📉 Память. NAND. Тренды
Samsung, SK Hynix и Micron сократили производство NAND на фоне снижения спроса
В дополнение к слухам о том, что крупные участники рынка сокращают производство DRAM памяти, согласно данным ZDNet, Samsung и SK Hynix недавно сократили производство старых моделей NAND и начали перевод недоиспользуемых производственных мощностей под более новые модели памяти этого типа. Кроме того, южнокорейское издание fnnews отмечает, что поскольку динамика спроса на SSD корпоративного класса также демонстрирует признаки ослабления, то и Micron начала сокращать закупку пластин для производства NAND.
Рынку eSSD не хватает спроса
В TrendForce предполагают, что поставщики NAND Flash столкнутся с растущим уровнем запасов и ухудшением спроса в 1q2025, при этом средние цены контрактов снизятся на 10-15% квартал к кварталу. Закупки SSD корпоративного типа, как ожидается, снизятся на 5-10% в квартальном исчислении за тот же период.
В отчете fnnews указано, что по мере замедления роста рынка eSSD ожидается снижение выручки Samsung и SK Hynix в 1q2025. Это заставляет крупные компании рассматривать возможность значительного сокращения объемов производства ради защиты цен на продукцию.
В частности, Samsung и SK Hynix снижают производство устаревших моделей памяти NAND на фоне рисков избыточного предложения. По данным ZDNet, оба производителя обратились к поставщикам производственного оборудования с просьбой модифицировать имеющееся у них оборудования для производства моделей NAND 8-го и 9-го поколений к 2H2025.
Избыточное предложение старых продуктов NAND, таких как NAND 7-го поколения, массовое производство которых Samsung и SK Hynix начали в конце 2021 года, ухудшилось из-за снижения спроса и появления новых конкурентов, прежде всего, японской Kioxia и китайской YMTC.
Вопросом остается, последуют ли снижению объемов производства китайские производители или они постараются заместить снижение объемов конкурентами своей продукцией, не поднимая на нее цену?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#NAND #eSSD #память
Samsung, SK Hynix и Micron сократили производство NAND на фоне снижения спроса
В дополнение к слухам о том, что крупные участники рынка сокращают производство DRAM памяти, согласно данным ZDNet, Samsung и SK Hynix недавно сократили производство старых моделей NAND и начали перевод недоиспользуемых производственных мощностей под более новые модели памяти этого типа. Кроме того, южнокорейское издание fnnews отмечает, что поскольку динамика спроса на SSD корпоративного класса также демонстрирует признаки ослабления, то и Micron начала сокращать закупку пластин для производства NAND.
Рынку eSSD не хватает спроса
В TrendForce предполагают, что поставщики NAND Flash столкнутся с растущим уровнем запасов и ухудшением спроса в 1q2025, при этом средние цены контрактов снизятся на 10-15% квартал к кварталу. Закупки SSD корпоративного типа, как ожидается, снизятся на 5-10% в квартальном исчислении за тот же период.
В отчете fnnews указано, что по мере замедления роста рынка eSSD ожидается снижение выручки Samsung и SK Hynix в 1q2025. Это заставляет крупные компании рассматривать возможность значительного сокращения объемов производства ради защиты цен на продукцию.
В частности, Samsung и SK Hynix снижают производство устаревших моделей памяти NAND на фоне рисков избыточного предложения. По данным ZDNet, оба производителя обратились к поставщикам производственного оборудования с просьбой модифицировать имеющееся у них оборудования для производства моделей NAND 8-го и 9-го поколений к 2H2025.
Избыточное предложение старых продуктов NAND, таких как NAND 7-го поколения, массовое производство которых Samsung и SK Hynix начали в конце 2021 года, ухудшилось из-за снижения спроса и появления новых конкурентов, прежде всего, японской Kioxia и китайской YMTC.
Вопросом остается, последуют ли снижению объемов производства китайские производители или они постараются заместить снижение объемов конкурентами своей продукцией, не поднимая на нее цену?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#NAND #eSSD #память
[News] Samsung, SK hynix and Micron Reportedly Cut NAND Production amid Slowing Demand | TrendForce News
Is the winter really coming in the memory market just as 2025 kick starts? In addition to rumors of major players scaling down traditional DRAM produc...
🇰🇷 Память. HBM. Тренды. Корея
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
Samsung начинает пробное производство логического кристалла HBM4 по собственному техпроцессу 4нм, бросая вызов SK Hynix
По данным Chosun Daily, Samsung начал пробное производство логических кристаллов, используемых в микросхемах HBM4. После завершения этапа тестирования производительности, Samsung планирует начать предоставление новых чипов для тестирования.
В случае удачи, это станет важной для Samsung вехой. Ранее уже сообщалось, что Samsung начал разработку Custom HBM4 – памяти следующего поколения с высокой пропускной способностью, специально разработанной для клиентов CSP, таких как Microsoft. Ее массовое производство ожидается в 2025 году.
Поскольку SK Hynix получила львиную долю заказов Nvidia на микросхемы HBM3 и HBM3E, внедрение собственных внутренних усовершенствованных узлов в производство HBM4 может стать переломным моментом для Samsung на рынке HBM.
В отличие от HBM3E, где стеки DRAM подключаются к графическому процессору или аналогичному устройству, HBM4 включает в себя логический кристалл, который позволяет настраивать решения HBM, оптимизируя их для конкретных клиентских IP и приложений.
SK Hynix использует для производства своих логических кристаллов техпроцесс 5нм TSMC, тогда как Samsung рассчитывает на более совершенный узел 4нм для повышения производительности и энергоэффективности.
Кроме того, Samsung планирует использовать в своих решениях 6-е поколение DRAM по технологии 10нм, тогда как SK Hynix пока что ориентируется на 5-е поколение DRAM по технологии 10нм.
Мало того, вместо технологии TC-NCF (усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки), Samsung планирует внедрить гибридную технологию склеивания для укладки 16-слойных продуктов HBM4, в основе которой прямое соединение чипов медными шинами, а не традиционными бампами (выступами).
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HBM #память
[News] Samsung Reportedly Starts Trial Production of HBM4 Logic Die with In-house 4nm, Challenging SK hynix | TrendForce News
Samsung’s turnaround in the DRAM sector certainly hinges on its progress of next-gen HBMs, and now there is a ray of hope. According to South Korean m...
🇺🇸 Экстремальная фотолитография. EUV. Источники света. США
В Ливерморской лаборатории делают ставку на тулиевый лазер для создания более мощных и энергоэффективных источников EUV излучения для экстремальной фотолитографии
LLNL будет руководить исследованиями в области EUV-литографии следующего поколения. В частности, партнерство под общим руководством Ливерморской национальной лаборатории им. Лоуренса, США, занимается так называемым тулиевым лазером с большой апертурой (BAT – Big Aperture Thulium).
Команда примет участие в работе Инновационного центра экстремальной литографии и материалов (ELMIC), одного из трех Научно-исследовательских центров мироэлектроники MSRC Управления науки Министерства энергетики США. Минэнерго США выделило $179 млн на финансирование этих центров.
Проект Ливерморской лаборатории – это 4-х летнее исследование с финансированием $12 млн, которое должно расширить фундаментальные исследования в области генерации EUV, в частности, на базе плазменных источников частиц. Кроме того, в ELMIC занимаются темами плазменной нанофабрикации, системами на базе двумерных материалов и экстремально масштабируемой памятью.
В LLNL проверят, получится ли с помощью лазера BAT добиться увеличения эффективности источника EUV примерно в 10 раз по сравнению с лазерами на диоксиде углерода (CO2), которые обычно используются в этих целях сегодня. Кроме ожидаемого выигрыша в энергоэффективности, эти исследования могут стать основной для создания следующего поколения литографов, которые смогут использоваться для производства чипов с еще более плотным размещением узлов.
В последние 5 лет в Ливерморской лаборатории было проведено теоретическое моделирование плазмы и концептуальные демонстрации лазеров. В проекте участвуют ученые из Национальной ускорительной лаборатории SLAC, американское подразделение нидерландской ASML – ASML Сан-Диего, и Центр передовых исследований нанолитографии (ARCNL), государственно-частного исследовательского центра, базирующегося в Нидерландах.
Проект LLNL исследует гипотезу, суть которой в том, что энергоэффективность существующих источников EUV-литографии может быть улучшена с помощью технологии на основе BAT петаваттного класса, в основе которого – фторид иттрия-лития, легированный тулием, в качестве усиливающей среды. (..)
В Ливерморской лаборатории делают ставку на тулиевый лазер для создания более мощных и энергоэффективных источников EUV излучения для экстремальной фотолитографии
LLNL будет руководить исследованиями в области EUV-литографии следующего поколения. В частности, партнерство под общим руководством Ливерморской национальной лаборатории им. Лоуренса, США, занимается так называемым тулиевым лазером с большой апертурой (BAT – Big Aperture Thulium).
Команда примет участие в работе Инновационного центра экстремальной литографии и материалов (ELMIC), одного из трех Научно-исследовательских центров мироэлектроники MSRC Управления науки Министерства энергетики США. Минэнерго США выделило $179 млн на финансирование этих центров.
Проект Ливерморской лаборатории – это 4-х летнее исследование с финансированием $12 млн, которое должно расширить фундаментальные исследования в области генерации EUV, в частности, на базе плазменных источников частиц. Кроме того, в ELMIC занимаются темами плазменной нанофабрикации, системами на базе двумерных материалов и экстремально масштабируемой памятью.
В LLNL проверят, получится ли с помощью лазера BAT добиться увеличения эффективности источника EUV примерно в 10 раз по сравнению с лазерами на диоксиде углерода (CO2), которые обычно используются в этих целях сегодня. Кроме ожидаемого выигрыша в энергоэффективности, эти исследования могут стать основной для создания следующего поколения литографов, которые смогут использоваться для производства чипов с еще более плотным размещением узлов.
В последние 5 лет в Ливерморской лаборатории было проведено теоретическое моделирование плазмы и концептуальные демонстрации лазеров. В проекте участвуют ученые из Национальной ускорительной лаборатории SLAC, американское подразделение нидерландской ASML – ASML Сан-Диего, и Центр передовых исследований нанолитографии (ARCNL), государственно-частного исследовательского центра, базирующегося в Нидерландах.
Проект LLNL исследует гипотезу, суть которой в том, что энергоэффективность существующих источников EUV-литографии может быть улучшена с помощью технологии на основе BAT петаваттного класса, в основе которого – фторид иттрия-лития, легированный тулием, в качестве усиливающей среды. (..)
(2) Центральная длина волны фторида иттрия-лития, легированного тулием, - около 2 мкм, что заметно отличает этот лазер от других интенсивных лазеров, длина волны которых обычно меньше 1 мкм. Проект станет первым исследованием лазера джоулевого класса совместно с мишенью 2 мкм. Как ожидается, новый лазер можно будет сопрячь с технологиями генерации EUV-излучения за счет наносекундных импульсов, и высокоэнергетических рентгеновских лучей и частиц с использованием сверхкоротких субпикосекундных импульсов.
Кроме применения в микроэлектронике BAT может быть задействован в области физики высокой плотности энергии и проектах «инерциальной термоядерной энергии».
В LLNL задействуют высокомощную лазерную установку Jupiter (JLF), которая недавно прошла реконструкцию.
Для Ливерморской лаборатории, разработки в области EUV – не в новинку. Здесь еще в 1997 году разработали Engineering Test Stand – первый прототип инструмента для экспонирования с использованием EUV. В этой лаборатории разработали также эффективную многослойную оптику, которая позволяет транспортировать EUV-свет. LLNL сотрудничала с ASML в области моделирования плазмы для оптимизации эффективности источника.
Сейчас машины ASML EUV используют импульсные CO2 лазеры для управления источниками EUV-света. Исследования LLNL показывают, что технологии твердотельных лазеров на основе диодов могут обеспечить достижение более высоких мощностей при более высокой общей энергоэффективности.
Судя по рисунку, этот источник может применяться, как для формирования EUV-излучения традиционным для ASML способом на основе дроплетов – капель олова, так и для работы с потоками различных жидкостей, формирования плазменных источников.
@RUSmicro по материалам LLNL, картинка - Janelle Cataldo/LLNL
#EUV #фотолитография #источники #лазеры
Кроме применения в микроэлектронике BAT может быть задействован в области физики высокой плотности энергии и проектах «инерциальной термоядерной энергии».
В LLNL задействуют высокомощную лазерную установку Jupiter (JLF), которая недавно прошла реконструкцию.
Для Ливерморской лаборатории, разработки в области EUV – не в новинку. Здесь еще в 1997 году разработали Engineering Test Stand – первый прототип инструмента для экспонирования с использованием EUV. В этой лаборатории разработали также эффективную многослойную оптику, которая позволяет транспортировать EUV-свет. LLNL сотрудничала с ASML в области моделирования плазмы для оптимизации эффективности источника.
Сейчас машины ASML EUV используют импульсные CO2 лазеры для управления источниками EUV-света. Исследования LLNL показывают, что технологии твердотельных лазеров на основе диодов могут обеспечить достижение более высоких мощностей при более высокой общей энергоэффективности.
Судя по рисунку, этот источник может применяться, как для формирования EUV-излучения традиционным для ASML способом на основе дроплетов – капель олова, так и для работы с потоками различных жидкостей, формирования плазменных источников.
@RUSmicro по материалам LLNL, картинка - Janelle Cataldo/LLNL
#EUV #фотолитография #источники #лазеры
www.llnl.gov
LLNL selected to lead next-gen extreme ultraviolet lithography research
Decades of cutting-edge laser, optics and plasma physics research at Lawrence Livermore National Laboratory (LLNL) played a key role in the underlying science that the semiconductor industry uses to manufacture advanced microprocessors. These computer…
📈 Тренды. Цена пластин
Цена пластины TSMC 3нм составляет $18 000 – рост втрое за 10 лет
Процессоры Apple для смартфонов серии А значительно эволюционировали от A7 (28 нм) до A18 Pro (3нм), получив больше ядер, транзисторов и функций. С каждым новым узлом TSMC взимает с Apple все больше за каждую пластину. Если цена пластины 28нм с процессорами А7 достигала $5 тысяч, то цена пластины 3нм с процессорами A17 и A18 - $18 тысяч, данные Creative Strategy.
По мере развития чипов Apple, количество транзисторов в них постоянно росло, - с 1 млрд в А7 до 20 млрд в А18 Pro. Сокращение размеров узлов было значительным на первом этапе: 28нм -> 20нм -> 16 нм/14 нм.
Размеры кристаллов оставались практически постоянными, изменяясь в диапазоне от 80 до 125 кв.мм. Это стало возможным из-за роста плотности размещения узлов. Наиболее существенный рост плотности узлов пришелся на переходы с 28нм на 20нм, а затем на 16нм/14нм. Более современные техпроцессы – N5, N4P, N3B, N3E демонстрирует более медленный рост плотности.
Пиковый период улучшения плотности пришелся на А11 (N10, 10нм) и A12 (N7, 7нм) с приростом 86% и 69%, соответственно. Последние чипы, включая A16 – A18 Pro, показывают заметное замедление в повышении плотности размещения узлов, прежде всего, это касается SRAM.
При этом цены на пластины выросли – стоимость одного кв.мм выросла с $0,07 до $0,25.
Еще более ситуацию для Apple усложняет то, что рост производительности последних поколений процессоров замедлился. Новейшие архитектуры затрудняют достижение высокой пропускной способности в терминах «инструкций за цикл» (IPC). Все же Apple удавалось сохранить прирост производительности на Вт с каждым следующим поколением.
Рентабельность закупки пластин у TSMC зависит от процента выхода годных. Дело в том, что компания продает свои пластины, независимо от того, сколько на них годных чипов. То есть если процент выхода годных выше, то на пластине больше годных чипов, а если меньше, то меньше. Это значительно влияет на рентабельность пластин для клиентов. Частично ситуацию сглаживает то, что TSMC гарантирует, что попытается достичь определенного целевого показателя годны до начала производства.
Если фактический выход годных окажется ниже на значительную величину, например, на 10-15%, TSMC может предоставить клиенту финансовую компенсацию или скидку.
Поскольку Apple – один из нескольких ключевых клиентов для TSMC, компания имеет заметные рычаги влияния на контрактного производителя. Например, она может себе позволить требовать более высокий процент выхода годных. Более того, по слухам, Apple может быть единственным клиентом TSMC, который платит TSMC на основе «за чип», а не «за пластину».
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#техпроцессы #пластины #тренды #3нм
Цена пластины TSMC 3нм составляет $18 000 – рост втрое за 10 лет
Процессоры Apple для смартфонов серии А значительно эволюционировали от A7 (28 нм) до A18 Pro (3нм), получив больше ядер, транзисторов и функций. С каждым новым узлом TSMC взимает с Apple все больше за каждую пластину. Если цена пластины 28нм с процессорами А7 достигала $5 тысяч, то цена пластины 3нм с процессорами A17 и A18 - $18 тысяч, данные Creative Strategy.
По мере развития чипов Apple, количество транзисторов в них постоянно росло, - с 1 млрд в А7 до 20 млрд в А18 Pro. Сокращение размеров узлов было значительным на первом этапе: 28нм -> 20нм -> 16 нм/14 нм.
Размеры кристаллов оставались практически постоянными, изменяясь в диапазоне от 80 до 125 кв.мм. Это стало возможным из-за роста плотности размещения узлов. Наиболее существенный рост плотности узлов пришелся на переходы с 28нм на 20нм, а затем на 16нм/14нм. Более современные техпроцессы – N5, N4P, N3B, N3E демонстрирует более медленный рост плотности.
Пиковый период улучшения плотности пришелся на А11 (N10, 10нм) и A12 (N7, 7нм) с приростом 86% и 69%, соответственно. Последние чипы, включая A16 – A18 Pro, показывают заметное замедление в повышении плотности размещения узлов, прежде всего, это касается SRAM.
При этом цены на пластины выросли – стоимость одного кв.мм выросла с $0,07 до $0,25.
Еще более ситуацию для Apple усложняет то, что рост производительности последних поколений процессоров замедлился. Новейшие архитектуры затрудняют достижение высокой пропускной способности в терминах «инструкций за цикл» (IPC). Все же Apple удавалось сохранить прирост производительности на Вт с каждым следующим поколением.
Рентабельность закупки пластин у TSMC зависит от процента выхода годных. Дело в том, что компания продает свои пластины, независимо от того, сколько на них годных чипов. То есть если процент выхода годных выше, то на пластине больше годных чипов, а если меньше, то меньше. Это значительно влияет на рентабельность пластин для клиентов. Частично ситуацию сглаживает то, что TSMC гарантирует, что попытается достичь определенного целевого показателя годны до начала производства.
Если фактический выход годных окажется ниже на значительную величину, например, на 10-15%, TSMC может предоставить клиенту финансовую компенсацию или скидку.
Поскольку Apple – один из нескольких ключевых клиентов для TSMC, компания имеет заметные рычаги влияния на контрактного производителя. Например, она может себе позволить требовать более высокий процент выхода годных. Более того, по слухам, Apple может быть единственным клиентом TSMC, который платит TSMC на основе «за чип», а не «за пластину».
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#техпроцессы #пластины #тренды #3нм
Tom's Hardware
TSMC's wafer pricing now $18,000 for a 3nm wafer
At advanced nodes, chips are not getting cheaper.
🇺🇸 Техпроцессы. 18А. США
В 2025 году Intel начнет массовое производство с использованием узлов 18A
На выставке CES2025 Intel представила данные о ходе работы над узлом 18А. Компания подтвердила, что ее продукты AI PC следующего поколения будут использовать в том числе эти узлы, а также сообщила, что образцы уже отправлены клиентам. Массовое производство продуктов AI PC намечено на 2H2025, так что вполне вероятно, что некоторые продукты на основе 18А будут выпущены еще до конца 2025 года.
В 2024 году были слухи о том, что Intel сталкивается с технологическими трудностями в освоении процесса 18А, в частности, что выход годных не достигает и 10%. Бывший гендиректор компании Пэт Гелсингер публично опровергал эти заявления. Теперь Intel ясно дала понять, что намерена выпускать продукты на основе 18А в 2025 году в больших объемах.
В частности, узел 18A Intel будет использоваться для создания процессоров Panther Lake следующего поколения, а также для создания процессоров Clearwater Forest. Кроме того, ожидается, что в 2025 году начнется производство с использованием узла 18A для первого внешнего клиента.
@RUSmicro по материалам Overclockers3d
#18А #техпроцессы
В 2025 году Intel начнет массовое производство с использованием узлов 18A
На выставке CES2025 Intel представила данные о ходе работы над узлом 18А. Компания подтвердила, что ее продукты AI PC следующего поколения будут использовать в том числе эти узлы, а также сообщила, что образцы уже отправлены клиентам. Массовое производство продуктов AI PC намечено на 2H2025, так что вполне вероятно, что некоторые продукты на основе 18А будут выпущены еще до конца 2025 года.
В 2024 году были слухи о том, что Intel сталкивается с технологическими трудностями в освоении процесса 18А, в частности, что выход годных не достигает и 10%. Бывший гендиректор компании Пэт Гелсингер публично опровергал эти заявления. Теперь Intel ясно дала понять, что намерена выпускать продукты на основе 18А в 2025 году в больших объемах.
В частности, узел 18A Intel будет использоваться для создания процессоров Panther Lake следующего поколения, а также для создания процессоров Clearwater Forest. Кроме того, ожидается, что в 2025 году начнется производство с использованием узла 18A для первого внешнего клиента.
@RUSmicro по материалам Overclockers3d
#18А #техпроцессы
OC3D
Intel issues 18A update – Next-Gen volume production to start in H2 2025
Intel has issued a fresh update on their 18A lithography node. Volume production starts in H2 2025. Products are already being sampled.
🇪🇺 M&A. Участники рынка. Европа
NXP Semi купит австрийскую TTTech Auto
Австрийская компания TTTech Auto занимается разработкой софта для автомобилей. Ее оценка - $625 млн. В рамках покупки компании, NXP интегрирует в свою команду около 1100 инженеров. Сделку еще должны одобрить регуляторы.
Автопроизводители еще недавно выпускали прежде всего аппаратные системы. Но чем далее, тем более, производимые авто – это платформы все с более значительной ролью ПО и ИИ. Соответственно, растет и роль микросхем. Не удивительно, что производители микросхем стремятся как можно более тесно сотрудничать с разработчиками ПО для автомобильных систем.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
#автоэлектроника
NXP Semi купит австрийскую TTTech Auto
Австрийская компания TTTech Auto занимается разработкой софта для автомобилей. Ее оценка - $625 млн. В рамках покупки компании, NXP интегрирует в свою команду около 1100 инженеров. Сделку еще должны одобрить регуляторы.
Автопроизводители еще недавно выпускали прежде всего аппаратные системы. Но чем далее, тем более, производимые авто – это платформы все с более значительной ролью ПО и ИИ. Соответственно, растет и роль микросхем. Не удивительно, что производители микросхем стремятся как можно более тесно сотрудничать с разработчиками ПО для автомобильных систем.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
#автоэлектроника
Bloomberg.com
NXP Agrees to Buy Automotive Software Maker for $625 Million
Chipmaker NXP Semiconductors NV agreed to buy Austrian automotive software developer TTTech Auto for $625 million in cash to build out its products for software-defined vehicle makers.
🇸🇬 Участники рынка. Упаковка и корпусирование. Сингапур
Micron потратит $7 млрд на строительство завода по производству микросхем памяти в Сингапуре
Micron Technology Inc. инвестирует $7 млрд в ближайшие несколько лет в расширение своего производственного потенциала в Сингапуре. Спрос на ИИ повышает спрос на передовые микросхемы памяти.
На этой неделе компания заложила фундамент новой фабрики с планами запуска производства на ней в 2026 году. Фабрика будет специализироваться на упаковке и корпусировании микросхем памяти HBM, востребованных при производстве аппаратных решений ИИ. Как ожидается, будет создано 1400 рабочих мест.
Американская Micron входит в число производителей микросхем, которые делают ставку на Юго-Восточную Азию, ищущих новые рынки за пределами Китая и Тайваня, чтобы снизить свою зависимость от напряженности между Вашингтоном и Пекином.
Известно также о планах NXP Semi NV и фирмы VisionPower, которые строят в Сингапуре фаб по производству пластин с инвестиционными планами $7,8 млрд.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
#упаковка #корпусирование
Micron потратит $7 млрд на строительство завода по производству микросхем памяти в Сингапуре
Micron Technology Inc. инвестирует $7 млрд в ближайшие несколько лет в расширение своего производственного потенциала в Сингапуре. Спрос на ИИ повышает спрос на передовые микросхемы памяти.
На этой неделе компания заложила фундамент новой фабрики с планами запуска производства на ней в 2026 году. Фабрика будет специализироваться на упаковке и корпусировании микросхем памяти HBM, востребованных при производстве аппаратных решений ИИ. Как ожидается, будет создано 1400 рабочих мест.
Американская Micron входит в число производителей микросхем, которые делают ставку на Юго-Восточную Азию, ищущих новые рынки за пределами Китая и Тайваня, чтобы снизить свою зависимость от напряженности между Вашингтоном и Пекином.
Известно также о планах NXP Semi NV и фирмы VisionPower, которые строят в Сингапуре фаб по производству пластин с инвестиционными планами $7,8 млрд.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
#упаковка #корпусирование
Bloomberg.com
Micron to Spend $7 Billion Building Singapore Memory Chip Plant
Micron Technology Inc. is investing $7 billion over the next several years to expand its manufacturing footprint in Singapore, as artificial intelligence boosts demand for advanced memory chips.
🇨🇳 Господдержка. Китай
Китай начал распределять средства Big Fund III для развития собственной микроэлектроники
Как сообщалось еще в мае 2024 года, это поддерживаемый государством фонд с капиталом в 344 млрд юаней (около $47 млрд), Минфин КНР выступает крупнейшим акционером фонда, в капитал фонда входят также 6 госбанков. Как и предыдущие, управляется он компанией Huaxin Investment Management. С 2025 года началась активная работа этого фонда.
На первом этапе примерно четверть средств ($12,7 млрд) будет инвестировано в производство химически чистых материалов и в разработку и производство оборудования для выпуска микросхем. Это не так много, если сравнивать с бюджетами на R&D таких компаний, как ASML, AMAT, Applied Materials и других «западных» производителей.
С другой стороны, в Китае поддержка микроэлектроники обеспечивается далеко не только на уровне Big Fund. Например, только правительство Шанхая в 2024 году удвоило объем Инвестиционного фонда полупроводниковой промышленности Шанхая до $2 млрд. Обеспечивают поддержку предприятий микроэлектроники и несколько других городов и провинций Китая.
@RUSmicro
#господдержка
Китай начал распределять средства Big Fund III для развития собственной микроэлектроники
Как сообщалось еще в мае 2024 года, это поддерживаемый государством фонд с капиталом в 344 млрд юаней (около $47 млрд), Минфин КНР выступает крупнейшим акционером фонда, в капитал фонда входят также 6 госбанков. Как и предыдущие, управляется он компанией Huaxin Investment Management. С 2025 года началась активная работа этого фонда.
На первом этапе примерно четверть средств ($12,7 млрд) будет инвестировано в производство химически чистых материалов и в разработку и производство оборудования для выпуска микросхем. Это не так много, если сравнивать с бюджетами на R&D таких компаний, как ASML, AMAT, Applied Materials и других «западных» производителей.
С другой стороны, в Китае поддержка микроэлектроники обеспечивается далеко не только на уровне Big Fund. Например, только правительство Шанхая в 2024 году удвоило объем Инвестиционного фонда полупроводниковой промышленности Шанхая до $2 млрд. Обеспечивают поддержку предприятий микроэлектроники и несколько других городов и провинций Китая.
@RUSmicro
#господдержка
🇯🇵 Память. MRAM. Разработки. Япония
В Университете Осака разработали прототип памяти MRAM с управлением электрическим полем, а не электрическим током
MRAM – одно из направлений, которое считается потенциально перспективным в плане создания замены для традиционных решений RAM. В пользу MRAM – высокая скорость работы, высокая емкость, повышенная долговечность и энергонезависимое хранение данных.
В RAM для хранения данных требуется постоянное энергопитание, обновляющее заряд в конденсаторах. В MRAM магнитные состояния стабильны и не требуют постоянной регенерации. С другой стороны, для переключения вектора намагниченности в разработках на основе управления электрическим током, требуется сравнительно большой ток, что не устраивает индустрию.
В Университете Осаки за основу MRAM нового типа взяли «мультиферроидную гетероструктуру», которую можно переключать электрическим полем. Об эффективности этой структуры позволяет судить обратный магнитоэлектрический коэффициент связи (CME). Первоначально ученые добились коэффициента CME более 10^-5 с/м на основе гетероструктуры Co2FeSi. Далее, чтобы повысить стабильность конфигурации, между пьезоэлектрическим и ферромагнитными слоями ввели тонкий слой ванадия (V). Это позволило сохранить высокий CME, еще более его увеличив, (что хорошо, так речь идет о более высоком магнитном отклике), и, основное – энергонезависимое двоичное состояние, не требующее приложения электрического поля для сохранности данных.
В теории, это создает основу для создания практических устройств ME-MRAM.
Темой MRAM заняты не только в Японии, но также практически о всех странах, обладающих «продвинутой» наукой в области микроэлектроники – США, Китае, России. В разработке MRAM VCM ученые из Northwestern Engineering, США, также отказались от использования тока, добившись в 2022 году возможности переключения состояний при приложении напряжений менее 1В.
@RUSmicro по материалам Research at Osaka University , картинка - T. Usami
#MRAM #память
В Университете Осака разработали прототип памяти MRAM с управлением электрическим полем, а не электрическим током
MRAM – одно из направлений, которое считается потенциально перспективным в плане создания замены для традиционных решений RAM. В пользу MRAM – высокая скорость работы, высокая емкость, повышенная долговечность и энергонезависимое хранение данных.
В RAM для хранения данных требуется постоянное энергопитание, обновляющее заряд в конденсаторах. В MRAM магнитные состояния стабильны и не требуют постоянной регенерации. С другой стороны, для переключения вектора намагниченности в разработках на основе управления электрическим током, требуется сравнительно большой ток, что не устраивает индустрию.
В Университете Осаки за основу MRAM нового типа взяли «мультиферроидную гетероструктуру», которую можно переключать электрическим полем. Об эффективности этой структуры позволяет судить обратный магнитоэлектрический коэффициент связи (CME). Первоначально ученые добились коэффициента CME более 10^-5 с/м на основе гетероструктуры Co2FeSi. Далее, чтобы повысить стабильность конфигурации, между пьезоэлектрическим и ферромагнитными слоями ввели тонкий слой ванадия (V). Это позволило сохранить высокий CME, еще более его увеличив, (что хорошо, так речь идет о более высоком магнитном отклике), и, основное – энергонезависимое двоичное состояние, не требующее приложения электрического поля для сохранности данных.
В теории, это создает основу для создания практических устройств ME-MRAM.
Темой MRAM заняты не только в Японии, но также практически о всех странах, обладающих «продвинутой» наукой в области микроэлектроники – США, Китае, России. В разработке MRAM VCM ученые из Northwestern Engineering, США, также отказались от использования тока, добившись в 2022 году возможности переключения состояний при приложении напряжений менее 1В.
@RUSmicro по материалам Research at Osaka University , картинка - T. Usami
#MRAM #память
🇺🇸 Материалы. Проводники. Тонкопленочные. США
В Стенфордском институте придумали замену меди для тонких соединений в чипах
Чем тоньше становятся проводники в чипах по мере сокращения размеров узлов, тем хуже проводят ток традиционные металлы, прежде всего, медь. Это затрудняет сокращение размеров проводников, что требуется для дальнейшего наращивания плотности размещения узлов на кристалле.
В Стенфордском университете показали, что топологический полуметалл фосфид ниобия в виде тонкой пленки толщиной в несколько атомов, проводит электричество по своей поверхности лучше, чем пленка меди, если толщина слоя становится меньше 5нм.
Для формирования на кристалле пленок фосфида ниобия не требуется существенных изменений традиционной технологии, в частности, пленки можно синтезировать при сравнительно низких температурах – около 400°С.
Фосфат ниобия, если дойдет дело до его массового применения, не вытеснит медь из микроэлектронного производства, поскольку его «особые качества» проявляются лишь в тонких пленках. Возможно, что ученые найдут и другие полуметаллы, которые покажут еще более интересные возможности.
@RUSmicro по материалам Engineering Stanford, фото 1 – микросхема с устройствами Холла с использованием пленки фосфида ниобия, фото 2 – слой фосфата ниобия – это верхний слой, похожий на сине-фиолетовый виноград. За счет некристаллической структуры, такую пленку получается формировать на кристалле при сравнительно низких температурах. Фото - Il-Kwon Oh / Asir Khan
В Стенфордском институте придумали замену меди для тонких соединений в чипах
Чем тоньше становятся проводники в чипах по мере сокращения размеров узлов, тем хуже проводят ток традиционные металлы, прежде всего, медь. Это затрудняет сокращение размеров проводников, что требуется для дальнейшего наращивания плотности размещения узлов на кристалле.
В Стенфордском университете показали, что топологический полуметалл фосфид ниобия в виде тонкой пленки толщиной в несколько атомов, проводит электричество по своей поверхности лучше, чем пленка меди, если толщина слоя становится меньше 5нм.
Для формирования на кристалле пленок фосфида ниобия не требуется существенных изменений традиционной технологии, в частности, пленки можно синтезировать при сравнительно низких температурах – около 400°С.
Фосфат ниобия, если дойдет дело до его массового применения, не вытеснит медь из микроэлектронного производства, поскольку его «особые качества» проявляются лишь в тонких пленках. Возможно, что ученые найдут и другие полуметаллы, которые покажут еще более интересные возможности.
@RUSmicro по материалам Engineering Stanford, фото 1 – микросхема с устройствами Холла с использованием пленки фосфида ниобия, фото 2 – слой фосфата ниобия – это верхний слой, похожий на сине-фиолетовый виноград. За счет некристаллической структуры, такую пленку получается формировать на кристалле при сравнительно низких температурах. Фото - Il-Kwon Oh / Asir Khan
🇺🇸 Конфликты. Экспортное регулирование. США
Nvidia критикует план США по ограничению экспорта чипов ИИ
Nvidia осудила план США по введению новых мер экспортного контроля на чипы ИИ, заявив, что этот шаг не снизит риски их нецелевого использования.
Речь идет о планах правительства Байдена в последний момент ограничить доступ Китая и России к передовым чипам.
По данным Bloomberg, речь идет о чипах ИИ, используемых в ЦОД, возможность экспорта которых планируется ограничить.
Nvidia заявила, что "правило последней минуты", ограничивающее экспорт в большую часть мира, станет серьезным изменением в политике, которое поставит под угрозу экономический рост и лидерство США.
Как ожидается, новые ограничения будут введены на этой неделе и будут разделены на 3 уровня: союзники США получат полный доступ к американским чипам; второй касается ограничений на общую вычислительную мощность, которую смогут приобрести те или иные страны, а третий, наиболее ограничительный, задуман как попытка блокировать экспорт в "недружественные страны".
В октябре 2023 года США уже ужесточили контроль за продажей чипов в Китай, чтобы закрыть лазейки в правилах, введенных в 2022 году.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
#регулирование #санкции
Nvidia критикует план США по ограничению экспорта чипов ИИ
Nvidia осудила план США по введению новых мер экспортного контроля на чипы ИИ, заявив, что этот шаг не снизит риски их нецелевого использования.
Речь идет о планах правительства Байдена в последний момент ограничить доступ Китая и России к передовым чипам.
По данным Bloomberg, речь идет о чипах ИИ, используемых в ЦОД, возможность экспорта которых планируется ограничить.
Nvidia заявила, что "правило последней минуты", ограничивающее экспорт в большую часть мира, станет серьезным изменением в политике, которое поставит под угрозу экономический рост и лидерство США.
Как ожидается, новые ограничения будут введены на этой неделе и будут разделены на 3 уровня: союзники США получат полный доступ к американским чипам; второй касается ограничений на общую вычислительную мощность, которую смогут приобрести те или иные страны, а третий, наиболее ограничительный, задуман как попытка блокировать экспорт в "недружественные страны".
В октябре 2023 года США уже ужесточили контроль за продажей чипов в Китай, чтобы закрыть лазейки в правилах, введенных в 2022 году.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
#регулирование #санкции
Mobile World Live
Nvidia slams US plan to curb AI chip exports
Nvidia condemned a US plan to impose fresh export controls on AI chips, arguing the move would not reduce the risk of misuse.
🇲🇾 Участники рынка. Малайзия
Малайзия стремится стать энергетическим хабом и одним из глобальных центров производства микроэлектроники
О таких целях заявили премьер-министр и министр экономики этой страны. Этому способствует рост экономики страны и стабильность валюты. Экономика страны в 2024 году «существенно восстановилась», чему способствовал приток стратегических инвестиций, в основном в возобновляемые источники энергии и в инфраструктуру ИИ.
«В 2025 году мы хотим удвоить нашу географическую привлекательность как поставщика электроэнергии, рабочей силы и возможности диверсифицировать цепочки поставок», - заявил премьер-министр Анвар Ибрагим на экономическом форуме.
Страна намеревается совершенствовать свою экспертизу в области нефти и газа, полупроводников и исламских финансов, чтобы стать одним из мировых лидеров в каждой из этих областей.
Министр экономики Рафизи Рамли заявил, что Малайзия стремится освоить производство собственных графических процессоров, поскольку растет спрос на ИИ и ЦОД.
«Мы надеемся, что сможем начать производство графических процессоров и ряда других чипов в Малайзии в течение следующих 5-10 лет», - сказал он.
Малайзия – крупный участник рынка полупроводников, на долю этой страны приходится порядка 13% общемирового объема тестирования и упаковки/корпусирования чипов. В этот сегмент в Малайзии планируют инвестировать более $100 млрд (не сказано за какой период).
В Малайзии добывают ряд РЗЭ, причем обсуждается запрет экспорта этих материалов.
К Малайзии внимательно приглядываются США, Тайвань и ряд европейских стран, десятки зарубежных компаний, работающих в области микроэлектроники, имеют в Малайзии производственные мощности или планы их создания в ближайшие годы (Amkor, AT&S, Bosh, Foxconn, GlobalWafers, Infineon, Intel, Kinsus Interconnect, Melexis, Micron, MKS Instruments и другие). Интерес к созданию полупроводниковых производств в Малайзии в области упаковки проявляют и китайские компании, которые диверсифицируют свою деятельность за рубежом. Всего в области полупроводникового рынка в стране действует порядка 50 компаний, включая малайзийские.
В 2024 году экономика Малайзии получила заметное вливание от американской Alphabet.
@RUSmicro по материалам Reuters
Малайзия стремится стать энергетическим хабом и одним из глобальных центров производства микроэлектроники
О таких целях заявили премьер-министр и министр экономики этой страны. Этому способствует рост экономики страны и стабильность валюты. Экономика страны в 2024 году «существенно восстановилась», чему способствовал приток стратегических инвестиций, в основном в возобновляемые источники энергии и в инфраструктуру ИИ.
«В 2025 году мы хотим удвоить нашу географическую привлекательность как поставщика электроэнергии, рабочей силы и возможности диверсифицировать цепочки поставок», - заявил премьер-министр Анвар Ибрагим на экономическом форуме.
Страна намеревается совершенствовать свою экспертизу в области нефти и газа, полупроводников и исламских финансов, чтобы стать одним из мировых лидеров в каждой из этих областей.
Министр экономики Рафизи Рамли заявил, что Малайзия стремится освоить производство собственных графических процессоров, поскольку растет спрос на ИИ и ЦОД.
«Мы надеемся, что сможем начать производство графических процессоров и ряда других чипов в Малайзии в течение следующих 5-10 лет», - сказал он.
Малайзия – крупный участник рынка полупроводников, на долю этой страны приходится порядка 13% общемирового объема тестирования и упаковки/корпусирования чипов. В этот сегмент в Малайзии планируют инвестировать более $100 млрд (не сказано за какой период).
В Малайзии добывают ряд РЗЭ, причем обсуждается запрет экспорта этих материалов.
К Малайзии внимательно приглядываются США, Тайвань и ряд европейских стран, десятки зарубежных компаний, работающих в области микроэлектроники, имеют в Малайзии производственные мощности или планы их создания в ближайшие годы (Amkor, AT&S, Bosh, Foxconn, GlobalWafers, Infineon, Intel, Kinsus Interconnect, Melexis, Micron, MKS Instruments и другие). Интерес к созданию полупроводниковых производств в Малайзии в области упаковки проявляют и китайские компании, которые диверсифицируют свою деятельность за рубежом. Всего в области полупроводникового рынка в стране действует порядка 50 компаний, включая малайзийские.
В 2024 году экономика Малайзии получила заметное вливание от американской Alphabet.
@RUSmicro по материалам Reuters
Reuters
Malaysia aiming to become energy, chip making hub, PM says
Malaysia wants to leverage its location to become an energy and chip manufacturing hub this year, riding a recent jump in investments and a favourable outlook for the domestic economy, its premier and economic minister said on Thursday.
🇺🇸 Регулирование. Экспортные ограничения. США
Запрет на экспорт чипов из США в Китай может быть расширен на чипы по технологии до 16 нм
Как узнали в Economic Daily News, в США готовятся ужесточить экспортный контроль в части экспорта чипов в Китай. На днях США могут представить еще более строгие ограничения на экспорт ИИ и передовых чипов в Китай. Кроме того, отраслевые источники указывают, что США могут распространить ограничения с текущих от 7нм и ниже до 16нм и ниже, то есть на часть «зрелых» техпроцессов. Это может создать немалые проблемы для производственных предприятий, значительная доля заказов которых пока что поступает из Китая.
Некоторые эксперты уверены, что расширение запрета до 16нм приведет к заметным негативным последствиям для целого ряда производителей, что может спровоцировать новую волну сбоев в мировой полупроводниковой промышленности.
Например, у крупнейшего в мире контрактного производителя, компании TSMC, изделия по техпроцессу 16 нм обеспечили около 8% выручки. Впрочем, далеко не весь этот объем приходится на потребителей из Китая. Да и доля в выручке от процессов 3нм и 5нм быстро растет. Так что TSMC может пострадать от новых ограничений заметно меньше, чем, например, GlobalFoundries, у которой изделия 16нм обеспечивают большую часть дохода.
Кроме ограничений по техпроцессу, в администрации Байдена размышляют над ограничениями на продажи чипов ИИ в большинство мировых регионов, что может негативно повлиять, прежде всего, на такие компании как Nvidia и AMD. В частности, может быть создана «трехуровневая система ограничений» торговли чипами, которая должна будет заблокировать доступ к передовым технологиям для Китая и России.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#санкции #экспортныйконтрольСША
Запрет на экспорт чипов из США в Китай может быть расширен на чипы по технологии до 16 нм
Как узнали в Economic Daily News, в США готовятся ужесточить экспортный контроль в части экспорта чипов в Китай. На днях США могут представить еще более строгие ограничения на экспорт ИИ и передовых чипов в Китай. Кроме того, отраслевые источники указывают, что США могут распространить ограничения с текущих от 7нм и ниже до 16нм и ниже, то есть на часть «зрелых» техпроцессов. Это может создать немалые проблемы для производственных предприятий, значительная доля заказов которых пока что поступает из Китая.
Некоторые эксперты уверены, что расширение запрета до 16нм приведет к заметным негативным последствиям для целого ряда производителей, что может спровоцировать новую волну сбоев в мировой полупроводниковой промышленности.
Например, у крупнейшего в мире контрактного производителя, компании TSMC, изделия по техпроцессу 16 нм обеспечили около 8% выручки. Впрочем, далеко не весь этот объем приходится на потребителей из Китая. Да и доля в выручке от процессов 3нм и 5нм быстро растет. Так что TSMC может пострадать от новых ограничений заметно меньше, чем, например, GlobalFoundries, у которой изделия 16нм обеспечивают большую часть дохода.
Кроме ограничений по техпроцессу, в администрации Байдена размышляют над ограничениями на продажи чипов ИИ в большинство мировых регионов, что может негативно повлиять, прежде всего, на такие компании как Nvidia и AMD. В частности, может быть создана «трехуровневая система ограничений» торговли чипами, которая должна будет заблокировать доступ к передовым технологиям для Китая и России.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#санкции #экспортныйконтрольСША
[News] U.S. Chip Export Ban to China May Extend to 16nm Before Biden Leaves Office | TrendForce News
According to a report from Economic Daily News, the U.S. is reportedly preparing to tighten chip export controls on China. Before the end of President...
📈 Прогнозы. Оценки. Статистика. Тренды
По данным SEMI, в 2025 году в мире планируется запуск строительства 18 новых фабрик
Из них – 3 ориентированы на пластины 200 мм, 15 – на пластины 300 мм. Запуски производства на этих фабах планируются в период 2026-2027.
Если говорить о региональном распределении, то в Америке запланировано начать стройку 4 фабрик, в Японии – 4, в Китае – 3, в Европе и на Ближнем востоке еще 3 (совокупно), на Тайване – 2, в Юго-Восточной Азии – 1, в Южной Корее – 1.
В отчете Ассоциации SEMI World Fab Forecast за 4q2024, охватывающем период 2023-2025 год, показано, что мировая полупроводниковая промышленность планирует запустить за этот период 97 новых крупносерийных фабов.
В 2024 году было начато производство на 48 фабах по всему миру, в 2025 году планируется запуск производства еще на 32 предприятиях. Они будут работать с пластинами от 50 до 300 мм.
Прогнозируется дальнейшее наращивание производственных мощностей. Совокупный объем производства пластин в 2025 году оценивается на уровне 33,6 млн пластин в месяц (пвм), а среднегодовые темпы роста – в 6,6%. Необходимость в росте производственных мощностей диктуется трендами на растущую востребованность высокопроизводительных вычислений (HPC) и растущим проникновением генеративного ИИ в периферийные устройства.
Полупроводниковая промышленность растет, реагируя на спрос на LLM, особенно это касается расширения мощностей производств 7нм и ниже, которые, как ожидается, покажут рост в 16%, что эквивалентно годовому росту производства на 300 тысяч пластин в месяц до совокупных 2.2 млн пвм в 2025 году.
На процессы влияет ориентация Китая на локализацию производства, рост потребностей в чипах автоиндустрии, приложений IoT. В результате «мейнстримовые» техпроцессы от 8нм до 45нм, как ожидается, покажут прирост объемов производства в 6%, что обеспечит в 2025 году превышение порога в 15 млн пвм.
Производство по зрелым технологиям (от 50нм и более) будет расширяться, но, как ожидается, более скромными темпами, отражая низкие темпы восстановления рынка. Как ожидается, этот сегмент будет расти со скоростью 5% и достигнет 14 млн пвм в 2025 году.
Контрактное производство продолжит рост
Контрактные производители, как ожидается, останутся лидерами по объемам закупок производственного оборудования. Контрактный сегмент, как ожидается, покажет рост на 10,9% год к году, его мощности вырастут с 11,3 млн пвм в 2024 году до 12,6 млн пвм в 2025 году.
Производственные мощности рынка памяти - тоже рост
Сегмент производства памяти демонстрирует измеримый рост объемов производства, но небольшой – 3.5% в 2024 году и 2.9% в 2025 году. Тем не менее, заметный спрос на решения GenAI стимулирует к рост и этот рынок. HBM-память особенно востребована.
Сегмент производства памяти DRAM испытывает рост примерно в 7% год к году и покажет рост в 4.5 млн пвм в 2025 году.
Установленные производственные мощности 3D NAND, как ожидается, покажут рост на 5% до 3.7 млн пвм в 2025 году.
@RUSmicro по материалам SEMI
#прогнозы #статистика #производственныемощности
По данным SEMI, в 2025 году в мире планируется запуск строительства 18 новых фабрик
Из них – 3 ориентированы на пластины 200 мм, 15 – на пластины 300 мм. Запуски производства на этих фабах планируются в период 2026-2027.
Если говорить о региональном распределении, то в Америке запланировано начать стройку 4 фабрик, в Японии – 4, в Китае – 3, в Европе и на Ближнем востоке еще 3 (совокупно), на Тайване – 2, в Юго-Восточной Азии – 1, в Южной Корее – 1.
В отчете Ассоциации SEMI World Fab Forecast за 4q2024, охватывающем период 2023-2025 год, показано, что мировая полупроводниковая промышленность планирует запустить за этот период 97 новых крупносерийных фабов.
В 2024 году было начато производство на 48 фабах по всему миру, в 2025 году планируется запуск производства еще на 32 предприятиях. Они будут работать с пластинами от 50 до 300 мм.
Прогнозируется дальнейшее наращивание производственных мощностей. Совокупный объем производства пластин в 2025 году оценивается на уровне 33,6 млн пластин в месяц (пвм), а среднегодовые темпы роста – в 6,6%. Необходимость в росте производственных мощностей диктуется трендами на растущую востребованность высокопроизводительных вычислений (HPC) и растущим проникновением генеративного ИИ в периферийные устройства.
Полупроводниковая промышленность растет, реагируя на спрос на LLM, особенно это касается расширения мощностей производств 7нм и ниже, которые, как ожидается, покажут рост в 16%, что эквивалентно годовому росту производства на 300 тысяч пластин в месяц до совокупных 2.2 млн пвм в 2025 году.
На процессы влияет ориентация Китая на локализацию производства, рост потребностей в чипах автоиндустрии, приложений IoT. В результате «мейнстримовые» техпроцессы от 8нм до 45нм, как ожидается, покажут прирост объемов производства в 6%, что обеспечит в 2025 году превышение порога в 15 млн пвм.
Производство по зрелым технологиям (от 50нм и более) будет расширяться, но, как ожидается, более скромными темпами, отражая низкие темпы восстановления рынка. Как ожидается, этот сегмент будет расти со скоростью 5% и достигнет 14 млн пвм в 2025 году.
Контрактное производство продолжит рост
Контрактные производители, как ожидается, останутся лидерами по объемам закупок производственного оборудования. Контрактный сегмент, как ожидается, покажет рост на 10,9% год к году, его мощности вырастут с 11,3 млн пвм в 2024 году до 12,6 млн пвм в 2025 году.
Производственные мощности рынка памяти - тоже рост
Сегмент производства памяти демонстрирует измеримый рост объемов производства, но небольшой – 3.5% в 2024 году и 2.9% в 2025 году. Тем не менее, заметный спрос на решения GenAI стимулирует к рост и этот рынок. HBM-память особенно востребована.
Сегмент производства памяти DRAM испытывает рост примерно в 7% год к году и покажет рост в 4.5 млн пвм в 2025 году.
Установленные производственные мощности 3D NAND, как ожидается, покажут рост на 5% до 3.7 млн пвм в 2025 году.
@RUSmicro по материалам SEMI
#прогнозы #статистика #производственныемощности
🇪🇺 Кремниевая фотоника. Источники света. Европа
Компания Imec сообщает о полномасштабном производстве наногребневых GaAs лазеров на пластинах 300 мм
Мы уже начинали обсуждать европейский прорыв в кремниевой фотонике, в основе которого – возможность на обычной кремниевой пластине 300 мм создать лазерный диод GaAs. Сегодня – еще немного подробностей.
Компания Imec объявила об успешной демонстрации электрически управляемых наногребневых лазерных диодов на основе GaAs, которые были полностью монолитно изготовлены на 300-мм кремниевых пластинах на пилотной линии, где проводится прототипирование кремниевых структур. Это существенное достижение – важная веха в области кремниевой фотоники.
Эти результаты показывают потенциал прямого эпитаксиального роста высококачественных материалов III-V на кремнии. Выращенный лазер может непрерывно работать при комнатной температуре с пороговыми токами всего 5 мА и выходными напряжениями более 1 мВт.
Этот прорыв открывает путь к разработке высокопроизводительных и экономически эффективных оптических устройств для приложений в области ИИ, ML и передачи данных.
До сих пор широкое распространении кремниевой фотоники сдерживалось отсутствием собственных источников света на базе КМОП-технологий, которые славятся высокой масштабируемостью. Сложные процессы интеграции лазеров или необходимость использования дорогостоящих подложек III-V, которые часто приходится выбрасывать после попыток обработки, являются неотъемлемой частью гибридных или гетерогенных интеграционных решений, таких как соединение кристалла с пластиной, микротрансферная печать или методом перевернутого кристалла. Это приводит к росту затрат. По этой причине прямой эпитаксиальный рост высококачественных материалов с оптическим усилением III-V селективно на крупногабаритных кремниевых фотонных пластинах остается востребованной целью.
Образование дефектов из-за несоответствия кристаллических структур неизбежно из-за разницы коэффициентов теплового расширения и параметров кристаллической решетки таких материалов как III-V и Si. Известно, что эти дефекты могут снижать надежность и производительность лазера.
Удерживая дислокации несоответствия в канавках, вытравленных в диэлектрической маске, селективный рост областей (SAG) в сочетании с захватом соотношения сторон (ASP – aspect-ratio trapping) существенно снижает дефекты в материалах III-V, интегрированных в кремний.
В лазерах используются низкодефектные наноструктуры GaAs с наногребнями для интеграции множественных квантовых ям (MQW / МКЯ) InGaAs в качестве области оптического усиления. Эти MQW встроены в легированный in situ (на месте) p-i-n диод и пассивированы защитным слоем InGaP. Получение непрерывной работы лазера при комнатной температуре посредством электрической инжекции является значительным достижением, поскольку позволяет преодолеть препятствия в проектировании интерфейса и подаче тока.
Устройство демонстрирует лазерную генерацию на длине волны около 1020 нм с пороговыми токами всего 5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 Вт/А и оптической мощностью, приближающейся к 1,75 мВт. Это демонстрирует масштабируемый путь для развития кремниевой фотоники. Это мощный импульс для ее превращения в востребованную технологию.
@RUSmicro по материалам Embedded
#кремниеваяфотоника #источникисвета
Компания Imec сообщает о полномасштабном производстве наногребневых GaAs лазеров на пластинах 300 мм
Мы уже начинали обсуждать европейский прорыв в кремниевой фотонике, в основе которого – возможность на обычной кремниевой пластине 300 мм создать лазерный диод GaAs. Сегодня – еще немного подробностей.
Компания Imec объявила об успешной демонстрации электрически управляемых наногребневых лазерных диодов на основе GaAs, которые были полностью монолитно изготовлены на 300-мм кремниевых пластинах на пилотной линии, где проводится прототипирование кремниевых структур. Это существенное достижение – важная веха в области кремниевой фотоники.
Эти результаты показывают потенциал прямого эпитаксиального роста высококачественных материалов III-V на кремнии. Выращенный лазер может непрерывно работать при комнатной температуре с пороговыми токами всего 5 мА и выходными напряжениями более 1 мВт.
Этот прорыв открывает путь к разработке высокопроизводительных и экономически эффективных оптических устройств для приложений в области ИИ, ML и передачи данных.
До сих пор широкое распространении кремниевой фотоники сдерживалось отсутствием собственных источников света на базе КМОП-технологий, которые славятся высокой масштабируемостью. Сложные процессы интеграции лазеров или необходимость использования дорогостоящих подложек III-V, которые часто приходится выбрасывать после попыток обработки, являются неотъемлемой частью гибридных или гетерогенных интеграционных решений, таких как соединение кристалла с пластиной, микротрансферная печать или методом перевернутого кристалла. Это приводит к росту затрат. По этой причине прямой эпитаксиальный рост высококачественных материалов с оптическим усилением III-V селективно на крупногабаритных кремниевых фотонных пластинах остается востребованной целью.
Образование дефектов из-за несоответствия кристаллических структур неизбежно из-за разницы коэффициентов теплового расширения и параметров кристаллической решетки таких материалов как III-V и Si. Известно, что эти дефекты могут снижать надежность и производительность лазера.
Удерживая дислокации несоответствия в канавках, вытравленных в диэлектрической маске, селективный рост областей (SAG) в сочетании с захватом соотношения сторон (ASP – aspect-ratio trapping) существенно снижает дефекты в материалах III-V, интегрированных в кремний.
В лазерах используются низкодефектные наноструктуры GaAs с наногребнями для интеграции множественных квантовых ям (MQW / МКЯ) InGaAs в качестве области оптического усиления. Эти MQW встроены в легированный in situ (на месте) p-i-n диод и пассивированы защитным слоем InGaP. Получение непрерывной работы лазера при комнатной температуре посредством электрической инжекции является значительным достижением, поскольку позволяет преодолеть препятствия в проектировании интерфейса и подаче тока.
Устройство демонстрирует лазерную генерацию на длине волны около 1020 нм с пороговыми токами всего 5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 Вт/А и оптической мощностью, приближающейся к 1,75 мВт. Это демонстрирует масштабируемый путь для развития кремниевой фотоники. Это мощный импульс для ее превращения в востребованную технологию.
@RUSmicro по материалам Embedded
#кремниеваяфотоника #источникисвета
🇺🇸 Производственные мощности. Техпроцессы. США
Fab 21 TSMC в Аризоне уже производит чипы по техпроцессу 4нм
Министр торговли США Джина Раймондо сообщила агентству Reuters, что TSMC начала производство чипов на своей фабрике Fab 21 неподалеку от Финикса, Аризона, с использованием техпроцесса 4нм. Это первый случай изготовления столь передового производственного узла в США. Это первое официальное подтверждение информации о том, что речь идет о серийном производстве.
По заявлению г-жи Раймондо, чипы производятся с тем же, что в Тайване уровнем качества и выхода годных. На сегодня это самое технологически передовое производство в США.
По неофициальной информации, завод TSMC Fab 21 в Аризоне выпускает как минимум 3 модели процессоров: однокристальную систему A16 Bionic, используемую в iPhone 15 и iPhone 15 Plus от Apple, основной процессор однокристальной системы S9 от Apple для умных часов, который имеет два 64-битных ядра и 4-х ядерный нейронный движок, а также процессор AMD Ryzen серии 9000. Эти чипы производятся с использованием техпроцессов TSMC – N4 и N4P.
Проект TSMC Arizona имеет важное значение в исполнении планов США – производить 20% самых передовых в мире логических микросхем к 2030 году. Администрация Байдена поставила эту цель несколько лет назад, еще до разработки и принятия «Закона о чипах». Завод TSMC под Аризоной производит современные чипы для американских компаний в сравнительно большом объеме – около 10 тысяч пластин в месяц.
Впрочем, называть микросхемы по техпроцессам N4 и N4P можно лишь с некоторой натяжкой, учитывая, что TSMC на Тайване уже освоила производство чипов с использованием техпроцесса 2нм. Так что США пока что продолжают отставать от Тайваня по технологическим возможностям. У Южной Кореи тоже более передовые производственные возможности. Япония пока что отстает, но в этой стране явно решили, что пришло время вернуться в Топ-4 стран по уровню чиповых технологий и активно действуют для достижения этой цели.
Минторг США предоставил TSMC гранты на сумму $6.6 млрд и кредитные гарантии на сумму до $5 млрд. Общая сумма инвестиций в Fab 21 потребует финансирования в размере около $65 млрд, чтобы построить и запустить 3 фабричных модуля. Запуск планируется осуществить до конца десятилетия.
Ожидается, что фаза 2 Fab 21 начнет производство в 2028 году с использованием техпроцесса 3нм. К концу десятилетия TSMC рассчитывает построить 3-ю фазу фаба, который, как планируется, будет выпускать чипы на основе узлов 2нм и 1.6нм, включая модификации с подачей питания с обратной стороны кристалла.
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#4нм
Fab 21 TSMC в Аризоне уже производит чипы по техпроцессу 4нм
Министр торговли США Джина Раймондо сообщила агентству Reuters, что TSMC начала производство чипов на своей фабрике Fab 21 неподалеку от Финикса, Аризона, с использованием техпроцесса 4нм. Это первый случай изготовления столь передового производственного узла в США. Это первое официальное подтверждение информации о том, что речь идет о серийном производстве.
По заявлению г-жи Раймондо, чипы производятся с тем же, что в Тайване уровнем качества и выхода годных. На сегодня это самое технологически передовое производство в США.
По неофициальной информации, завод TSMC Fab 21 в Аризоне выпускает как минимум 3 модели процессоров: однокристальную систему A16 Bionic, используемую в iPhone 15 и iPhone 15 Plus от Apple, основной процессор однокристальной системы S9 от Apple для умных часов, который имеет два 64-битных ядра и 4-х ядерный нейронный движок, а также процессор AMD Ryzen серии 9000. Эти чипы производятся с использованием техпроцессов TSMC – N4 и N4P.
Проект TSMC Arizona имеет важное значение в исполнении планов США – производить 20% самых передовых в мире логических микросхем к 2030 году. Администрация Байдена поставила эту цель несколько лет назад, еще до разработки и принятия «Закона о чипах». Завод TSMC под Аризоной производит современные чипы для американских компаний в сравнительно большом объеме – около 10 тысяч пластин в месяц.
Впрочем, называть микросхемы по техпроцессам N4 и N4P можно лишь с некоторой натяжкой, учитывая, что TSMC на Тайване уже освоила производство чипов с использованием техпроцесса 2нм. Так что США пока что продолжают отставать от Тайваня по технологическим возможностям. У Южной Кореи тоже более передовые производственные возможности. Япония пока что отстает, но в этой стране явно решили, что пришло время вернуться в Топ-4 стран по уровню чиповых технологий и активно действуют для достижения этой цели.
Минторг США предоставил TSMC гранты на сумму $6.6 млрд и кредитные гарантии на сумму до $5 млрд. Общая сумма инвестиций в Fab 21 потребует финансирования в размере около $65 млрд, чтобы построить и запустить 3 фабричных модуля. Запуск планируется осуществить до конца десятилетия.
Ожидается, что фаза 2 Fab 21 начнет производство в 2028 году с использованием техпроцесса 3нм. К концу десятилетия TSMC рассчитывает построить 3-ю фазу фаба, который, как планируется, будет выпускать чипы на основе узлов 2нм и 1.6нм, включая модификации с подачей питания с обратной стороны кристалла.
@RUSmicro по материалам Tom’s Hardware
#4нм
Tom's Hardware
TSMC's Arizona Fab 21 is already making 4nm chips
It was alleged to be for AMD and Apple, but Raimondo did not say that.
🇨🇳 Материалы. Литий
Китай стал вторым по величине в мире держателем запасов лития
Китай объявил об открытии большого месторождения сподумена (силикат алюминия с литием, пироксен, относится к группе пегматитовых материалов) в Тибете. Литий добывают из сподумена, например, в Австралии, крупном поставщике этого материала.
Это месторождение примерно утроило запасы лития, находящегося в распоряжении Китая. Ранее на долю Китая приходилось порядка 6% разведанных мировых запасов, теперь оценка меняется на 16,5%, что больше, чем у Австралии, Аргентины, Боливии, но меньше, чем у Чили.
Пояс сподумена, открытый в Тибете, протянулся на 2800 км. По предварительным оценкам, пояс может содержать более 6,5 млн тонн лития, потенциально до 30 млн тонн.
Кроме того, на Тибетском нагорье были обнаружены соленые озера с запасами более 14 млн тонн лития, третьи по величине в мире озера такого рода.
Своевременное открытие, учитывая вялотекущий, но массовый переход на электромобили во всем мире.
Для них нужен литий и в значительных количествах, в частности, в отчете Global Times со ссылкой на официальные данные говорится, что с января по октябрь 2024 года производство литий-ионных аккумуляторов в Китае выросло на 16%, достигнув 890 ГВт.ч.
На сегодня Китай в значительной мере зависит от импорта лития, что повышает себестоимость продукции и ограничивает рост автомобильной отрасли.
В 2022 году на долю Китая пришлось 76% мирового производства Li-Ion аккумуляторов. За последние 20 лет Китай инвестировал в закупки и производств, став крупнейшим в мире потребителем аккумуляторов. В частности, компания CATL является одним из крупнейших производителей Li-Ion аккумуляторов в Китае и мировым лидером по производству аккумуляторов.
@RUSmicro по материалам Trend Force
#литий #материалы
Китай стал вторым по величине в мире держателем запасов лития
Китай объявил об открытии большого месторождения сподумена (силикат алюминия с литием, пироксен, относится к группе пегматитовых материалов) в Тибете. Литий добывают из сподумена, например, в Австралии, крупном поставщике этого материала.
Это месторождение примерно утроило запасы лития, находящегося в распоряжении Китая. Ранее на долю Китая приходилось порядка 6% разведанных мировых запасов, теперь оценка меняется на 16,5%, что больше, чем у Австралии, Аргентины, Боливии, но меньше, чем у Чили.
Пояс сподумена, открытый в Тибете, протянулся на 2800 км. По предварительным оценкам, пояс может содержать более 6,5 млн тонн лития, потенциально до 30 млн тонн.
Кроме того, на Тибетском нагорье были обнаружены соленые озера с запасами более 14 млн тонн лития, третьи по величине в мире озера такого рода.
Своевременное открытие, учитывая вялотекущий, но массовый переход на электромобили во всем мире.
Для них нужен литий и в значительных количествах, в частности, в отчете Global Times со ссылкой на официальные данные говорится, что с января по октябрь 2024 года производство литий-ионных аккумуляторов в Китае выросло на 16%, достигнув 890 ГВт.ч.
На сегодня Китай в значительной мере зависит от импорта лития, что повышает себестоимость продукции и ограничивает рост автомобильной отрасли.
В 2022 году на долю Китая пришлось 76% мирового производства Li-Ion аккумуляторов. За последние 20 лет Китай инвестировал в закупки и производств, став крупнейшим в мире потребителем аккумуляторов. В частности, компания CATL является одним из крупнейших производителей Li-Ion аккумуляторов в Китае и мировым лидером по производству аккумуляторов.
@RUSmicro по материалам Trend Force
#литий #материалы
[News] China Becomes Second-Largest Lithium Holder after New Mine Discovery, Boosting EV Battery Sector | TrendForce News
China may have more bargaining power in the electric vehicle and battery sectors, though in an unexpected way. According to a report from Interesting ...
📚 Справочная информация. Датчики
Готов второй выпуск Каталога датчиков для гражданского рынка от АКРП-Консорциум дизайн-центров
📈 В данный выпуск вошло более 160 единиц флагманской продукции от более, чем 20 российских разработчиков датчиков
📘 Каталог объединяет информацию по ключевым технологическим группам:
▫️Для добычного оборудования
▫️Электронных комплектующих для транспорта
▫️Для спутникового и навигационного оборудования
▫️Энергетического оборудования
▫️Для систем и дополнительного оборудования защиты и безопасности
▫️Для периферийного и вспомогательного оборудования вычислительных систем
▫️Для комплектующих к осветительному оборудованию
▫️Для климатического оборудования
▫️Датчики и регистраторы
▫️Для измерения физических величин
▫️Для узкоспециализированных измерений
▫️Датчики положения
▫️Для измерения излучения
▫️Датчики контрольного и испытательного оборудования
▫️Оптические датчики
Не могу включать в текст ссылку на получение, чтобы этот информационный пост не посчитали рекламным. Уверен, что кому этот каталог необходим, легко его найдет.
С декабря 2021 года Ассоциация выпустила уже 12 каталогов ЭKБ, модулей, датчиков, сервисов и стажировок, в которых более 340 компаний-разработчиков представило не менее 3 тысяч предложений, в том числе аналогов известных мировых лидеров.
@RUSmicro по информации АКРП
#справочная #датчики
Готов второй выпуск Каталога датчиков для гражданского рынка от АКРП-Консорциум дизайн-центров
📈 В данный выпуск вошло более 160 единиц флагманской продукции от более, чем 20 российских разработчиков датчиков
📘 Каталог объединяет информацию по ключевым технологическим группам:
▫️Для добычного оборудования
▫️Электронных комплектующих для транспорта
▫️Для спутникового и навигационного оборудования
▫️Энергетического оборудования
▫️Для систем и дополнительного оборудования защиты и безопасности
▫️Для периферийного и вспомогательного оборудования вычислительных систем
▫️Для комплектующих к осветительному оборудованию
▫️Для климатического оборудования
▫️Датчики и регистраторы
▫️Для измерения физических величин
▫️Для узкоспециализированных измерений
▫️Датчики положения
▫️Для измерения излучения
▫️Датчики контрольного и испытательного оборудования
▫️Оптические датчики
Не могу включать в текст ссылку на получение, чтобы этот информационный пост не посчитали рекламным. Уверен, что кому этот каталог необходим, легко его найдет.
С декабря 2021 года Ассоциация выпустила уже 12 каталогов ЭKБ, модулей, датчиков, сервисов и стажировок, в которых более 340 компаний-разработчиков представило не менее 3 тысяч предложений, в том числе аналогов известных мировых лидеров.
@RUSmicro по информации АКРП
#справочная #датчики