tgoop.com/RUSmicro/6429
Last Update:
🇰🇷 Память. HBM. Тренды. Корея
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
BY RUSmicro
Share with your friend now:
tgoop.com/RUSmicro/6429