tgoop.com/chemrussia/5124
Last Update:
Управляемый магнитный материал на основе спин-поляризованных структур для высокоточной электроники
Сотрудники Института общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН совместно с учеными из Физического института им. П.Н. Лебедева РАН и НИЦ «Курчатовский институт» разрабатывают высокочувствительные управляемые магнитные материалы на основе спин-поляризованных структур. Исследования проводятся на полупроводниковых соединениях (антимониды группы АIIIВV и арсениды кадмия) в качестве материала матрицы, а в качестве ферромагнетиков используются антимонид и арсенид марганца. Применение полупроводников ввиду высокой подвижности носителей заряда предпочтительно при создании спин-поляризованных структур.
Результаты работы, выполненной при поддержке РНФ (проект № 21-73-20220), опубликованы в журнале Vacuum и могут быть использованы при разработке устройств магнитной памяти, средств связи, сенсоров и микроэлектроники нового поколения.
A.I. Ril’, L.N. Oveshnikov, A.V. Ovcharov, S.F. Marenkin. Synthesis and phase composition of Cd3As2 Dirac semimetal crystals doped with Cr. Vacuum 230, 113692 (2024). DOI: 10.1016/j.vacuum.2024.113692. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2024.113692
Пресс-релиз опубликован на сайтах ТАСС, Научная Россия, Поиск, РНФ, InScience, Индикатор, Mendeleev.info
#российскаянаука #ионх
BY Химия в России и за рубежом (канал ИОНХ РАН)
Share with your friend now:
tgoop.com/chemrussia/5124