия
Корпорация развития Среднего Урала и Уральское проектно-конструкторское бюро Деталь подписали договор о создании фабрики по производству микросхем в Новокольцовском (Екатеринбург). Об этом сегодня сообщает РБК.
Предприятие под названием Карат задумано, как полноцикловое.
В частности, речь идет о «выращивании и нарезке кристаллов» - имеется ли в виду выращивание монокристаллов и их нарезка на пластины или о выращивании полупроводниковых структуры на пластинах и их нарезка на кристаллы? К сожалению, из текста источника это не ясно. Мое мнение, - речь идет о втором варианте, а пластины будут закупаться готовые.
Планируется также проведение испытаний, упаковка и корпусирование кристаллов, то есть выпуск готовых микросхем.
Разработкой микросхем будет заниматься «Учебно-научный центр Микроэлектроника», который создают в кампусе УрФУ. Еще один центр проектирования кристаллов создадут непосредственно на территории фабрики. Надеюсь, что производство будет ориентировано не только на работу с этими двумя центрами разработки, но будет поддерживать и работу по схеме контрактного производства – можно будет размещать на нем заказы и других разработчиков микросхем.
Карат займет площадь в 15 тыс. кв.м на территории второй очереди технопарка Космос.
Что еще не ясно из текста источника – откуда возьмется производственное оборудование для фабрики и какие техпроцессы оно будет поддерживать? Купить достаточно современное оборудование для производства микросхем за рубежом для российских компаний сейчас крайне сложно. В Карате ориентируются на российское оборудование? Но не так уж просто сейчас сформировать линию только из российского оборудования.
В общем, вопросов к этому проекту много. Не из последних – вопрос о финансировании этого проекта, о каком масштабе инвестиционных планов идет речь?
@RUSmicro, фото - пресс-службы КРСУ
#производство #Свердловская
Корпорация развития Среднего Урала и Уральское проектно-конструкторское бюро Деталь подписали договор о создании фабрики по производству микросхем в Новокольцовском (Екатеринбург). Об этом сегодня сообщает РБК.
Предприятие под названием Карат задумано, как полноцикловое.
В частности, речь идет о «выращивании и нарезке кристаллов» - имеется ли в виду выращивание монокристаллов и их нарезка на пластины или о выращивании полупроводниковых структуры на пластинах и их нарезка на кристаллы? К сожалению, из текста источника это не ясно. Мое мнение, - речь идет о втором варианте, а пластины будут закупаться готовые.
Планируется также проведение испытаний, упаковка и корпусирование кристаллов, то есть выпуск готовых микросхем.
Разработкой микросхем будет заниматься «Учебно-научный центр Микроэлектроника», который создают в кампусе УрФУ. Еще один центр проектирования кристаллов создадут непосредственно на территории фабрики. Надеюсь, что производство будет ориентировано не только на работу с этими двумя центрами разработки, но будет поддерживать и работу по схеме контрактного производства – можно будет размещать на нем заказы и других разработчиков микросхем.
Карат займет площадь в 15 тыс. кв.м на территории второй очереди технопарка Космос.
Что еще не ясно из текста источника – откуда возьмется производственное оборудование для фабрики и какие техпроцессы оно будет поддерживать? Купить достаточно современное оборудование для производства микросхем за рубежом для российских компаний сейчас крайне сложно. В Карате ориентируются на российское оборудование? Но не так уж просто сейчас сформировать линию только из российского оборудования.
В общем, вопросов к этому проекту много. Не из последних – вопрос о финансировании этого проекта, о каком масштабе инвестиционных планов идет речь?
@RUSmicro, фото - пресс-службы КРСУ
#производство #Свердловская
📈 Кремниевая фотоника
Ключевые участники рынка кремниевой фотоники - оценка Stats n Data
🔸 Acacia - лидер в области высокоскоростных когерентных оптических соединений, создатель инновационных приемопередающих решений, повышающих производительность ЦОД;
🔸 IBM - пионер в области технологий кремниевой фотоники, которые компания интегрирует со своими вычислительными платформами, чтобы повысить скорость обработки и управления данными;
🔸 Fujitsu - стремится развивать кремниевую фотонику в рамках стратегических партнерств и инноваций в продуктах, которые отвечают потребностям рынков коммуникаций и ЦОД.
🔸 Cisco - ключевой участник рынка сетевых технологий, инвестирует в кремниевую фотонику для оптимизации своих сетевых решений, поддерживая растущий спрос на полосу пропускания в корпоративных приложениях.
🔸 China Information and Communication Technology Group - компания работает с кремниевой фотоникой с упором на телекоммуникационные приложения и приложения для ЦОД для улучшения решений в области связи.
🔸 Intel - компания сосредоточена на изменениях в технологиях передачи данных, используя свой опыт в производстве полупроводников для стимулирования инноваций в области оптических межсоединений.
🔸 Sandia - участвует в передовых исследованиях в области кремниевой фотоники, работая над ее применениями в национальной безопасности и передовых вычислениях.
🔸 IHP Microelectronics - компания работает над кремниевыми фотонными технологиями, уделяя особое внимание приложениям для высокоскоростных систем связи и сенсорных систем.
Существенной проблемой является нехватка специалистов в области фотоники. По мере развития отрасли, спрос на специалистов превышает предложение. Компаниям приходится отдавать приоритет инициативам по развитию рабочей силы и партнерству с образовательными учреждениями для формирования кадрового резерва.
На рынке кремниевой фотоники ощущается влияние передовых технологий. Интеграция ИИ преобразует способ обработки и использования данных, повышая способность кремниевых фотонных систем выполнять сложные вычисления в режиме реального времени. Алгоритмы ИИ используются для оптимизации маршрутизации данных и повышения эффективности оптических сетей.
Виртуализация инструментов и платформ также вносит значительный вклад в развитие кремниевой фотоники. Эти инструменты позволяют разработчикам более эффективно моделировать фотонные системы, способствуя ускорению циклов инновации, сокращая время вывода на рынок новых продуктов.
@RUSmicro по материалам Stats N data
#кремниеваяфотоника
Ключевые участники рынка кремниевой фотоники - оценка Stats n Data
🔸 Acacia - лидер в области высокоскоростных когерентных оптических соединений, создатель инновационных приемопередающих решений, повышающих производительность ЦОД;
🔸 IBM - пионер в области технологий кремниевой фотоники, которые компания интегрирует со своими вычислительными платформами, чтобы повысить скорость обработки и управления данными;
🔸 Fujitsu - стремится развивать кремниевую фотонику в рамках стратегических партнерств и инноваций в продуктах, которые отвечают потребностям рынков коммуникаций и ЦОД.
🔸 Cisco - ключевой участник рынка сетевых технологий, инвестирует в кремниевую фотонику для оптимизации своих сетевых решений, поддерживая растущий спрос на полосу пропускания в корпоративных приложениях.
🔸 China Information and Communication Technology Group - компания работает с кремниевой фотоникой с упором на телекоммуникационные приложения и приложения для ЦОД для улучшения решений в области связи.
🔸 Intel - компания сосредоточена на изменениях в технологиях передачи данных, используя свой опыт в производстве полупроводников для стимулирования инноваций в области оптических межсоединений.
🔸 Sandia - участвует в передовых исследованиях в области кремниевой фотоники, работая над ее применениями в национальной безопасности и передовых вычислениях.
🔸 IHP Microelectronics - компания работает над кремниевыми фотонными технологиями, уделяя особое внимание приложениям для высокоскоростных систем связи и сенсорных систем.
Существенной проблемой является нехватка специалистов в области фотоники. По мере развития отрасли, спрос на специалистов превышает предложение. Компаниям приходится отдавать приоритет инициативам по развитию рабочей силы и партнерству с образовательными учреждениями для формирования кадрового резерва.
На рынке кремниевой фотоники ощущается влияние передовых технологий. Интеграция ИИ преобразует способ обработки и использования данных, повышая способность кремниевых фотонных систем выполнять сложные вычисления в режиме реального времени. Алгоритмы ИИ используются для оптимизации маршрутизации данных и повышения эффективности оптических сетей.
Виртуализация инструментов и платформ также вносит значительный вклад в развитие кремниевой фотоники. Эти инструменты позволяют разработчикам более эффективно моделировать фотонные системы, способствуя ускорению циклов инновации, сокращая время вывода на рынок новых продуктов.
@RUSmicro по материалам Stats N data
#кремниеваяфотоника
openPR
Key Trends in the Silicon Photonics Market with Insights from Acacia, IBM Corp, Fujitsu, Cisco Systems, China Information and Communication…
The Silicon Photonics market is rapidly emerging as a transformative force within the technology landscape revolutionizing various sectors with its innovative applications Silicon photonics integrates silicon based components with optical technologies to…
🇺🇸 🇹🇼 Кремниевая фотоника. Сотрудничество. США / Тайвань
Nvidia и TSMC договорились о партнерстве с целью разработки современной кремниевой фотоники для ИИ
Об этом сообщил гендиректор Nvidia Jensen Huang после встречи с председателем TSMC C.C.Wei в Тайпее.
Лидер рынка ИИ договорился с лидером рынка в области технологий кремниевого производства. Логично.
Партнерство пока что находится на ранней стадии, от существенных событий в связи с ним нас отделяет еще несколько лет.
@RUSmicro по материалам Tech in Asia
#кремниеваяфотоника
Nvidia и TSMC договорились о партнерстве с целью разработки современной кремниевой фотоники для ИИ
Об этом сообщил гендиректор Nvidia Jensen Huang после встречи с председателем TSMC C.C.Wei в Тайпее.
Лидер рынка ИИ договорился с лидером рынка в области технологий кремниевого производства. Логично.
Партнерство пока что находится на ранней стадии, от существенных событий в связи с ним нас отделяет еще несколько лет.
@RUSmicro по материалам Tech in Asia
#кремниеваяфотоника
Tech in Asia
Nvidia, TSMC partner to advance silicon photonics for AI
Nvidia and TMSC’s partnership is in its early stages, with significant outcomes anticipated in the coming years.
🇯🇵 Разработка микросхем. Процессоры. Япония
Socionext собирается разработать чиплетный процессор ЦОД класса, который можно будет производить в Японии по техпроцессу 2нм
Socionext – японский фаблесс-разработчик. Компания анонсировала 32-ядерный процессор для ЦОД / ИИ и прочих высоконагруженных применений, который разрабатывает под техпроцесс 2нм.
Как ожидается, процессор будет основан на ядрах Arm Neoverse, но на каких именно – данных пока нет. Чиплетный поход позволит при необходимости создать процессоры с различным числом ядер – от 32 до 128 или более.
Образцы новой микросхемы, как ожидается будут доступны в 1H2025.
Пока что в Японии нет предприятий, способных выпускать чипы по техпроцессу 2нм, но в декабре 2024 года Rapidus получила EUV-литограф ASML NXE:3800E. Как ожидается, на его базе можно будет наладить производство по техпроцессу 2нм, но вряд ли в ближайшие 5 месяцев. Так что, скорее всего, в Socionext ориентируются на размещение своих заказов на TSMC.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
Socionext собирается разработать чиплетный процессор ЦОД класса, который можно будет производить в Японии по техпроцессу 2нм
Socionext – японский фаблесс-разработчик. Компания анонсировала 32-ядерный процессор для ЦОД / ИИ и прочих высоконагруженных применений, который разрабатывает под техпроцесс 2нм.
Как ожидается, процессор будет основан на ядрах Arm Neoverse, но на каких именно – данных пока нет. Чиплетный поход позволит при необходимости создать процессоры с различным числом ядер – от 32 до 128 или более.
Образцы новой микросхемы, как ожидается будут доступны в 1H2025.
Пока что в Японии нет предприятий, способных выпускать чипы по техпроцессу 2нм, но в декабре 2024 года Rapidus получила EUV-литограф ASML NXE:3800E. Как ожидается, на его базе можно будет наладить производство по техпроцессу 2нм, но вряд ли в ближайшие 5 месяцев. Так что, скорее всего, в Socionext ориентируются на размещение своих заказов на TSMC.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
Tom's Hardware
Japanese Company Develops 32-Core 2nm Server Chiplet
Samples are due in the first half of 2025
🇨🇳 Технологии. Материалы. Перовскиты. Микросветодиоды. Микродисплеи. Китай
В Китае разработали технологию эпитаксиального выращивания тонких пленок перовскита
Группа китайских ученых из Технического института физики и химии Китайской академии наук под руководством профессора Юйчэня У разработала новую технологию эпитаксиального выращивания непрерывных кристаллических тонких пленок перовскита, согласно исследованию, опубликованному в журнале Nature Nanotechnology 15 января 2025 года.
Микросветодиоды считаются основой технологии отображения следующего поколения. Металлогалогенидные перовскиты – перспективный материал для создания ярких светодиодных дисплеев на основе микросветодиодов.
Но есть технологические проблемы. Микросветодиоды на основе тонких пленок перовскитов могут давать неоднородный свет, если пленка неоднородна, а с помощью традиционных процессов фотолитографии трудно сформировать однородную пленку.
Китайские исследователи говорят о том, что разработали другой способ выращивания более однородных пленок. Это эпитаксиальный процесс с использованием промежуточного слоя графена. С помощью этого метода получается формировать непрерывные тонкие пленки перовскита на площади 4 кв.см. В рамках этого подхода удается эффективно удалять границы зерен, создавая внеплоскостную ориентацию кристаллов.
Получаемый материал позволяет добиваться эффективности электролюминисценции в 16,1%, яркость – 4 х 105 кд кв.м при высоком разрешении – размер пикселя может быть 4 мкм. Новый материал можно использовать для создания статических светящихся изображений или микродисплеев.
@RUSmicro по материалам Azooptics
#перовскиты #микросветодиоды #технологии
В Китае разработали технологию эпитаксиального выращивания тонких пленок перовскита
Группа китайских ученых из Технического института физики и химии Китайской академии наук под руководством профессора Юйчэня У разработала новую технологию эпитаксиального выращивания непрерывных кристаллических тонких пленок перовскита, согласно исследованию, опубликованному в журнале Nature Nanotechnology 15 января 2025 года.
Микросветодиоды считаются основой технологии отображения следующего поколения. Металлогалогенидные перовскиты – перспективный материал для создания ярких светодиодных дисплеев на основе микросветодиодов.
Но есть технологические проблемы. Микросветодиоды на основе тонких пленок перовскитов могут давать неоднородный свет, если пленка неоднородна, а с помощью традиционных процессов фотолитографии трудно сформировать однородную пленку.
Китайские исследователи говорят о том, что разработали другой способ выращивания более однородных пленок. Это эпитаксиальный процесс с использованием промежуточного слоя графена. С помощью этого метода получается формировать непрерывные тонкие пленки перовскита на площади 4 кв.см. В рамках этого подхода удается эффективно удалять границы зерен, создавая внеплоскостную ориентацию кристаллов.
Получаемый материал позволяет добиваться эффективности электролюминисценции в 16,1%, яркость – 4 х 105 кд кв.м при высоком разрешении – размер пикселя может быть 4 мкм. Новый материал можно использовать для создания статических светящихся изображений или микродисплеев.
@RUSmicro по материалам Azooptics
#перовскиты #микросветодиоды #технологии