RUSmicro

🇨🇳 Память. Технологии. Flash. Китай

YMTC обогнала Micron и Kioxia и приблизилась к Samsung по числу слоев в чипах флеш-памяти

Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, уверены в Techinsights на данные которых ссылается South China Morning Post.

В коммерчески доступном твердотельном устройстве хранения данных ZhiTai TiPro9000 обнаружились чипы 3D NAND, созданные по техпроцесссу Xtacking4.0 YMTC. Это чип «двухэтажной структуры» - нижний со 150 затворами и верхний со 144. В сумме – 294 затвора. Пластины этажей соединены «гибридным бондингом», когда между двумя поверхностями образуются как металлические, так и диэлектрические связи. Этот метод снижает паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, лучше и тепловые параметры микросхемы.

В 2024 году YMTC уже использовала технологию Xtacking4.0, создав продукт в 160-слоев с 180-ю вентилями.

Новый продукт повышает плотность хранения до более чем 20 Гбит на кв.мм (возможно, это отраслевой рекорд)! В Techinsight думают, что дизайн содержит около 270 активных слоев памяти.

Какие выводы?

США не удается остановить китайский прогресс в технологиях микроэлектроники – без санкций китайцы, возможно, двигались бы еще быстрее, но они прогрессируют и без этого.

SK Hynix уже сообщала в 2024 году о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году. Samsung заявляла о 280 слоях. Так что корейцы пока недосягаемы. Американская Micron с ее 232 слоями и японская Kioxia с 218 слоями, возможно, попадают в число отстающих. Впрочем, посмотрим, не будет ли от них обновлений информации в ближайшие недели.

@RUSmicro по материалам South China Morning Post

#память #слои #технологии

South China Morning Post

China’s top memory chip maker again defies US sanctions with design breakthrough

Yangtze Memory Technologies Corporation is integrating a new design into chips with 294 gates, research firm finds.

www.tgoop.com/RUSmicro/6517

1.7K viewsFeb 2 at 10:45

🇨🇳 Память. Технологии. Flash. Китай

YMTC обогнала Micron и Kioxia и приблизилась к Samsung по числу слоев в чипах флеш-памяти

Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), ведущий китайский производитель микросхем флэш-памяти, добилась значительного технологического прорыва, несмотря на санкции США, уверены в Techinsights на данные которых ссылается South China Morning Post.

В коммерчески доступном твердотельном устройстве хранения данных ZhiTai TiPro9000 обнаружились чипы 3D NAND, созданные по техпроцесссу Xtacking4.0 YMTC. Это чип «двухэтажной структуры» - нижний со 150 затворами и верхний со 144. В сумме – 294 затвора. Пластины этажей соединены «гибридным бондингом», когда между двумя поверхностями образуются как металлические, так и диэлектрические связи. Этот метод снижает паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, лучше и тепловые параметры микросхемы.

В 2024 году YMTC уже использовала технологию Xtacking4.0, создав продукт в 160-слоев с 180-ю вентилями.

Новый продукт повышает плотность хранения до более чем 20 Гбит на кв.мм (возможно, это отраслевой рекорд)! В Techinsight думают, что дизайн содержит около 270 активных слоев памяти.

Какие выводы?

США не удается остановить китайский прогресс в технологиях микроэлектроники – без санкций китайцы, возможно, двигались бы еще быстрее, но они прогрессируют и без этого.

SK Hynix уже сообщала в 2024 году о начале массового производства 321-слойной NAND-flash памяти, представленной в 2023 году. Samsung заявляла о 280 слоях. Так что корейцы пока недосягаемы. Американская Micron с ее 232 слоями и японская Kioxia с 218 слоями, возможно, попадают в число отстающих. Впрочем, посмотрим, не будет ли от них обновлений информации в ближайшие недели.

@RUSmicro по материалам South China Morning Post

#память #слои #технологии

BY RUSmicro