Telegram Web
❇️ مجموعه "کهربا سوئیچینگ" چندین سال است که به صورت تخصصی در زمینه‌ی مبدل‌های الکترونیک قدرت و سیم پیچی و مهندسی معکوس انواع مبدل‌ها و ترانسفورماتورهای فرکانس بالا فعالیت می‌کند؛

انواع مبدل‌ از جمله (منبع تغذیه سوئیچینگ، اینورتر، درایور ال‌ ای دی، باتری شارژر و...) با توجه به نیاز شما طراحی شده و به تولید می رسد، همچنین ترانسفورماتور یا چوک (فریت) مورد نیاز شما محاسبه، طراحی و تولید می‌شود.

بعضی از نمونه کارهای این شرکت را در پیج اینستاگرام زیر میتوانید مشاهده کنید:

اینستاگرام کهربا سوئیچینگ: kahroba_switching

#سلف
#ترانس_سوئیچینگ


⚡️ @UTPowerElec
☑️ وبینار رایگان مسیر رشد در مهندسی برق
(تجربه موفقیت مهندس مکی در ایران و آلمان)


در
این وبینار که از سری وبینارهای نیراگپ به‌شمار می‌رود، مهندس احسان مجیدی، مدیرعامل شرکت نیراسیستم، میزبان مهندس پیمان مکی، کارشناس امبدد سیستم شرکت T&S آلمان خواهند بود و در مورد مسیر موفقیت ایشان در زمینه مهندسی برق در دو کشور ایران و آلمان به گفت‌وگو خواهند پرداخت.



📆 یکشنبه 15 بهمن ماه _ ساعت 21



👈🏻 لینک تهیه بلیت رایگان شما:
🌐 https://eseminar.tv/wb133669


مشاوره:
@nirahelp



❇️ این وبینار رایگان رو به دوستانتان معرفی کنید

⚡️ @UTPowerElec
درود بر ایران و ایرانی ❤️🇮🇷🇮🇷🇮🇷


⚡️ @UTPowerElec
❇️ روش های اندازه گیری جریان در الکترونیک قدرت

#سنسور
#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
#درایو


⚡️ @UTPowerElec
ولادت با سعادت امام حسین (ع) و حضرت ابوالفضل (ع) مبارک 🌸🌷.

#مناسبت
⚡️ @UTPowerElec
❇️ کلیدهای IGBT جدید مبتنی بر فناوری SiC


#فناوری_WBG
#کلیدهای_SiC

⚡️ @UTpowerelec
❇️کلیدهای IGBT جدید مبتنی بر فناوری SiC

اخیراً، شرکت میتسوبیشی الکتریک عرضه نسل دوم فناوری کلیدهای سیلیکون کاربید (SiC) را در ماژول های کلاس 1200 ولت و 1700 ولت آغاز کرده است. این ماژول‌های جدید، که در شکل پست نشان داده شده‌اند، کارایی بیشتر و توان بالاتر، چگالی بیشتری نسبت به نسل‌های قبلی SiC و همچنین آخرین فناوری سیلیکون (Si) ارائه می‌کنند که قابلیت‌های جدیدی در کاربردهای حوزه انرژی، حمل‌ونقل و پزشکی را ممکن می‌سازد.
شکل موجود در پست کاهش چشمگیر تلفات و بهبود کارایی را نشان می دهد که با بکارگیری فناوری های پردازش پیشرفته و ساختارهای بهینه ادوات نیمه هادی به دست آمده است. مطابق این شکل در ده سال اول توسعه IGBT از نسل اول تا نسل پنجم، تلفات اینورتر معمولی به نصف کاهش یافته است. در ده سال اخیر از سال 2010 تا به امروز، تلفات IGBT تنها حدود 20٪ کاهش یافته است و این نشان از محدودیت در فناوری Si برای کاهش تلفات است. این یکی از انگیزه های اصلی برای توسعه فناوری SiC است. این شکل کاهش چشمگیر تلفات به دست آمده با استفاده از SiC را نشان می دهد. این پیشرفت بسیار فراتر از چیزی است که می توان با کلیدهای IGBT سیلیکونی به دست آورد.
این ماژول‌های توان SiC شروع به جایگزینی با همتایان سیلیکونی خود در کاربردهایی کرده اند که در آن هزینه و مزایای بدست آمده در اثر استفاده از کلیدهای SiC بسیار بیشتر از
هزینه اولیه ی بالا برای این ماژول ها است. چند نمونه از این کاربردها عبارتند از:

اینورترهای فتوولتائیک برای دستیابی به راندمان بالاتر سیستم و کاهش اندازه/هزینه ادوات مغناطیسی
اینورترهای محرکه های حمل نقل ریلی برای دستیابی به قابلیت ترمز با بازیابی توان بیشتر و در نتیجه کاهش هزینه های عملیاتی طول عمر به دلیل کاهش ترمز مکانیکی
اینورترهای کمکی کششی (Traction) در کاربرد حمل و نقل برای کاهش وزن و هزینه ادوات مغناطیسی سیستم
تقویت کننده های اشعه ایکس و MRI برای افزایش عملکرد سیستم به لطف عملکرد فرکانس بالاتر و سیستم های خنک کننده کوچکتر
درایوهای آسانسور به دلیل افزایش بازدهی، هزینه های عملیاتی سیستم در طول عمر را کاهش می دهد
کاربردهای پیشرانه خودرو برای کاهش اندازه/وزن اینورتر و افزایش برد باتری.



#فناوری_WBG
#کلیدهای_SiC

⚡️ @UTpowerelec
This media is not supported in your browser
VIEW IN TELEGRAM
❇️ فرا رسیدن نیمه شعبان، ولادت با سعادت امام زمان (عج) مبارک باد🌹🌷



#مناسبت
⚡️ @UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری


جذب
نیروی متخصص در شرکت کابوک

ما مجموعه ای دانش بنیان مستقر در پارک فناوری پردیس هستیم به همکاری شما جهت طراحی منبع تغذیه توان بالا نیازمندیم


کارشناسی ارشد و دکترا
مهندسی برق، گرایش الکترونیک قدرت
تسلط کامل به مفاهیم منابع تغذیه
آشنایی متدهای کنترلی رزونانسی ZVS , ZCS ,
توانایی طراحی مدار با نرم افزار Altium Designer
توانایی گزارش‌نویسی و مستند سازی طراحی
🔷امکان فراهم شدن امریه سربازی و جایگزین خدمت
🔷امکان استفاده از وسیله ایاب ذهاب پارک
🔷محیط دوستانه و بدون تنش
🔷زمان کار شناور

برای گپ گفت منتظرتون هستم 09121938026 تلگرام و واتس اپ هم فعاله
.

#همکاری


⚡️ @UTpowerelec
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Media is too big
VIEW IN TELEGRAM
سال 1402 با تمام فراز و فرودهایش به دقایق آخر خود رسیده است ...

پیام نوروز این اسـت. دوست داشته باشید و زندگی کنید. زمان همیشه از آن شـما نیست. یاد همه رفتگان گرامی و جایشان سبز ❤️

انشالله سال پیش رو، سالی پر از اتفاقات مثبت برای تک تک مردم ایران عزیزمان باشد، التماس دعا داریم خدمت همه عزیزان ❤️🇮🇷❤️.

سال نو پیشاپیش مبارک ... 🌷❤️💐

(کلیپی از مرور مهم ترین اتفاقات سالی که گذشت ...)

#دلتون_شاد
#مناسبت

⚡️ @UTPowerElec
❇️ محل استفاده کلیدهای GaN و SiC


#فناوری_WBG
#کلیدهای_GaN
#کلیدهای_SiC

⚡️ @UTpowerelec
❇️ محل استفاده کلیدهای GaN و SiC

در سال‌های اخیر، استفاده از نیمه‌هادی‌های GaN و SiC در کاربردهای مبدلهای الکترونیک قدرت و شارژرهای باتری مورد توجه قرار گرفته است و یک Mega Trend در زمینه افزایش سرعت کلیدزنی و افزایش بازدهی مبدلها در سالهای اخیر ایجاد کرده است. تخمین زده میشود که مجموع فرصت‌های بازار برای فناوری‌های الکترونیک قدرت مبتنی بر فناوری GaN و SiC تا سال 2026 بیش از 22 میلیارد دلار در سال باشد، زیرا شرکت‌ها به دنبال جایگزینی فناوری سیلیکون قدیمی در کاربردهای موجود و استفاده از کلیدهای GaN و SiC در طراحی‌های نوظهور خود هستند که در آن کلیدهای سیلیکونی قابلیت رقابت ندارند.

مزایای اساسی GaN و SiC نسبت به فناوری‌ نیمه هادی های سیلیکونی سنتی از شکاف‌های باند (bandgaps) آنها ناشی می‌شود. یک bandgap انرژی لازم برای حرکت الکترون ها از نوار ظرفیت به نوار رسانایی را دیکته می کند و گپ های باند سیلیکون، GaN و SiC به ترتیب 1.1، 3.4 و 3.26 الکترون ولت (eV) هستند. گپ های باند وسیع‌تر به این معنی است که GaN و SiC می‌توانند میدان‌های الکتریکی بالاتری را تحمل کنند و در نتیجه ولتاژهای کاری بالاتری خواهند داشت و قابلیت تحمل ولتاژ آنها بالاتر است. کلیدهای مبتنی بر فناوری‌های WBG (یا همان wide band gap) همچنین می‌توانند در دمای حداکثر بالاتر از همتایان سیلیکونی قدیمی کار کنند. این به این دلیل است که نیمه هادی های WBG می توانند قبل از رسیدن به آستانه مورد نیاز برای انتقال الکترون ها از باند ظرفیت به نوار رسانایی به دمای بسیار بالاتری برسند.

البته، تفاوت‌هایی بین GaN و SiC وجود دارد - تفاوت‌هایی که نحوه و مکان استفاده از آنها را از نظر سطح ولتاژ و توان تعیین می‌کند. یک تفاوت کلیدی در تحرک الکترون ها یا سرعت حرکت الکترون ها در مواد نیمه هادی است. از نظر تحرک الکترونی کلیدهای GaN از کلیدهای SiC سریعتر هستند. این تفاوت ها در انواع مزایایی که هر فناوری برای یک کاربرد هدف ارائه می دهد، نقش دارد (شکل موجود در پست). به عنوان مثال، تحرک بیشتر الکترون GaN، آن را برای کاربردهای با کارایی بالا و فرکانس بالا تا حدود 650 ولت و 20 کیلو وات بسیار مناسب تر می کند. علاوه بر این، تنها درصد کمی از تراشه توسط الکترود گیت اشغال می‌شود، که ظرفیت خازنی بسیار کم را تضمین می‌کند و دستیابی به فرکانس‌های بالاتر را آسان‌تر می‌کند.

از سوی دیگر، کلیدهای SiC با هدایت حرارتی بالاتر و عملکرد فرکانس پایین‌تر برای کاربردهای توان بالاتر (بیش از 1000 ولت و حداکثر 20 مگاوات) مناسب‌تر است و این امر را ممکن میکند که از این کلیدها در کاربردهای ولتاژ بالا در خودرو برقی و مراکز داده استفاده شود. برخی از طرح‌های مورد استفاده کلیدهای SiC شامل طرح های انرژی خورشیدی، حمل و نقل ریلی، توربین‌های بادی، شبکه توزیع و تصویربرداری صنعتی و پزشکی است یعنی کاربردهایی که همیشه به کلیدزنی فرکانس بالا نیاز ندارند، اما نیاز به عملکرد ولتاژ بالاتر و اتلاف گرما بهبود یافته، دارند.



#فناوری_WBG
#کلیدهای_GaN
#کلیدهای_SiC

⚡️ @UTpowerelec
🔸 مجموعه دوره‌های آموزشی گروه UTPowerElec

🔸 لیست دوره‌های آموزشی:

🔺 دوره مقدماتی و پیشرفته طراحی و شبیه‌سازی موتورهای الکتریکی با روش اجزاء محدود؛ دکتر احسان فراهانی

🔺 انتقال توان بدون تماس و بی‌سیم؛ دکتر امیر بابکی

🔺 طراحی، شبیه‌سازی و ساخت منابع تغذیه سوئیچینگ؛ مهندس علی ساریخانی

🔺 آموزش کاربردی میکروکنترلر AVR؛ دکتر کورش خلج منفرد

🔺 آموزش کاربردی میکروکنترلر ARM STM32؛ مهندس علی هاتفی

🔺 آموزش کاربردی میکروکنترلر DSP؛ دکتر کورش خلج‌منفرد

🔺 آموزش کاربردی نرم‌افزار Altium Designer؛ مهندس محمد چمرمی

📢 برای کسب اطلاعات بیشتر و هماهنگی ثبت‌نام با آیدی @UTPowerElec_Info در ارتباط باشید!

⚡️ @UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری


⬅️ یک شرکت مهندسی تحقیقاتی پیشرو به همکاری شما در زمینه طراحی و ساخت سیستم‌های الکترونیک قدرت نیازمند است.

انتظارات شرکت از علاقه مندان به شرح زیر است:

تحصیل در مقطع کارشناسی مهندسی برق (گرایش الکترونیک یا قدرت) یا کارشناسی ارشد (گرایش الکترونیک قدرت) در دانشگاه های تراز اول
داشتن روحیه تحقیقاتی و پژوهشی و علاقمند به حل مسائل و مواجهه با چالش‌های فنی
داشتن روحیه تیمی و علاقه مند به یادگیری
آشنایی با نرم افزارهای طراحی و شبیه سازی مانند PSpice، Simulink، Altium
آشنایی با طراحی مدارات آنالوگ و دیجیتال و مبدل های الکترونیک قدرت و آشنایی با اصول طراحی PCB

⬅️ توصیه اختصاصی کانال UTpowerElec به عزیزان علاقه مند

لطفا رزومه خود را از طریق پست الکترونیکی به آدرس زیر ارسال فرمایید:

✉️ [email protected]

#همکاری


⚡️ @UTpowerelec
❇️ ویدیوی وبینار منابع تغذیه پالسی بر مبنای کلیدهای نیمه هادی قدرت (دکتر صادق محسن زاده - دانشگاه خواجه نصیر)


⬅️ منابع تغذیه پالسی کاربرد زیادی در صنعت از قبیل شتابدهنده خطی پزشکی، فرآوری محصولات غذایی، تصفیه آب، تولید پلاسما، اکتشافات نفتی و معدنی و صنایع مرتبط با رادار دارند. انواع سنتی و اولیه ی این منابع تغذیه بر پایه ی کلیدهای گازی ساخته می شدند، اما به دلیل عمر محدود و ابعاد بزرگ، این منابع جای خود را به رقبای خود که بر مبنای کلیدهای نیمه هادی هستند واگذار کرده اند. در این وبینار، ضمن بیان مفاهیم اساسی منابع تغذیه پالسی، به توصیف بهبودهای قابل دسترسی با استفاده از ادوات نیمه هادی در منابع تغذیه پالسی پرداخته خواهد شد.

لینک ویدیوی وبینار:
🌎 B2n.ir/t67196


#وبینار_علمی


⚡️ @UTPowerElec
This media is not supported in your browser
VIEW IN TELEGRAM
▪️شهادت مولای متقیان، حضرت امیرالمومنین علی علیه‌السلام تسلیت باد 🖤🌷

التماس دعا از همه عزیزان در این شب های عزیز🌷🤲

#مناسبت


⚡️@UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری

جذب همکار در شرکت نماموتور پیشران

شرکت مهندسی تولیدی دانش بنیان نماموتور پیشران با 10 سال سابقه در زمینه طراحی و تولید موتورهای BLDC و سیستم‌های کنترل دور موتور، به همکاری شما در زمینه طراحی و ساخت سیستم‌های کنترل دور موتور (درایور) نیازمند است.


کارشناسی مهندسی برق یا کارشناسی ارشد گرایش پاورالکترونیک یا الکترونیک
آشنایی کلی با ساختار درایورهای موتورهای PMSM و BLDC
آشنا با اصول کلی طراحی مدارات مبدل ایزوله و غیر ایزوله (flyback ,buck ,boost)
آشنا با میکروکنترلر ARM، پریفرال ها، برنامه نویسی میکروکنترلرهای ARM به زبان C
آشنایی کلی با پروتکل‌های ارتباطی (SPI,UART,CAN,… )
آشنایی با اصول کلی طراحی PCB و نرم افزار طراحی مدار Altium Designer
علاقمند به حل مساله و مواجهه با چالش‌های فنی
دارای روحیه کار تیمی و پذیرا بودن انتقادات
تسلط کافی به زبان انگلیسی تخصصی

لطفا جهت ارسال رزومه از طریق پست الکترونیکی [email protected] و یا تلگرام به شماره ۰۹۱۰۴۹۶۱۶۵۵ اقدام کنید.


#همکاری


⚡️ @UTpowerelec
🌙 عید سعید فطر مبارک باد 🌷🌷🤲

#مناسبت

⚡️ @UTPowerElec
#دعوت_به_همکاری

❇️ آکادمی UTPowerElec از فعالین (دانشگاهیان، فعالین صنعتی، دانشجویان تحصیلات تکمیلی و ...) حوزه مهندسی برق و الکترونیک (با تمرکز بر مباحث حوزه الکترونیک قدرت) و دارای تجربه در تدریس، جهت ارائه پیشنهاد، تدریس و برگزاری دوره‌ها و کارگاه‌های آموزشی دعوت به همکاری می‌کند.

دوستان علاقه‌مند لطفا مشخصات دوره یا کارگاه موردنظر خود را به همراه رزومه مختصر از خود به آیدی زیر ارسال کنند.

➡️ @UTPowerElec_info


  پس از بررسی اولیه و تطبیق عناوین دوره‌های پیشنهاد شده با نقشه راه آموزشی UTPowerElec، جلسه‌ای جهت هماهنگی تنظیم خواهد شد و اطلاعات تکمیلی جهت آغاز همکاری اطلاع رسانی خواهد گردید.

  دوره‌های آموزشی پیشنهادی می‌توانند در قالب‌های دوره‌های علمی پایه‌ای و کارگاه‌های کاربردی و مهارتی باشد. همچنین از تدریس و ارائه آموزشی صفر تا صد پروژه‌های انجام شده استقبال می‌گردد.

#دعوت_به_همکاری


⚡️ @UTPowerElec
2024/12/25 12:10:48
Back to Top
HTML Embed Code: