🇨🇳 🇳🇱 Силовая электроника. SiC. Китай. Нидерланды

Нидерландо-китайская компания начала производство силовой электроники на пластинах SiC в Китае

Нидерландская STMicroelectronics и ее китайский партнер Sanan Optoelectronics (Chongqing Sanan Semiconductor) официально приступили к производству полупроводниковых структур на пластинах карбида кремния в Чунцине. Серийное производство на 8-дюймовых SiC пластинах начнется в 4q2025.

В рамках проекта сооружается фабрика по производству чипов и предприятие по производству пластин SiC. Предприятие займется также R&D в области чипов, их продажами.

Это предприятие в промышленном парке Xiyong Microelectronics, Чунцин, должно стать крупнейшей линией такого рода в Китае. Как ожидается, это позволит удовлетворить растущий спрос на изделия на базе карбида кремния на рынке Китая, прежде всего, в сегментах электромобилей, промышленного электропитания и электроэнергетики.

Инвестиции в проект оцениваются на уровне $3.1 млрд (23 млрд юаней).

По оценкам TrendForce, рынок силовых устройств на базе SiC в Китае достиг примерно $1.8 млрд в 2024 году, вырастет до $2.2 млрд в 2025 году, и к 2030 году увеличится до $6.1 млрд.

@RUSmicro по материалам TrendForce

#SiC #силовая #карбидкремния

🇺🇸 Микросхемы. Модемы 5G. Искусственный интеллект. США

Qualcomm представил 5G модем X85 и заявляет о его превосходстве над модемом Apple C1

В феврале 2025 года Apple представила свой первый модем 5G собственной разработки C1, который дебютировал в iPhone 16e. Это ознаменовало близость к завершению многолетних партнерских отношений с Qualcomm, у которой Apple годами закупала модемы RF. В марте Qualcomm представила свою новинку – X85 5G Modem RF.

X85 поддерживает 5G mmWave, спутниковые подключения и возможность работы с полосой до 400 МГц на частотах ниже 6ГГц. Как утверждает Qualcomm, эппловский C1 на это не способен.

В отчете Wccftech подчеркивается, что по сравнению с предшественником X85 оснащен процессором 5G AI, оснащенным выделенным тензорным ускорителем, что обеспечивает 30%-ное улучшение скорости вывода ИИ. Кроме того, в отчете говорится, что X85 обеспечивает скорости загрузки до 12.5 Гбит/c и аплоада до 3.7 Гбит/с.

Одна из ключевых возможностей новинки – расширенные возможности ИИ. Как заявляет гендиректор Qualcomm, Кристиано Амон, X85 – первый модем с такой обширной интеграцией ИИ, что повышает его производительность и позволяет ему более эффективно обрабатывать более слабые сигналы.

В итоге, как утверждает Qualcomm, X85 обеспечит значительный разрыв в производительности между премиальными устройствами Android и устройствами iOS. Поскольку модем на сегодня, это один из основных энейблеров ИИ на мобильном устройстве, более мощный модем Qualcomm обеспечит пользователям смартфонов более высокую производительность ИИ, чем решение Apple.

Г-н Амон подтвердил, что Qualcomm прекратит поставлять модемы Apple к 2027 году.

Apple, между тем, разрабатывает модем 5G второго поколения, который, как ожидается, будет представлен в предстоящей серии iPhone 18.

К 2027 году Apple намерена превзойти Qualcomm по производительности модема и возможностям ИИ. Компания планирует интегрировать модем 5G с процессором приложений.

@RUSmicro по материалам TrendForce

#модемы #5G #ИИ

🇨🇳 Фотолитография. EUV. Китай

Вчера и сегодня активно обсуждается тема "китайского прорыва" в области создания EUV-фотолитографа. Пока что речь идет, скорее, о слухах, чем о чем-либо достоверном. В ситуации пробовал разобраться Электромозг.

Если отбросить спекуляции, то в сухом остатке - в Китае ведут разработку фотолитографа EUV с источником на базе лазерно-индуцированной плазмы разряда (LDP) (и что-то, возможно, уже испытывается), на заводе Huawei в Дунгуане.

В основе - все те же пары олова, то есть та же длина волны - 13.5 нм. Но конструкция LDP - заметно проще в реализации, компактнее, энергоэффективнее, чем используемый в машинах ASML подход на основе LPP - плазмы, создаваемой лазером.

В России пока что идет еще более ранняя фаза разработки. Рассматриваются различные варианты источника, в частности, на основе ксенона (11.24 нм), что позволяет меньше волноваться о загрязнениях оптики. Но пока все на еще стадии "обоснования технической возможности".

Справочно:

LPP - Laser-Produced Plasma (плазма, создаваемая лазером). Метод генерации экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения, при котором высокомощный лазер фокусируется на мишени (например, капля олова), создавая плазму, излучающую EUV-свет (длина волны ~13.5 нм).

LDP — Laser-Driven Plasma (плазма, управляемая лазером), по сути это синоним LPP, но лазер в нем используется только для создания небольшого облака паров олова, а в плазму их превращает уже высокое напряжение между электродами. Длина волны - та же, поскольку опять речь об олове. К лазеру - намного меньшие требования, чем в LPP. Раньше этот метод именовали DPP, в Европе сочли его неперспективным.

С ксеноновой плазмой в Европе тоже пробовали работать еще в начале 2000-х, тогда отказались от нее в пользу паров олова. В частности, не хватало мощности источника.

🇷🇺 🇮🇷 Международное сотрудничество. Россия. Иран

ЗНТЦ подписал соглашение о сотрудничестве с иранским Штабом по развитию микротехнологий

Договоренность предполагает, в частности, производство в России иранской электроники, сообщает КоммерсантЪ.

Предполагается, что ЗНТЦ выступит интегратором контрактных производств для иранских дизайн-центров. Между странами будет происходить обмен компетенциями и сотрудниками в области микроэлектроники.

Ожидается, что сотрудничество с иранской стороной будет касаться производства фотолитографов для работы с пластинами (это, видимо, следует понимать как намерение Ирана покупать у России фотолитографы 350 нм и другие по мере их разработки), мультиплексоров для сетей связи (опять же, у РФ есть в этом компетенции) и различных датчиков для автомобилей.

Что может предложить России Иран, кроме рынка сбыта?

В Иране есть предприятия, работающие на рынке микроэлектроники, в основном по военным заказам.

В частности, в Иране разрабатывают и производят компоненты для систем ПВО, ракет, БАС и спутников. Также есть производство некоторых компонентов для телекома, есть микроконтроллеры. Используемые техпроцессы – 90-250 нм. Для производства компонентов в Иране используют в основном устаревшие литографы (включая DUV), закупленные через третьи страны или восстановленные.

Из участников рынка можно назвать Iran Electronics Industries (IEI), Тегеранский университет, Иранский институт передовых технологий (ACECR), есть компании, специализирующиеся не телеком-оборудовании 4G/5G.

В целом, Иран отстает от России по масштабам и диверсификации микроэлектроники. В Иране ставят цель в 2025 году добиться полного цикла производства чипов 90нм для военных нужд. Закупки зарубежного производственного оборудования предположительно осуществляются по сложным схемам, в основном, китайского, а также другого – через ОАЭ и Турцию.

Санкции не позволяют создавать в Иране конкурентоспособную на глобальном рынке продукцию.

Для России возможность продавать продукцию в области микроэлектроники и электроники в Иран – это возможность загрузить свои производственные мощности и расширить рынки сбыта.

@RUSmicro

🇺🇸 Твердотельная память. Рекорды. PCIe 6.0. США

Micron и Astera Labs показали SSD с PCIe 6.0

Это устройства в форм-факторе E3.S, предназначенные для облачных и корпоративных ЦОД, обеспечивающие вдвое более высокую емкость по сравнению с 2.5 дюймовыми накопителями, альтернатива форм-фактору U.2.

Накопитель был анонсирован в августе 2025 года, тогда заявлялось о скорости чтения в 26 ГБ/с. В рамках испытаний SSD в связке с коммутационным чипом Astera Labs Scorpio PCI 6.0 (поддержка до 64 линий PCI 6.0) была достигнута скорость чтения 27.14 ГБ/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Это намного превосходит показатели SSD с PCIe 5.0 (14.5 ГБ/с).

В тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую обращаться к памяти GPU, минуя центральный процессор.

Такие SSD могут быть востребованы в СХД ЦОД ИИ, спрос на высокоскоростные компоненты для которых постоянно растет.

Стандарт PCIe 6.0 продолжает развитие, хотя Группа по стандартизации PCIe еще до конца 2025 года планирует выпустить спецификацию PCIe 7.0.

@RUSmicro по материалам 3dnews

#PCIe #SSD

🇰🇷 Участники рынка. Корея

Samsung может свернуть или притормозить строительство фабов в США

Samsung еще в 2021 году планировал построить фаб в Тейлоре, США, и запустить серийное производство в 2024 году. Но эти планы последовательно сдвигались «вправо», в условиях США корейские расчеты не работали. В апреле 2024 года Samsung перенесла сроки на 2025 год, а затем перестала комментировать тему новых планируемых сроков запуска. Все, как минимум, уехало на 2026 год.

Сейчас, похоже, наступает и вовсе критический момент для американских планов компании. Если TSMC удваивает свои и без того масштабные планы по развертыванию современного производства в США, поскольку компания буквально завалена заказами американских производителей, то позиции Samsung и близко не такие удачные. Да и в мире на рынке контрактных услуг у Samsung Foundry от силы 8.2%, тогда как у TSMC – более 60%.

И это при том, что Samsung инвестировал в развитие своего контрактного бизнеса немалые средства. Деньги тратятся немалые, но при этом заказчиков на контрактные мощности корейцев не так много, да и процессоры Exynos собственной разработки Samsung не особенно востребованы. Не так уж проста ситуация в сегменте сенсоров изображений, где Samsung на сегодня контролирует до 20% мирового датчика изображений – здесь корейцы планируют повысить активность, укрепить свои позиции в сегменте компонентов камер для роботов и автопилотов для автомобилей.

Все это ставит дальнейшие планы Samsung в США под большой вопрос. Но без американского рынка, с учетом растущих пошлин, компания может еще больше потерять в своих рыночных позициях. Непростая для Samsung ситуация.

@RUSmicro по материалам 3dnews

RISC-V & YADRO Meetup: Экосистема ПО для RISC-V

🗓 14 марта в 19:00
📍 онлайн
🤝 бесплатное участие

Регистрируйтесь, чтобы получить ссылку на трансляцию на популярных платформах: VK, Youtube, Rutube.

В программе 3 доклада с теорией и кейсами. Коллеги расскажут:

→ каким образом RISC-V стандарты и профиль RVA23 закрывает текущие потребности мобильных устройств и клиентской экосистемы ПО, а чего в нём может не хватать для развития приложений Linux и AOSP;
→ что остается за рамками спецификаций и стандартов RISC-V на примере векторного расширения;
→ о готовности высокопроизводительных библиотек для RISC-V;
→ о практическом опыте разработки прототипа программно-аппаратного комплекса, построенного с использованием СнК на базе RISC-V, для АСУ ТП;
→ какие есть особенности развития экосистемы ПО для задач АСУ ТП, а также требования к аппаратным платформам.

Скорее ставьте событие в свой календарь и обязательно регистрируйтесь.

До встречи!

🇨🇳 Слухи. Чипы ИИ. Китай

Huawei, возможно, купила более, чем к 2 млн кристаллов ИИ-микросхем, произведенных TSMC

Это утверждает американский Центр стратегических и международных исследований (CSIS). По заявлению этой организации Huawei воспользовалась услугами подставных компаний для закупки 2 млн кристаллов ИИ-чипов, проведенных TSMC, а также накопила достаточно памяти с высокой пропускной способностью (HBM), чтобы поддерживать производство более года.

Речь идет о 2 млн кристаллов логики процессора Ascend 910B, которые якобы поступили в распоряжение Huawei. Либо на их базе можно произвести 1 млн процессоров Ascend 910C.

В отчете CSIS утверждается, что компании из «белого списка» могут соблазниться предложениями Huawei, чтобы выступить в качестве посредников, размещая заказы в TSMC в интересах Huawei. Аналогичную тактику китайская компания, в теории, может использовать для получения заказов, размещаемых в Samsung и даже в Intel.

По данным источников CSIS у Huawei сейчас сформированы запасы HBM-микросхем, достаточные, чтобы обеспечивать необходимое производство в течение целого года. Часть этого запаса была приобретена, скорее всего, еще до введенных экспортных ограничений США.

В Huawei делали ставку на два основных подхода к производству ИИ-чипов. Во-первых, ставка делалась на аутсорсинговое размещение заказов у TSMC, во-вторых, на партнерство с китайским фабом SMIC.

Американские ограничения заметно повлияли на SMIC. В итоге компания сталкивается с низким выходом годных (чуть ли не 20%) и другими проблемами, что ограничивает ее производственную мощность на уровне в 20 тысяч пластин по техпроцессу 7нм. Это не мешает SMIC усердно пытаться продвинуться на уровни технологий ниже 7нм.

Несмотря на все старания американских властей, разрыв в теме ИИ сокращается и сейчас уже вряд ли превышает 1-2 года. Близки и вычислительные мощности, доступные Китаю и США. Без экспортного контроля США, китайские компании, вероятно, уже превзошли бы американских конкурентов в уровне передовых моделей ИИ, уверены аналитики CSIS и с этим вряд ли стоит спорить.

@RUSmicro по материалам TrendForce

#чипыИИ

🇺🇸 Господдержка. Стратегии. США

Отмена американского Закона о чипах может сократить долю США на международном рынке до одноразрядных чисел

Многое указывает на то, что администрация Трампа может отменить принятый администрацией Байдена Закон о чипах, смысл которого состоял в предоставлении госсубсидий перспективным предприятиям, развивающим производство в США. Его появление не только вдохновило на ускоренное развитие ряд американских компаний, но и привлекло на внутренний рынок США некоторых зарубежных производителей, прежде всего, тайваньскую TSMC. С фантастическими даже по американским масштабам инвестициями. Уходящая администрация Байдена успела распределить субсидии до заступления Трампа на пост президента США. Сейчас Ассоциация полупроводниковой промышленности оценивает, что мощности по производству полупроводников США должны вырасти в 3 раза к 2032 году. Доля США на мировом рынке при этом может вырасти с 10% до 14%. Но если Закон о чипах перестанет действовать, этого может не случиться, в этом случае доля США дорастет только до 8%.

С момента, когда разрабатывался Закон о чипах, расходы на строительство фабрик по производству полупроводников в США значительно выросли. С другой стороны, даже компании, не получавшие госсубсидий, выиграли от общего роста полупроводниковой промышленности США.

Кроме того, Закон о чипах предполагает заметный налоговый кредит в размере 25% для производственных проектов, который, согласно отчету, служит одним из основных стимулов для предприятий, входящих в программу. Тогда как субсидии, как правило, покрывают только 10-15% от стоимости проекта.

Но Закон о чипах оставил правительству Трампа возможность задерживать обещанные выплаты и может даже истребовать возврат средств, при определенных условиях. В Министерстве торговли США сейчас изучают реализацию Закона о чипах и пока что не взяли на себя обязательства соблюдать предшествующие договоренности.

Тем не менее, администрация Трампа юридически обязана использовать средства, ранее выделенные Конгрессом для Закона о чипах. Уже выделены все $39 млрд, которые должны стимулировать производство в период до 2026 финансового года.

Примерно 75% грантового финансирования в рамках Закона о чипах будут предоставлены четырем ведущим производителям передовых полупроводников – Intel, TSMC, Samsung и Micron, причем Intel – крупнейший получатель.

Будет интересно посмотреть, к какому решению все же склонятся в США. На кону серьезный вопрос, учитывая роль микроэлектроники, как в плане ставки на лидерство в плане ИИ, так и в целом, учитывая ее растущую востребованность практически во всех отраслях. Мне кажется, что с учетом того, что госсубсидии и льготы своим бизнесам в области микроэлектроники выделают все страны, где делают ставку на развитие микроэлектроники, в США не смогут отказаться от субсидирования отрасли в ближайшие годы. И тогда, возможно, сбудется прогноз на получение доли 22% от мирового рынка.

@RUSmicro по материалам TrendForce

#господдержка #стратегии

🇰🇷 Датчики изображений. Южная Корея

SK hynix выходит из бизнеса CIS

Речь не идет о странах СНГ, CIS в данном контексте, это Contact Image Sensor (датчики изображения CIS). По данным ZDNet и Edaily, на фоне бума спроса на HBM, вызванного мощным интересом к ИИ, SK hynix выходит из своего непрофильного бизнеса датчиков изображений CMOS (CIS).

До сих пор SK hynix поставляла датчики изображения CMOS для Samsung Galaxy Z3 и для китайских смартфонов, но испытывала сложности с расширением из-за слабого рыночного спроса и растущей конкуренции со стороны китайских новичков в этом сегменте.

Подразделение CIS SK hynix было запущено в 2007 году и получила достаточный опыт за пределами производства памяти. Тем не менее, компания решила перенаправить ресурсы из подразделения CIS в подразделение разработок памяти ИИ, чтобы усилить свои стратегические позиции.

В отчете fnews отмечается, что SK hynix вышла на рынок датчиков изображения в 2008 году, прежде всего, за счет покупки компании Silicon File. В 2019 году компания создала центр исследований и разработок в области CIS в Японии и запустила бренд Black Pearl для сенсоров. Тем не менее, компания не смогла потеснить таких мощных участников рынка сенсоров как Sony и Samsung. Тем временем подтянулся еще и ряд китайских производителей, как всегда, с низкими расценками и активным маркетингом. И, как видим, для SK hynix все завершилось перенаправлением ресурсов разработчиков в другое русло.

@RUSmicro по материалам TrendForce

#тренды #датчики

🇺🇸 Чипы ИИ. Ускорители обучения. США

Компания на M* тестирует свой первый чип ИИ на базе RISC-V для обучения ИИ

Компания уже несколько лет как создала чипы на базе RISC-V для задач вывода в системах ИИ, чтобы сократить расходы и снизить зависимость от Nvidia. А теперь, выходит, компания пошла еще далее и разработала (предположительно с участием Broadcom) свой собственный ускоритель для более сложной задачи – обучения ИИ.

Пока что нет данных о характеристиках новинки, но если чип оправдает ожидания, это сможет еще более снизить зависимость компании от Nvidia.

@RUSmicro по материалам Tom’s hardware

#искусственныйинтеллект #ускорителиобучения #RISCV

🇷🇺 Регулирование. Аккумуляторные батареи. Мнения. Россия

В Минпромторге готовы перенастроить требования к российскости производимых Li-Ion аккумуляторов

Мне это представляется демонстрацией трезвого взгляда на ситуацию, сейчас готовится соответствующий проект поправок к ПП719. Тему сегодня разбирают Ведомости.

Действующее ПП719 требует от ЛИА, произведенных на территории РФ не менее 600 баллов с 2023 года, 800 с 2025 и 900 с 2026 года. Вместо этого планируется продлить действие планки в 600 баллов до 2027 года, а уж затем, с 2027 года ввести 860, а с 2029 года - 1010. Для систем хранения энергии – 900 баллов с 2027 года вместо 1000 с 2026 года.

Эти изменения отражают реальную ситуацию – в России по-прежнему нет серийного производства катодных и анодных материалов, сепараторов и электролитов для Li-Ion аккумуляторов. По крайней мере, это утверждается в пояснительной заметке к проекту.

Мое мнение: В сроки локализации, которые стояли ранее, без серьезных структурных изменений и гигантских инвестиций сразу в несколько отраслей не было возможности достичь поставленных целей. Полученная отсрочка и изменения в требованиях оставляют производителям больше шансов выполнить задачи, хотя и не гарантируют успеха в горизонте до 2027 года.
Необходимые цепочки производства локализовать сложно: если катодные материалы и добываются в РФ, то их переработка пока развита слабо.

Попытки исправить ситуацию в области аккумуляторов для электромобилей предпринимает Росатом. Ситуация с такими компонентами, как электролиты и сепараторы, остается сложной, сейчас в РФ проводятся только эксперименты по их производству.

Входящая в Росатом Рэнера в октябре 2022 года начала строительство завода полного цикла по выпуску топливных ячеек и сборке аккумуляторов на территории, которая ранее предназначалась для Балтийской АЭС (Калининградская область). Еще один такой завод собирались запускать в Москве.

За 2 года запустить производства сложно, сейчас называются сроки запуска – 2025 год для предприятия в Калининградской области, 2026 год – для Москвы.

Технологиями изготовления катодных материалов занимаются и в Норникеле, даже планируют создать завод, способный производить до 10 000 тонн катодов (планируется партнерство с Росатомом). Но когда это произойдет?

Мое мнение: организации локального производства полного цикла сохраняется, но это потребует более 10 лет, а в ближайшие пять лет можно будет добиться локализации от 50% и более, но вряд ли более 70–80%. В частности, кто, например, занимается сепараторами?

А еще несколько огорчает, что все усилия по созданию отечественных производств сосредоточены на технологиях с жидким электролитом (260-290 Втч/кг). А стоило бы отдельно стимулировать и направление с твердыми электролитами с более высокими плотностями хранения энергии – оно наверняка будет востребовано, например, в гуманоидной робототехнике и не только.

Возвращаясь к теме – смягчение требований отражает реальную ситуацию, и потому я его приветствую. Возможно, мы еще увидим тот же подход к тонкой настройке балльной системы и в ряде других направлений, в частности, в микроэлектронике и электронике.

@RUSmicro

#регулирование #балльная #аккумуляторы #ЛИА

🇰🇷 Фотолитография. Передовые техпроцессы. Производственное оборудование. Корея

Samsung привезла свой первый литограф High-NA EUV ASML EXE:5000

Стоимость комплекта – порядка $500 млн, развернуть его собираются в кампусе Хвасонг (Hwaseong). Как ожидается, ввод в действие этого степпера, позволит Samsung двинуться к покорению техпроцессов от 2нм и ниже.

Тем самым Samsung вошел в новый виток гонки к ангстремам, которую запустила Intel, закупив первую в мире установку High-NA EUV. Первый контракт с ASML на поставку этого вида литографов был подписан еще в 2023 году, а на текущий момент в Intel законтрактовала у ASML в общей сложности 6 таких машин. По данным компании Intel, 2 литографа уже запущены в производстве, выпуская порядка 10 тысяч пластин в месяц. Компания отрабатывает технологию 18А, которая, как ожидается, станет серийной в конце 2025 года.

Кроме того, ожидается, что Intel первой получит и следующую модель – ASML EXE:5200, которая позволит американской компании освоить техпроцесс 14A.
TSMC пока что не спешит с закупками ранних моделей, компания заявила, что собирается запускать массовое производство с использованием фотолитографов High-NA лишь в 2028 году.

@RUSmicro по материалам TrendForce

#HighNA #литография

🇷🇺 Силовая электроника. Компоненты. SiC. Россия

В ЛЭТИ разработали прототип силового транзистора на основе SiC
Об этом сообщили Известия.

Прототип транзистора на базе карбида кремния способен работать с напряжениями до 1700 В, заявил проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ ЛЭТИ Александр Семенов. Также заявляется, что топология и технологический маршрут могут быть адаптированы к производственным возможностям российских предприятий.

В теории это означает, что при соответствующей коммутации целевые изделия способны работать при напряжениях более 15 кВ на более высоких, чем типовые кремниевые аналоги частотах.

Транзисторы на базе SiC, в среднем могут работать при более высоких температурах, выше 200 °C, например. Можно получить прибор SiC с тем же напряжением пробоя, что и у кремниевого аналога, но при этом с меньшей площадью кристалла: на пластине равного размера может поместиться больше кристаллов SiC приборов, впрочем, пластины SiC как правило существенно дороже кремниевых, так что здесь пока что особо не выиграть.

Пока что российские предприятия закупают SiC-транзисторы за рубежом.

Соответственно, разработка делает возможным создание востребованных отечественных аналогов.

В 2024 году стало известно о запуске совместного предприятия ЛЭТИЭЛ в Зеленограде группой компаний Элемент и СПбГЭТУ ЛЭТИ – это предприятие занимается разработкой компонентов на основе карбида кремния.

Производством карбидкремниевых приборов может заняться Микрон – есть план создания производства с мощностью до 40 тысяч пластин SiC в год к 2030 году.

Известно, что НПО Энергомодуль выпустило первые силовые модули на кристаллах SiC, разработанные ГК Элемент. Это, впрочем, тоже еще не серийное производство.

@RUSmicro

#SiC #карбидкремния #силовая