🇰🇷 Производство памяти. HBM. Корея
SK hynix запустит массовое производство чипов 1с DRAM в феврале 2025 года
По данным MoneyToday, Samsung может оказаться в затруднительном положении, поскольку компания отложила разработку своего решения DRAM 6-го поколения на базе техпроцесса 10нм еще на 6 месяцев – на июнь 2025 года. Вместе с тем, SK hynix может начать массовое производство DRAM 1c уже в феврале 2025, сохранив технологическое лидерство и отрыв от конкурента.
Кроме того, согласно отчету, SK hynix недавно завершила квалификацию массового производства 1c DDR5.
У Samsung сохраняются технологические проблемы. Хотя компания и получила свой первый функциональный чип DRAM 1c в конце 2024 года, но она по-прежнему не достигла целевого выхода годных.
Эта задержка может повлиять на запланированное Samsung массовое производство HBM4 в 2H2025.
Обычно для отрасли характерен 18-месячный цикл разработки для каждого поколения. Хотя Samsung разработала свой 10нм класс (1b) DRAM 5-го поколения в декабре 2022 года и объявила о массовом производстве в мае 2023 года, с тех пор не было новостей о прогрессе в области 1c DRAM. Между тем, в SK hynix не тормозят, образцы HBM4 планируют отправить в Nvidia в июне 2025 года, а полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся примерно в конце 3q2025. Тем самым, попытка Samsung вернуть себе технологическое лидерство в области HBM, похоже, не реализуется в ближайшие месяцы.
В отчете MoneyToday высказывают опасения, что задержки в разработке 1c DRAM повлияют на планы Samsung по HBM. Если в конце 2025 года начнется производство 1c DRAM, то производство HBM4 может быть перенесено на 2026 год.
Впрочем, это все предположения. Samsung может попытаться ускорить процесс разработки.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #HBM
SK hynix запустит массовое производство чипов 1с DRAM в феврале 2025 года
По данным MoneyToday, Samsung может оказаться в затруднительном положении, поскольку компания отложила разработку своего решения DRAM 6-го поколения на базе техпроцесса 10нм еще на 6 месяцев – на июнь 2025 года. Вместе с тем, SK hynix может начать массовое производство DRAM 1c уже в феврале 2025, сохранив технологическое лидерство и отрыв от конкурента.
Кроме того, согласно отчету, SK hynix недавно завершила квалификацию массового производства 1c DDR5.
У Samsung сохраняются технологические проблемы. Хотя компания и получила свой первый функциональный чип DRAM 1c в конце 2024 года, но она по-прежнему не достигла целевого выхода годных.
Эта задержка может повлиять на запланированное Samsung массовое производство HBM4 в 2H2025.
Обычно для отрасли характерен 18-месячный цикл разработки для каждого поколения. Хотя Samsung разработала свой 10нм класс (1b) DRAM 5-го поколения в декабре 2022 года и объявила о массовом производстве в мае 2023 года, с тех пор не было новостей о прогрессе в области 1c DRAM. Между тем, в SK hynix не тормозят, образцы HBM4 планируют отправить в Nvidia в июне 2025 года, а полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся примерно в конце 3q2025. Тем самым, попытка Samsung вернуть себе технологическое лидерство в области HBM, похоже, не реализуется в ближайшие месяцы.
В отчете MoneyToday высказывают опасения, что задержки в разработке 1c DRAM повлияют на планы Samsung по HBM. Если в конце 2025 года начнется производство 1c DRAM, то производство HBM4 может быть перенесено на 2026 год.
Впрочем, это все предположения. Samsung может попытаться ускорить процесс разработки.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#память #HBM
[News] SK hynix Reportedly Set 1c DRAM Mass Production in Feb, While Samsung Delays by Six Months | TrendForce News
Ahead of SK hynix’s upcoming fourth-quarter results announcement, another Korean memory giant, Samsung, may be in trouble again. According to MoneyTod...
🇯🇵 Передовые техпроцессы. 2нм. Япония
Японская Rapidus установит 10 машин EUV
Rapidus планирует резко расширить производственные мощности в области передовых технологий. По данным Nikkan Kogyo Shimbun, компания собирается развернуть в общей сложности 10 машин для EUV-литографии.
Предполагается, что машины EUV будут установлены на первом производственном объекте Rapidus, IIM-1, который сейчас сооружается, и на втором, IIM-2.
Первый из двух заводов, работающих по технологии 2нм, как ожидается, выйдет на массовое производство в 2027 году. Пробное производство по техпроцессу 2нм компания начнет, как ожидается, в апреле 2025 года, образцы будут отгружены американской Broadcom к июню 2025.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#2нм
Японская Rapidus установит 10 машин EUV
Rapidus планирует резко расширить производственные мощности в области передовых технологий. По данным Nikkan Kogyo Shimbun, компания собирается развернуть в общей сложности 10 машин для EUV-литографии.
Предполагается, что машины EUV будут установлены на первом производственном объекте Rapidus, IIM-1, который сейчас сооружается, и на втором, IIM-2.
Первый из двух заводов, работающих по технологии 2нм, как ожидается, выйдет на массовое производство в 2027 году. Пробное производство по техпроцессу 2нм компания начнет, как ожидается, в апреле 2025 года, образцы будут отгружены американской Broadcom к июню 2025.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#2нм
[News] Rapidus Reportedly to Install 10 EUV Machines, Aiming for Early Mass Production | TrendForce News
While foundry giant TSMC plans to raise its 2025 capex to USD 38-42 billion, marking an up to 40% year-on-year increase, Japan’s Rapidus is also makin...
🏆 Люди и идеи. Производственное оборудование
Сотруднице ASML присвоена премия SEMI, но важно не только кому, но и за что
Сегодня Ассоциация производителей полупроводников SEMI объявила, что Санни Сталнакер из ASML выиграла премию SEMI «за выдающиеся достижения в области продаж и маркетинга 2025 года».
Казалось бы, премия и премия, кто их только не раздает. Но это не тот случай, премия вполне заслуженная и за большое дело – так отмечена роль г-жи Сталнакер в Программе совместного инвестирования клиентов в экстремальную ультрафиолетовую литографию (EUV), которая организовывалась с 2012 года и в которой участвуют ASML, TSMC, Intel и Samsung.
Эта программа обеспечила необходимую коммерциализацию технологии – доведение научных идей до прототипа, а затем и до серийного (пусть речь и идет о десятках устройств) выпуска фотолитографов ASML EUV.
Заставить конкурентов из разных стран мира выделять средства производителю на R&D на ранних этапах, еще до появления продукта – это нужно было суметь. И ведь сумели.
Можно ли этот опыт финансирования полезных и всеми востребованных разработок тиражировать в России? Хотя бы внутри страны? На добровольных началах, не по разнарядке типа «Фонда универсальной услуги» в телекоме. Можно наверное использовать механизм форвардных контрактов.
@RUSmicro
#мнения
Сотруднице ASML присвоена премия SEMI, но важно не только кому, но и за что
Сегодня Ассоциация производителей полупроводников SEMI объявила, что Санни Сталнакер из ASML выиграла премию SEMI «за выдающиеся достижения в области продаж и маркетинга 2025 года».
Казалось бы, премия и премия, кто их только не раздает. Но это не тот случай, премия вполне заслуженная и за большое дело – так отмечена роль г-жи Сталнакер в Программе совместного инвестирования клиентов в экстремальную ультрафиолетовую литографию (EUV), которая организовывалась с 2012 года и в которой участвуют ASML, TSMC, Intel и Samsung.
Эта программа обеспечила необходимую коммерциализацию технологии – доведение научных идей до прототипа, а затем и до серийного (пусть речь и идет о десятках устройств) выпуска фотолитографов ASML EUV.
Заставить конкурентов из разных стран мира выделять средства производителю на R&D на ранних этапах, еще до появления продукта – это нужно было суметь. И ведь сумели.
Можно ли этот опыт финансирования полезных и всеми востребованных разработок тиражировать в России? Хотя бы внутри страны? На добровольных началах, не по разнарядке типа «Фонда универсальной услуги» в телекоме. Можно наверное использовать механизм форвардных контрактов.
@RUSmicro
#мнения
www.semi.org
Sunny Stalnaker of ASML to Receive SEMI Sales and Marketing Excellence Award | SEMI
🇳🇱 Тренды. Инвестиции. Спрос на микросхемы ИИ. Нидерланды
В ASML по-прежнему видят поток заказов из-за востребованности ИИ
Крупнейший в мире производитель фотолитографов, нидерландская ASML сообщила о заказах на 4q2024 на сумму $7,39 млрд, что оказалось заметно выше ожиданий. Это связывают с бумом ИИ. Большой поток заказов должен успокоить инвесторов ASML в том, что перспективы ИИ-микросхем остаются хорошими, несмотря на троллинг со стороны Китая, который модель за моделью демонстрирует свои успехи в ИИ при меньших вычислительных мощностях, чем у США.
Запуск DeepSeek, по мнению некоторых людей ставит под сомнение создание гигантских облачных ЦОД – чем занимались Google, Microsoft и Amazon. И, соответственно, их готовность вкладывать инвестиции в чипы ИИ.
Чистая прибыль ASML в 4q2024 при продажах в размере 9,3 млрд евро составила 2,7 млрд евро.
В отрасли пока нет единого мнения о том, как изменяет ситуацию китайские успехи. Владельцам крупных ЦОД и Nvidia еще предстоит сформулировать позицию, которую они представят акционерам.
Рынок США стал крупнейшим рынком для ASML в 4q2024 с долей 28%, что немного больше, чем у Китая. При этом Китай покупал удельно более дешевое оборудование. А США, напротив, больше платили за передовые решения (TSMC покупала оборудование для фаба в Аризоне, Intel – два новых фотолитографа ASML High NA EUV по $400 млн за штуку.
Продажи ASML в Китай снижаются, компания ожидает китайской доли 20% в выручке за 2024 год.
@RUSmicro по материалам Reuters
#тренды
В ASML по-прежнему видят поток заказов из-за востребованности ИИ
Крупнейший в мире производитель фотолитографов, нидерландская ASML сообщила о заказах на 4q2024 на сумму $7,39 млрд, что оказалось заметно выше ожиданий. Это связывают с бумом ИИ. Большой поток заказов должен успокоить инвесторов ASML в том, что перспективы ИИ-микросхем остаются хорошими, несмотря на троллинг со стороны Китая, который модель за моделью демонстрирует свои успехи в ИИ при меньших вычислительных мощностях, чем у США.
Запуск DeepSeek, по мнению некоторых людей ставит под сомнение создание гигантских облачных ЦОД – чем занимались Google, Microsoft и Amazon. И, соответственно, их готовность вкладывать инвестиции в чипы ИИ.
Чистая прибыль ASML в 4q2024 при продажах в размере 9,3 млрд евро составила 2,7 млрд евро.
В отрасли пока нет единого мнения о том, как изменяет ситуацию китайские успехи. Владельцам крупных ЦОД и Nvidia еще предстоит сформулировать позицию, которую они представят акционерам.
Рынок США стал крупнейшим рынком для ASML в 4q2024 с долей 28%, что немного больше, чем у Китая. При этом Китай покупал удельно более дешевое оборудование. А США, напротив, больше платили за передовые решения (TSMC покупала оборудование для фаба в Аризоне, Intel – два новых фотолитографа ASML High NA EUV по $400 млн за штуку.
Продажи ASML в Китай снижаются, компания ожидает китайской доли 20% в выручке за 2024 год.
@RUSmicro по материалам Reuters
#тренды
Reuters
ASML order boom reassures investors after DeepSeek sell off
Top computer chip equipment maker ASML ASML.AS reported fourth-quarter bookings on Wednesday that far exceeded expectations, as a boom in AI drove demand for its most advanced equipment.
📈 Прогнозы. Рынок производственного оборудования. Япония
Неопределенности с китайским рынком заставляют японских вендоров производственного оборудования делать ставку на ИИ
На фоне неопределенности с китайским рынком и сокращения закупок производителями автомобильных микросхем японские вендоры полупроводникового оборудования пересмотрели свой прогноз продаж на 2025 ф. год (апрель 2025 – март 2026). Тем не менее, ожидается, что спрос на передовые микросхемы, особенно на ИИ-микросхемы, приведет к росту продаж на 5% в годовом исчислении в 2025 ф.году.
Японская ассоциация производителей полупроводникового оборудования (SEAJ) опубликовала свой прогноз 16 января, предсказав, что общий доход в 2025 году достигнет приблизительно $30 млрд, что соответствует росту на 5% в годовом исчислении, что менее, чем на 1% меньше, чем прогноз июля 2024 года. То есть перспективы роста остаются сдержанными.
🔸 Растущий спрос со стороны TSMC
TSMC, ключевой клиент для производителей полупроводникового оборудования, прогнозирует капитальные расходы в размере $29,8 млрд в 2024 году с планами увеличения этой цифры до $38-42 млрд в 2025 году, что отражает значительный рост в годовом исчислении – на 27,5-41%.
🔸 Опасения по поводу Китая
SEAJ отметил, что после резкого увеличения инвестиций китайских производителей чипов в 2024 году эти компании, как ожидается, теперь будут больше фокусироваться на увеличении показателей использования, а не на закупке нового оборудования. Кроме того, существуют опасения относительного возможно замедления инвестиций в автомобильные и силовые полупроводники в 2025 году.
🔸 ИИ, как движущая сила будущего роста
Ассоциация сохраняет оптимизм, отмечая, что растущий спрос на чипы ИИ в сочетании с потребностью в высокопроизводительных, маломощных и высокоемких технологиях, как ожидается, подстегнет прогресс в таких технологиях, как GAA, Backside PDN (подача напряжения с нижней части кристалла) и память с большим количеством слоев. Ожидается, что эти инновации будут стимулировать рост инвестиций в передовое оборудование, позиционируя сектор для общего положительного роста.
🔸 Прогноз на 2026 год и устойчивый рост спроса на полупроводники ИИ
Заглядывая в 2026 год, несмотря на экспортные ограничения, ограничивающие поставки передового полупроводникового оборудования Японии, особенно в Китай, и усилия США по ограничению экспорта технологий ИИ в Китай, SEAJ прогнозирует, что доходы от японских производителей полупроводникового оборудования по-прежнему будут расти на 10% в годовом исчислении.
Помимо серверов ИИ, ожидается, что расширяющееся применение ИИ в интеллектуальных устройствах увеличит инвестиции в полупроводники для ПК и смартфонов.
В SEAJ отмечают, что спрос на полупроводники, связанные с ИИ, как ожидается, продолжит расти во всех секторах, и эта тенденция, вероятно, сохранится в среднесрочной и долгосрочной перспективах.
@RUSmicro по материалам DigiTimesAsia
#оборудование #прогнозы
Неопределенности с китайским рынком заставляют японских вендоров производственного оборудования делать ставку на ИИ
На фоне неопределенности с китайским рынком и сокращения закупок производителями автомобильных микросхем японские вендоры полупроводникового оборудования пересмотрели свой прогноз продаж на 2025 ф. год (апрель 2025 – март 2026). Тем не менее, ожидается, что спрос на передовые микросхемы, особенно на ИИ-микросхемы, приведет к росту продаж на 5% в годовом исчислении в 2025 ф.году.
Японская ассоциация производителей полупроводникового оборудования (SEAJ) опубликовала свой прогноз 16 января, предсказав, что общий доход в 2025 году достигнет приблизительно $30 млрд, что соответствует росту на 5% в годовом исчислении, что менее, чем на 1% меньше, чем прогноз июля 2024 года. То есть перспективы роста остаются сдержанными.
🔸 Растущий спрос со стороны TSMC
TSMC, ключевой клиент для производителей полупроводникового оборудования, прогнозирует капитальные расходы в размере $29,8 млрд в 2024 году с планами увеличения этой цифры до $38-42 млрд в 2025 году, что отражает значительный рост в годовом исчислении – на 27,5-41%.
🔸 Опасения по поводу Китая
SEAJ отметил, что после резкого увеличения инвестиций китайских производителей чипов в 2024 году эти компании, как ожидается, теперь будут больше фокусироваться на увеличении показателей использования, а не на закупке нового оборудования. Кроме того, существуют опасения относительного возможно замедления инвестиций в автомобильные и силовые полупроводники в 2025 году.
🔸 ИИ, как движущая сила будущего роста
Ассоциация сохраняет оптимизм, отмечая, что растущий спрос на чипы ИИ в сочетании с потребностью в высокопроизводительных, маломощных и высокоемких технологиях, как ожидается, подстегнет прогресс в таких технологиях, как GAA, Backside PDN (подача напряжения с нижней части кристалла) и память с большим количеством слоев. Ожидается, что эти инновации будут стимулировать рост инвестиций в передовое оборудование, позиционируя сектор для общего положительного роста.
🔸 Прогноз на 2026 год и устойчивый рост спроса на полупроводники ИИ
Заглядывая в 2026 год, несмотря на экспортные ограничения, ограничивающие поставки передового полупроводникового оборудования Японии, особенно в Китай, и усилия США по ограничению экспорта технологий ИИ в Китай, SEAJ прогнозирует, что доходы от японских производителей полупроводникового оборудования по-прежнему будут расти на 10% в годовом исчислении.
Помимо серверов ИИ, ожидается, что расширяющееся применение ИИ в интеллектуальных устройствах увеличит инвестиции в полупроводники для ПК и смартфонов.
В SEAJ отмечают, что спрос на полупроводники, связанные с ИИ, как ожидается, продолжит расти во всех секторах, и эта тенденция, вероятно, сохранится в среднесрочной и долгосрочной перспективах.
@RUSmicro по материалам DigiTimesAsia
#оборудование #прогнозы
🇺🇸 Господдержка. Регулирование. США
В США предлагают ввести налоговые льготы для разработчиков и производителей микросхем
Ассоциация полупроводниковой промышленности (SIA) приветствует представление Палатой представителей США Закона о развитии и исследовании полупроводниковых технологий (STAR), который расширяет раздел 48D Закона о чипах и науке в части Кредитов на инвестиции в передовое производство (AMIC).
Согласно пресс-релизу SIA, AMIC обеспечивает налогоплательщикам, имеющим право на получение налогового кредита в размере до 25% от квалифицированных инвестиций в передовое производственное предприятие по выпуску полупроводников или оборудования для производства полупроводников. Этот раздел работал и до сих пор, но к 2026 году срок его действия должен был завершиться. Закон STAR продлевает его и расширяет действие также на инвестиции в проектирование полупроводников.
Если закон STAR будет одобрен, в США упростится финансирование исследования в области передовых микросхем, которые ведут, например, Arm и Nvidia.
Интересный ход, особенно после критики Трампом Закона о чипах и науке. Некоторые ожидали даже отмены этого закона после вступления Трампа в должность. Но, похоже, администрация Трампа в этой сфере не собирается ломать то, что выстраивала прежняя администрация. Впрочем, давайте подождем одобрения инициативы STAR.
Если это изменение будет одобрено, это даст новый импульс развитию полупроводникового производства в США, вплоть до потенциальной возможности принятия в дальнейшем Закона о чипах и науке – 2.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#господдержка #регулирование
В США предлагают ввести налоговые льготы для разработчиков и производителей микросхем
Ассоциация полупроводниковой промышленности (SIA) приветствует представление Палатой представителей США Закона о развитии и исследовании полупроводниковых технологий (STAR), который расширяет раздел 48D Закона о чипах и науке в части Кредитов на инвестиции в передовое производство (AMIC).
Согласно пресс-релизу SIA, AMIC обеспечивает налогоплательщикам, имеющим право на получение налогового кредита в размере до 25% от квалифицированных инвестиций в передовое производственное предприятие по выпуску полупроводников или оборудования для производства полупроводников. Этот раздел работал и до сих пор, но к 2026 году срок его действия должен был завершиться. Закон STAR продлевает его и расширяет действие также на инвестиции в проектирование полупроводников.
Если закон STAR будет одобрен, в США упростится финансирование исследования в области передовых микросхем, которые ведут, например, Arm и Nvidia.
Интересный ход, особенно после критики Трампом Закона о чипах и науке. Некоторые ожидали даже отмены этого закона после вступления Трампа в должность. Но, похоже, администрация Трампа в этой сфере не собирается ломать то, что выстраивала прежняя администрация. Впрочем, давайте подождем одобрения инициативы STAR.
Если это изменение будет одобрено, это даст новый импульс развитию полупроводникового производства в США, вплоть до потенциальной возможности принятия в дальнейшем Закона о чипах и науке – 2.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#господдержка #регулирование
Tom's Hardware
US introduces act to add tax credits for chip designers, extends credits for chip production, too
This act could encourage chip designers to expand in the U.S.
🇪🇺 Участники рынка. Микросхемы для автопрома и промпроизводства. Европа
Прогноз франко-итальянской STMicro на 1q2025 огорчил аналитиков
Выручка компании в 1q2025 снизится примерно до $2.51 млрд (при среднем ожидании $2.73 млрд). Это отражает негативные тенденции в отрасли, прежде всего, слабый спрос в промышленном и автомобильных секторах.
STMicro отреагирует на это, в том числе, досрочной отправкой на пенсию части сотрудников, а также продолжит анонсированную в октябре 2024 года программу сокращения затрат (ожидаемая экономия $300-360 млн ежегодно до 2027года) и намерена сократить капзатраты до $2-2.3 млрд (против 2,53 млрд в 2024 году).
В 1q2025 компания может впервые за 9 лет понести убытки, если не сократит операционные расходы.
STMicro концентрируется на устаревающих чипах – этот рынок практически не затронул бум спроса на ИИ-чипы. Избыток запасов чипов для промышленного применения, автомобилей и смартфонов пока не показывает тренда к сокращению. Конкурент STMicro, американская Texas Instruments неделей ранее также представил разочаровывающий прогноз, ссылаясь на вялый спрос и рост производственных затрат.
Компания STMicro воздержалась от прогноза по выручке на 2025 год, что является негативным сигналом.
Еще одним негативным фактором является растущая конкуренция с американскими компаниями (On Semi и TI) и китайскими производителями, которая может еще более усложнить жизнь для STMicro.
@RUSmicro по материалам Bloomberg Intelligence
#промышленные #автомобильные
Прогноз франко-итальянской STMicro на 1q2025 огорчил аналитиков
Выручка компании в 1q2025 снизится примерно до $2.51 млрд (при среднем ожидании $2.73 млрд). Это отражает негативные тенденции в отрасли, прежде всего, слабый спрос в промышленном и автомобильных секторах.
STMicro отреагирует на это, в том числе, досрочной отправкой на пенсию части сотрудников, а также продолжит анонсированную в октябре 2024 года программу сокращения затрат (ожидаемая экономия $300-360 млн ежегодно до 2027года) и намерена сократить капзатраты до $2-2.3 млрд (против 2,53 млрд в 2024 году).
В 1q2025 компания может впервые за 9 лет понести убытки, если не сократит операционные расходы.
STMicro концентрируется на устаревающих чипах – этот рынок практически не затронул бум спроса на ИИ-чипы. Избыток запасов чипов для промышленного применения, автомобилей и смартфонов пока не показывает тренда к сокращению. Конкурент STMicro, американская Texas Instruments неделей ранее также представил разочаровывающий прогноз, ссылаясь на вялый спрос и рост производственных затрат.
Компания STMicro воздержалась от прогноза по выручке на 2025 год, что является негативным сигналом.
Еще одним негативным фактором является растущая конкуренция с американскими компаниями (On Semi и TI) и китайскими производителями, которая может еще более усложнить жизнь для STMicro.
@RUSmicro по материалам Bloomberg Intelligence
#промышленные #автомобильные
Bloomberg.com
STMicro Plunges to Lowest Since 2020 on Weak Revenue Guidance
STMicroelectronics NV shares plunged to the lowest level since 2020 after the Franco-Italian chipmaker forecast first-quarter revenue that missed analysts’ expectations due to weak demand in the industrial and auto sectors.
📈 Тренды. Современная упаковка
Тренды: инвестиции в производства, занимающиеся передовой упаковкой
🔸 GlobalFoundries в США
Компания объявила (коротко мы об этом уже говорили) о планах по строительству центра усовершенствованной упаковки и фотоники на своем предприятии по производству полупроводниковых структур на пластинах в Мальте, штат Нью-Йорк, США.
Это позволит компании запустить сборку и тестирование микросхем кремниевой фотоники. Центр будет использовать передовые платформы, такие как 12LP+, 22FDX и другие для поддержки усовершенствованных методов упаковки, соединения пластин, сборки и тестирования 3D и гетерогенных ИС.
Общий объем инвестирования оценивается в $575 млн, а в течение следующего десятилетия ожидается дополнительно $186 млн на расходы на НИОКР. Правительство штата Нью-Йорк выделит $20 млн.
Кроме того, компания получила прямой грант на $1.5 млрд от Минторга США (в рамках Байденовского Закона о чипах) и кредиты в размере $1,6 млрд от Минторга США.
TSMC на Тайване
TSMC планирует построить два завода по упаковке и корпусированию CoWoS (Chip on Wafer on Subsstrate) в Тайнаньском научном парке, фаза III, чтобы удовлетворить растущий спрос на усовершенствованные мощности в области упаковки. Предполагаемые инвестиции в эти новые объекты превышают 200 миллиардов тайваньских долларов.
Включая строящийся в настоящее время завод CoWoS в научном парке Чжунань, TSMC, как ожидается, расширит в краткосрочной перспективе до 8 предприятий CoWoS, 6 из которых будут расположены в научном парке Тайнань.
Господдержка США
17 января Минторг США объявил о значительных инвестициях в рамках Национальной программы усовершенствованного производства упаковки (NAPMP) Закона о чипах. Выделено $1.4 млрд в виде стимулов для поддержки возможностей усовершенствованного производства упаковки в США.
Минторг выделит $300 млн компаниям Absolics, Applied Materials и Университету штата Аризона на передовые исследования подложек и материалов.
Кроме того, Минторг США объявил о выделении $1,1 млрд на финансирование NatCast для эксплуатации возможностей усовершенствованной упаковки на опытном заводе по производству чипов в рамках программы Chips for Americans NSTC и пилотном заводе по усовершенствованной упаковке (PPF) NAPMP.
--
Все эти факты – свидетельства в пользу важности такой темы, как современная упаковка, передовые технологические предприятия уделяют ей не меньшее внимание, чем разработкам перспективных техпроцессов. Это внимание подтверждается инвестициями. Среди мотивов – то, что эти методы отвечают концепции MtM (More than Moore – Больше, чем Мур, то есть достижение больших результатов в более широком диапазоне, чем изложено в законе Мура).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#упаковка
Тренды: инвестиции в производства, занимающиеся передовой упаковкой
🔸 GlobalFoundries в США
Компания объявила (коротко мы об этом уже говорили) о планах по строительству центра усовершенствованной упаковки и фотоники на своем предприятии по производству полупроводниковых структур на пластинах в Мальте, штат Нью-Йорк, США.
Это позволит компании запустить сборку и тестирование микросхем кремниевой фотоники. Центр будет использовать передовые платформы, такие как 12LP+, 22FDX и другие для поддержки усовершенствованных методов упаковки, соединения пластин, сборки и тестирования 3D и гетерогенных ИС.
Общий объем инвестирования оценивается в $575 млн, а в течение следующего десятилетия ожидается дополнительно $186 млн на расходы на НИОКР. Правительство штата Нью-Йорк выделит $20 млн.
Кроме того, компания получила прямой грант на $1.5 млрд от Минторга США (в рамках Байденовского Закона о чипах) и кредиты в размере $1,6 млрд от Минторга США.
TSMC на Тайване
TSMC планирует построить два завода по упаковке и корпусированию CoWoS (Chip on Wafer on Subsstrate) в Тайнаньском научном парке, фаза III, чтобы удовлетворить растущий спрос на усовершенствованные мощности в области упаковки. Предполагаемые инвестиции в эти новые объекты превышают 200 миллиардов тайваньских долларов.
Включая строящийся в настоящее время завод CoWoS в научном парке Чжунань, TSMC, как ожидается, расширит в краткосрочной перспективе до 8 предприятий CoWoS, 6 из которых будут расположены в научном парке Тайнань.
Господдержка США
17 января Минторг США объявил о значительных инвестициях в рамках Национальной программы усовершенствованного производства упаковки (NAPMP) Закона о чипах. Выделено $1.4 млрд в виде стимулов для поддержки возможностей усовершенствованного производства упаковки в США.
Минторг выделит $300 млн компаниям Absolics, Applied Materials и Университету штата Аризона на передовые исследования подложек и материалов.
Кроме того, Минторг США объявил о выделении $1,1 млрд на финансирование NatCast для эксплуатации возможностей усовершенствованной упаковки на опытном заводе по производству чипов в рамках программы Chips for Americans NSTC и пилотном заводе по усовершенствованной упаковке (PPF) NAPMP.
--
Все эти факты – свидетельства в пользу важности такой темы, как современная упаковка, передовые технологические предприятия уделяют ей не меньшее внимание, чем разработкам перспективных техпроцессов. Это внимание подтверждается инвестициями. Среди мотивов – то, что эти методы отвечают концепции MtM (More than Moore – Больше, чем Мур, то есть достижение больших результатов в более широком диапазоне, чем изложено в законе Мура).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#упаковка
[News] Major Foundries Invest USD 575 million in Capacity Expansion | TrendForce News
Recently, leading foundries GlobalFoundries and TSMC have both ramped up efforts in advanced packaging, while the U.S. Department of Commerce has incr...
🔬 Разработки. Диссертации. Силовые транзисторы. СИТ. Россия
На сайте НГТУ опубликована докторская диссертация Юрия Николаевича Максименко "Мощные полупроводниковые приборы со статической индукцией".
Транзисторы со статической индукцией (СИТ) появились в конце 70-х - начале 80-х, они обладали рядом достоинств по сравнению с другими силовыми транзисторами, полевыми и биполярными.
В 80-е годы в ОКБ при НЭВЗ (Новосибирском электровакуумном заводе) была создана серия приборов с рабочими напряжениями от 50 до 1200 В и токами до 30А с нормально открытыми и нормально закрытыми каналами. В дальнейшем, после реорганизации новосибирских электронных заводов в НПО Адрон, направление силовых приборов на НЭВЗ было остановлено.
Технологию передали в Александровский АЗПП, где изменили переданные базовые конструкции из-за чего выпускаемые приборы получили пониженное быстродействие, стали уступать IGBT и даже биполярным транзисторам.
В последние годы распространение получают приборы SiC и GaN, превосходящие полевые МДП-транзисторы на Si и IGBT, но уступающие по быстродействию и сопротивлению канала в открытом состоянии СИТ, разработанным в ОКБ при НЭВЗ.
В этих условиях актуально вновь обратить внимание на СИТ с их высоким потенциалом. В рамках данной диссертации приводятся результаты исследований выявленных проблем с задержкой включения СИТ, разработанные физико-математические модели, а также разработанные новые конструкции СИТ с более высокими характеристиками, в частности, с повышенным быстродействием, с повышенным в 2-3 раза коэффициентом усиления по току.
Разработаны конструкции новых приборов: прибор с N-образной характеристикой, СИТ с антипараллельным быстродействующим диодом на одном кристалле, конструкция составного СИТ, конструкция СИТ и ТЭУ с гетероистоком и гетерокатодом, конструкция и технология ТЭУ с полевым управлением.
Разработаны оригинальные схемы управления приборов со статической индукцией с нормально открытым каналом для усилителей мощности звуковыхчастот и вторичных источников электропитания.
Звучит интересно? На мой взгляд, стоит обратить внимание - возможность развивать силовые приборы на основе привычных кремниевых технологий, это ценная возможность.
Ссылка на текст диссертации: https://www.nstu.ru/files/dissertations/1735046799dissertaciya_maksimenko_yu.n.__itog_2_173504918461.pdf
@RUSmicro
#силовые #СИТ
На сайте НГТУ опубликована докторская диссертация Юрия Николаевича Максименко "Мощные полупроводниковые приборы со статической индукцией".
Транзисторы со статической индукцией (СИТ) появились в конце 70-х - начале 80-х, они обладали рядом достоинств по сравнению с другими силовыми транзисторами, полевыми и биполярными.
В 80-е годы в ОКБ при НЭВЗ (Новосибирском электровакуумном заводе) была создана серия приборов с рабочими напряжениями от 50 до 1200 В и токами до 30А с нормально открытыми и нормально закрытыми каналами. В дальнейшем, после реорганизации новосибирских электронных заводов в НПО Адрон, направление силовых приборов на НЭВЗ было остановлено.
Технологию передали в Александровский АЗПП, где изменили переданные базовые конструкции из-за чего выпускаемые приборы получили пониженное быстродействие, стали уступать IGBT и даже биполярным транзисторам.
В последние годы распространение получают приборы SiC и GaN, превосходящие полевые МДП-транзисторы на Si и IGBT, но уступающие по быстродействию и сопротивлению канала в открытом состоянии СИТ, разработанным в ОКБ при НЭВЗ.
В этих условиях актуально вновь обратить внимание на СИТ с их высоким потенциалом. В рамках данной диссертации приводятся результаты исследований выявленных проблем с задержкой включения СИТ, разработанные физико-математические модели, а также разработанные новые конструкции СИТ с более высокими характеристиками, в частности, с повышенным быстродействием, с повышенным в 2-3 раза коэффициентом усиления по току.
Разработаны конструкции новых приборов: прибор с N-образной характеристикой, СИТ с антипараллельным быстродействующим диодом на одном кристалле, конструкция составного СИТ, конструкция СИТ и ТЭУ с гетероистоком и гетерокатодом, конструкция и технология ТЭУ с полевым управлением.
Разработаны оригинальные схемы управления приборов со статической индукцией с нормально открытым каналом для усилителей мощности звуковыхчастот и вторичных источников электропитания.
Звучит интересно? На мой взгляд, стоит обратить внимание - возможность развивать силовые приборы на основе привычных кремниевых технологий, это ценная возможность.
Ссылка на текст диссертации: https://www.nstu.ru/files/dissertations/1735046799dissertaciya_maksimenko_yu.n.__itog_2_173504918461.pdf
@RUSmicro
#силовые #СИТ
🇷🇺 Господдержка. Госконтроль. Россия
Минпромторг выделил 300 млн рублей на проверку расходования госсубсидий, выданных различным предприятиям, включая те, что заняты созданием оборудования для производства микроэлектроники (речь идет, думаю, более, чем о сотнях организаций, так что сумма отнюдь не выглядит какой-то гигантской). Проверки будут комплексными, в том числе выездными и пройдут в период до 15 декабря 2026.
В РФ запланировано провести 110 ОКР по импортзамещению около 70% оборудования и материалов для производства микроэлектроники к 2030 году. Бюджет обещает суммарную поддержку >240 млрд.
67 ОКР уже идут, в 2025-2026 году стартуют еще 43.
Планируется разработать оборудование для производства микроэлектроники (от 180нм до 28нм), СВЧ электроники, фотоники, силовой электроники, фотошаблонов, пассивных компонентов, упаковку и корпусирование.
Планируется к созданию, типов установок:
▫️13 - плазмохимических
▫️10 - для фотолитографии
▫️9 - для упаковки и корпусирования
▫️8 - для производства фотошаблонов,
▫️8 - для эпитаксии
▫️7 - для производства пластин
Кроме того, Минпромторг выделил более 2 млрд руб. на освоение российского производства материалов, необходимых в производстве микросхем.
@RUSmicro по материалам CNews
#господдержка #госконтроль
Минпромторг выделил 300 млн рублей на проверку расходования госсубсидий, выданных различным предприятиям, включая те, что заняты созданием оборудования для производства микроэлектроники (речь идет, думаю, более, чем о сотнях организаций, так что сумма отнюдь не выглядит какой-то гигантской). Проверки будут комплексными, в том числе выездными и пройдут в период до 15 декабря 2026.
В РФ запланировано провести 110 ОКР по импортзамещению около 70% оборудования и материалов для производства микроэлектроники к 2030 году. Бюджет обещает суммарную поддержку >240 млрд.
67 ОКР уже идут, в 2025-2026 году стартуют еще 43.
Планируется разработать оборудование для производства микроэлектроники (от 180нм до 28нм), СВЧ электроники, фотоники, силовой электроники, фотошаблонов, пассивных компонентов, упаковку и корпусирование.
Планируется к созданию, типов установок:
▫️13 - плазмохимических
▫️10 - для фотолитографии
▫️9 - для упаковки и корпусирования
▫️8 - для производства фотошаблонов,
▫️8 - для эпитаксии
▫️7 - для производства пластин
Кроме того, Минпромторг выделил более 2 млрд руб. на освоение российского производства материалов, необходимых в производстве микросхем.
@RUSmicro по материалам CNews
#господдержка #госконтроль
CNews.ru
Власти заказали проверку госсубсидий на создание российского литографа - CNews
Минпромторг отдаст 300 млн руб. за проверку хода работ создания материалов и оборудования для производства микроэлектроники....
🔬 Наука. Фотоника. Интегральная оптика. Поляритоны. Россия
Интегральная оптика – за пределами кремниевой фотоники
В Сколтехе (Центр фотонных наук и инженерии) и ИТМО показали возможность управляемого излучения поляритонов при комнатной температуре, используя кристаллы перовскита CsPbBr3, - об этом рассказывает SecurityLab.
Поляритоны – гибридные частицы света и вещества, они возникают при сильном взаимодействии фотонов с экситонами. Ранее поляритоны удавалось получить либо при криогенных температурах, либо в органических полимерах – то и другое ограничивало возможности их применения.
Российские ученые экспериментировали с неорганическим перовскитом CsPbBr3 и сумели при комнатной температуре получить перестраиваемое излучение поляритонов в зеленой части спектра – длина волны изменялась более чем на 23нм за счет изменений длины микрорезонатора.
В теории это может обеспечить возможность создания высокоскоростных полностью оптических логических устройств на основе поляритонов.
@RUSmicro
#интегральнаяоптика #фотоника #поляритоны
Интегральная оптика – за пределами кремниевой фотоники
В Сколтехе (Центр фотонных наук и инженерии) и ИТМО показали возможность управляемого излучения поляритонов при комнатной температуре, используя кристаллы перовскита CsPbBr3, - об этом рассказывает SecurityLab.
Поляритоны – гибридные частицы света и вещества, они возникают при сильном взаимодействии фотонов с экситонами. Ранее поляритоны удавалось получить либо при криогенных температурах, либо в органических полимерах – то и другое ограничивало возможности их применения.
Российские ученые экспериментировали с неорганическим перовскитом CsPbBr3 и сумели при комнатной температуре получить перестраиваемое излучение поляритонов в зеленой части спектра – длина волны изменялась более чем на 23нм за счет изменений длины микрорезонатора.
В теории это может обеспечить возможность создания высокоскоростных полностью оптических логических устройств на основе поляритонов.
@RUSmicro
#интегральнаяоптика #фотоника #поляритоны
SecurityLab.ru
"Жидкий свет" для микрочипов: российские ученые создали управляемые поляритоны
Новый метод генерации поляритонов может перевернуть представления об интегральной оптике.
🇨🇳 Память. Технологии. Flash. Китай
YMTC обогнала Micron и Kioxia и приблизилась к Samsung по числу слоев в чипах флеш-памяти
Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, уверены в Techinsights на данные которых ссылается South China Morning Post.
В коммерчески доступном твердотельном устройстве хранения данных ZhiTai TiPro9000 обнаружились чипы 3D NAND, созданные по техпроцесссу Xtacking4.0 YMTC. Это чип «двухэтажной структуры» - нижний со 150 затворами и верхний со 144. В сумме – 294 затвора. Пластины этажей соединены «гибридным бондингом», когда между двумя поверхностями образуются как металлические, так и диэлектрические связи. Этот метод снижает паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, лучше и тепловые параметры микросхемы.
В 2024 году YMTC уже использовала технологию Xtacking4.0, создав продукт в 160-слоев с 180-ю вентилями.
Новый продукт повышает плотность хранения до более чем 20 Гбит на кв.мм (возможно, это отраслевой рекорд)! В Techinsight думают, что дизайн содержит около 270 активных слоев памяти.
Какие выводы?
США не удается остановить китайский прогресс в технологиях микроэлектроники – без санкций китайцы, возможно, двигались бы еще быстрее, но они прогрессируют и без этого.
SK Hynix уже сообщала в 2024 году о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году. Samsung заявляла о 280 слоях. Так что корейцы пока недосягаемы. Американская Micron с ее 232 слоями и японская Kioxia с 218 слоями, возможно, попадают в число отстающих. Впрочем, посмотрим, не будет ли от них обновлений информации в ближайшие недели.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
#память #слои #технологии
YMTC обогнала Micron и Kioxia и приблизилась к Samsung по числу слоев в чипах флеш-памяти
Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, уверены в Techinsights на данные которых ссылается South China Morning Post.
В коммерчески доступном твердотельном устройстве хранения данных ZhiTai TiPro9000 обнаружились чипы 3D NAND, созданные по техпроцесссу Xtacking4.0 YMTC. Это чип «двухэтажной структуры» - нижний со 150 затворами и верхний со 144. В сумме – 294 затвора. Пластины этажей соединены «гибридным бондингом», когда между двумя поверхностями образуются как металлические, так и диэлектрические связи. Этот метод снижает паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, лучше и тепловые параметры микросхемы.
В 2024 году YMTC уже использовала технологию Xtacking4.0, создав продукт в 160-слоев с 180-ю вентилями.
Новый продукт повышает плотность хранения до более чем 20 Гбит на кв.мм (возможно, это отраслевой рекорд)! В Techinsight думают, что дизайн содержит около 270 активных слоев памяти.
Какие выводы?
США не удается остановить китайский прогресс в технологиях микроэлектроники – без санкций китайцы, возможно, двигались бы еще быстрее, но они прогрессируют и без этого.
SK Hynix уже сообщала в 2024 году о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году. Samsung заявляла о 280 слоях. Так что корейцы пока недосягаемы. Американская Micron с ее 232 слоями и японская Kioxia с 218 слоями, возможно, попадают в число отстающих. Впрочем, посмотрим, не будет ли от них обновлений информации в ближайшие недели.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
#память #слои #технологии
South China Morning Post
China’s top memory chip maker again defies US sanctions with design breakthrough
Yangtze Memory Technologies Corporation is integrating a new design into chips with 294 gates, research firm finds.
🇨🇳 Память. Технологии. DRAM. Китай
Китайские микросхемы DDR5 от CXMT – не самые технологичные, но спрос находят.
В Китае на кристаллах CXMT уже выпускают линейки оперативной памяти DDR5, например, комплект Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) – его исследовали в TechInsights, а рассказывают об этом в 3dnews.
В планках Gloway стоят микросхемы CXMT с чипами памяти 8,19 х 8,18 мм, площадью, соответственно, 67 кв.мм. Плотность памяти – 0,239 Гбит/кв.мм. Кристалл изготавливают по технологии CXMT G4 (площадь ячейки – 0,002 кв.мм). Шаг ячейки – 29,8; 41,7 и 47.9 нм для активной линии, worldline и bitline, что напоминает о DDR5 других передовых производителей образца 2021 года.
Выход годных у CXMT – высокий, 80%.
Конкуренты, то есть Samsung, SK Hynix и Micron сейчас работают по техпроцессам 12-14нм, причем с использованием фотолитографов EUV, недоступных в Китае из-за санкций США.
Тем не менее в CXMT планируют двигаться дальше, в частности, к технологиям менее 15нм, выпускать чипы по которой попробуют без EUV. Идет подготовка и к выпуску микросхем HBM.
@RUSmicro
#DDR5 #DRAM #память
Китайские микросхемы DDR5 от CXMT – не самые технологичные, но спрос находят.
В Китае на кристаллах CXMT уже выпускают линейки оперативной памяти DDR5, например, комплект Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) – его исследовали в TechInsights, а рассказывают об этом в 3dnews.
В планках Gloway стоят микросхемы CXMT с чипами памяти 8,19 х 8,18 мм, площадью, соответственно, 67 кв.мм. Плотность памяти – 0,239 Гбит/кв.мм. Кристалл изготавливают по технологии CXMT G4 (площадь ячейки – 0,002 кв.мм). Шаг ячейки – 29,8; 41,7 и 47.9 нм для активной линии, worldline и bitline, что напоминает о DDR5 других передовых производителей образца 2021 года.
Выход годных у CXMT – высокий, 80%.
Конкуренты, то есть Samsung, SK Hynix и Micron сейчас работают по техпроцессам 12-14нм, причем с использованием фотолитографов EUV, недоступных в Китае из-за санкций США.
Тем не менее в CXMT планируют двигаться дальше, в частности, к технологиям менее 15нм, выпускать чипы по которой попробуют без EUV. Идет подготовка и к выпуску микросхем HBM.
@RUSmicro
#DDR5 #DRAM #память
3DNews - Daily Digital Digest
DDR5 на китайских чипах рвётся на рынок — они слегка уступают чипам SK hynix и Samsung, но стоят дешевле
Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) недавно наладил массовое производство чипов DDR5.
Forwarded from Телекоммуналка
Развал социалистической микроэлектроники.
В прошлый раз, обсуждая преодоление технологических барьеров Советами, ссылаясь на данные разведки США, мы упоминали, что ключевую роль играли страны СЭВ, в частности ГДР. Логистическая цепочка дизайн-центров, НИИ и предприятий была разорвана в конце 80-х начале 90-х не только в контуре стран соцлагеря, но и внутри страны.
Перед вами карта производственно-конструкторских мощностей советской микроэлектронной промышленности. После развала СССР, за границей осталась половина ключевых производственных площадок и научных центров: Киев, Луганск, Вильнюс, Рига, Тбилиси, Ереван, а также Минск, Гомель и Витебск.
По различным данным, в СССР насчитывалось 42 ключевых предприятия, занимающихся НИОКР, выпуском технологического оборудования, в том числе за счет реверс-инжиниринга и адаптации зарубежных образцов. Все они подчинялись Министерству электронной промышленности.
Объём работ по проектированию и производству охватывал весь цикл изготовления ИС: от выращивания кристаллов до автоматизированного тестирования отдельных приборов. Согласно анализу, к важнейшим организациям, занимающимся разработкой и копированием образцов оборудования, относились:
• КБ точного электронного машиностроения (КБТЭМ), Минск;
• Рижский опытный завод технологической оснастки (РОЗТО), Рига;
• Вильнюсское конструкторское бюро (НИИ «Вента»), Вильнюс;
• Опытный завод полупроводникового машиностроения «Электронмаш», Минск;
• Электротехнический институт имени Ульянова (ЛЭТИ), Ленинград;
• Центральное КБ при заводе полупроводниковых приборов (НИИЭТ), Воронеж;
• НИИ по разработке оборудования для микроэлектроники (НИИМЭ), Зеленоград;
• НИИ точного машиностроения (НИИТМ), Зеленоград;
• Завод полупроводникового машиностроения, Москва.
Большое внимание ЦРУ уделило рижскому РОЗТО и минскому КБТЭМ. Рижский опытный завод технологической оснастки — одно из крупнейших предприятий СССР по производству испытательного оборудования для интегральных схем. Создан в 1966 году, с начала 1970-х подчиняется НПО «Планар» при МЭП. На заводе работало около 5000 человек, а проектирование велось собственным особым КБ и КБТЭМ (Минск). У РОЗТО было три филиала: в Фурманове, Выборге и Новоржеве, где велись заготовительные работы, а окончательная сборка оборудования осуществляется в Риге.
С 1970 года завод выпускал в основном оборудование для производства и тестирования ИС, включая лазерные интерферометры, автоматические пробники серии «Зонд» и микросварочные системы «Океан», «Планар» и «Орион». Производство было ориентировано на обеспечение около 200 заводов в СССР и странах СЭВ.
Завод тесно сотрудничал с минским КБТЭМ, ключевой особенностью которого было производство фотолитографического оборудования, устройств для разделения пластин, машин для сварки и упаковки микросхем, а также автоматические пробников для тестирования ИС. Серийное производство разработок КБТЭМ осуществлялось не только на РОЗТО, но и на предприятиях «Планара» в Витебске и Горьком, НИИ микроэлектроники в Ереване, НПО «Кристалл» в Киеве, а также на «Микрон» и «Ангстрем» в Зеленограде и полупроводниковый завод в Воронеже.
#начердакеЛэнгли
В прошлый раз, обсуждая преодоление технологических барьеров Советами, ссылаясь на данные разведки США, мы упоминали, что ключевую роль играли страны СЭВ, в частности ГДР. Логистическая цепочка дизайн-центров, НИИ и предприятий была разорвана в конце 80-х начале 90-х не только в контуре стран соцлагеря, но и внутри страны.
Перед вами карта производственно-конструкторских мощностей советской микроэлектронной промышленности. После развала СССР, за границей осталась половина ключевых производственных площадок и научных центров: Киев, Луганск, Вильнюс, Рига, Тбилиси, Ереван, а также Минск, Гомель и Витебск.
По различным данным, в СССР насчитывалось 42 ключевых предприятия, занимающихся НИОКР, выпуском технологического оборудования, в том числе за счет реверс-инжиниринга и адаптации зарубежных образцов. Все они подчинялись Министерству электронной промышленности.
Объём работ по проектированию и производству охватывал весь цикл изготовления ИС: от выращивания кристаллов до автоматизированного тестирования отдельных приборов. Согласно анализу, к важнейшим организациям, занимающимся разработкой и копированием образцов оборудования, относились:
• КБ точного электронного машиностроения (КБТЭМ), Минск;
• Рижский опытный завод технологической оснастки (РОЗТО), Рига;
• Вильнюсское конструкторское бюро (НИИ «Вента»), Вильнюс;
• Опытный завод полупроводникового машиностроения «Электронмаш», Минск;
• Электротехнический институт имени Ульянова (ЛЭТИ), Ленинград;
• Центральное КБ при заводе полупроводниковых приборов (НИИЭТ), Воронеж;
• НИИ по разработке оборудования для микроэлектроники (НИИМЭ), Зеленоград;
• НИИ точного машиностроения (НИИТМ), Зеленоград;
• Завод полупроводникового машиностроения, Москва.
Большое внимание ЦРУ уделило рижскому РОЗТО и минскому КБТЭМ. Рижский опытный завод технологической оснастки — одно из крупнейших предприятий СССР по производству испытательного оборудования для интегральных схем. Создан в 1966 году, с начала 1970-х подчиняется НПО «Планар» при МЭП. На заводе работало около 5000 человек, а проектирование велось собственным особым КБ и КБТЭМ (Минск). У РОЗТО было три филиала: в Фурманове, Выборге и Новоржеве, где велись заготовительные работы, а окончательная сборка оборудования осуществляется в Риге.
С 1970 года завод выпускал в основном оборудование для производства и тестирования ИС, включая лазерные интерферометры, автоматические пробники серии «Зонд» и микросварочные системы «Океан», «Планар» и «Орион». Производство было ориентировано на обеспечение около 200 заводов в СССР и странах СЭВ.
Завод тесно сотрудничал с минским КБТЭМ, ключевой особенностью которого было производство фотолитографического оборудования, устройств для разделения пластин, машин для сварки и упаковки микросхем, а также автоматические пробников для тестирования ИС. Серийное производство разработок КБТЭМ осуществлялось не только на РОЗТО, но и на предприятиях «Планара» в Витебске и Горьком, НИИ микроэлектроники в Ереване, НПО «Кристалл» в Киеве, а также на «Микрон» и «Ангстрем» в Зеленограде и полупроводниковый завод в Воронеже.
#начердакеЛэнгли
🇸🇬 Геополитика и микроэлектроника. Сингапур
В США огорчены успехами Китая в области ИИ, которые наглядно продемонстрировала DeepSeek (вы оценили шутку ИА Панорамы, которая пошла гулять по официальным источникам?)
И ищут "виновных". В частности, возникли вопросы у Белого дома и ФБР к Сингапуру.
Сингапур известен тем, что поставки чипов Nvidia в эту страну обеспечили 20% выручки Nvidia. При этом, мы не знаем о каких-либо крупных ИИ проектах в Сингапуре. Несложно предположить, что эта страна стала "перевалочным хабом" для значимой части чипов Nvidia.
Это не значит, что все эти чипы ушли в Китай, расчеты могут идти через Сингапур, а физические поставки могут идти без участия Сингапура. Но нельзя исключить и того, что какая-то часть чипов _могла_ через какую-то цепочку поставки попасть и в Ханьчжоу, где DeepSeek обучала свою R1.
Вчера, 1 февраля, правительство Сингапура уже объявила об "усилении сотрудничества с американскими правоохранителями" после появления информации о возможном рээкспорте процессоров Nvidia в Китай через посредников.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
#геополитика
В США огорчены успехами Китая в области ИИ, которые наглядно продемонстрировала DeepSeek (вы оценили шутку ИА Панорамы, которая пошла гулять по официальным источникам?)
И ищут "виновных". В частности, возникли вопросы у Белого дома и ФБР к Сингапуру.
Сингапур известен тем, что поставки чипов Nvidia в эту страну обеспечили 20% выручки Nvidia. При этом, мы не знаем о каких-либо крупных ИИ проектах в Сингапуре. Несложно предположить, что эта страна стала "перевалочным хабом" для значимой части чипов Nvidia.
Это не значит, что все эти чипы ушли в Китай, расчеты могут идти через Сингапур, а физические поставки могут идти без участия Сингапура. Но нельзя исключить и того, что какая-то часть чипов _могла_ через какую-то цепочку поставки попасть и в Ханьчжоу, где DeepSeek обучала свою R1.
Вчера, 1 февраля, правительство Сингапура уже объявила об "усилении сотрудничества с американскими правоохранителями" после появления информации о возможном рээкспорте процессоров Nvidia в Китай через посредников.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
#геополитика
Bloomberg.com
US Probing If DeepSeek Got Nvidia Chips From Firms in Singapore
US officials are probing whether Chinese AI startup DeepSeek bought advanced Nvidia Corp. semiconductors through third parties in Singapore, circumventing US restrictions on sales of chips used for artificial intelligence tasks, people familiar with the matter…