UTPOWERELEC Telegram 1116
❇️کلیدهای IGBT جدید مبتنی بر فناوری SiC

اخیراً، شرکت میتسوبیشی الکتریک عرضه نسل دوم فناوری کلیدهای سیلیکون کاربید (SiC) را در ماژول های کلاس 1200 ولت و 1700 ولت آغاز کرده است. این ماژول‌های جدید، که در شکل پست نشان داده شده‌اند، کارایی بیشتر و توان بالاتر، چگالی بیشتری نسبت به نسل‌های قبلی SiC و همچنین آخرین فناوری سیلیکون (Si) ارائه می‌کنند که قابلیت‌های جدیدی در کاربردهای حوزه انرژی، حمل‌ونقل و پزشکی را ممکن می‌سازد.
شکل موجود در پست کاهش چشمگیر تلفات و بهبود کارایی را نشان می دهد که با بکارگیری فناوری های پردازش پیشرفته و ساختارهای بهینه ادوات نیمه هادی به دست آمده است. مطابق این شکل در ده سال اول توسعه IGBT از نسل اول تا نسل پنجم، تلفات اینورتر معمولی به نصف کاهش یافته است. در ده سال اخیر از سال 2010 تا به امروز، تلفات IGBT تنها حدود 20٪ کاهش یافته است و این نشان از محدودیت در فناوری Si برای کاهش تلفات است. این یکی از انگیزه های اصلی برای توسعه فناوری SiC است. این شکل کاهش چشمگیر تلفات به دست آمده با استفاده از SiC را نشان می دهد. این پیشرفت بسیار فراتر از چیزی است که می توان با کلیدهای IGBT سیلیکونی به دست آورد.
این ماژول‌های توان SiC شروع به جایگزینی با همتایان سیلیکونی خود در کاربردهایی کرده اند که در آن هزینه و مزایای بدست آمده در اثر استفاده از کلیدهای SiC بسیار بیشتر از
هزینه اولیه ی بالا برای این ماژول ها است. چند نمونه از این کاربردها عبارتند از:

اینورترهای فتوولتائیک برای دستیابی به راندمان بالاتر سیستم و کاهش اندازه/هزینه ادوات مغناطیسی
اینورترهای محرکه های حمل نقل ریلی برای دستیابی به قابلیت ترمز با بازیابی توان بیشتر و در نتیجه کاهش هزینه های عملیاتی طول عمر به دلیل کاهش ترمز مکانیکی
اینورترهای کمکی کششی (Traction) در کاربرد حمل و نقل برای کاهش وزن و هزینه ادوات مغناطیسی سیستم
تقویت کننده های اشعه ایکس و MRI برای افزایش عملکرد سیستم به لطف عملکرد فرکانس بالاتر و سیستم های خنک کننده کوچکتر
درایوهای آسانسور به دلیل افزایش بازدهی، هزینه های عملیاتی سیستم در طول عمر را کاهش می دهد
کاربردهای پیشرانه خودرو برای کاهش اندازه/وزن اینورتر و افزایش برد باتری.



#فناوری_WBG
#کلیدهای_SiC

⚡️ @UTpowerelec



tgoop.com/utpowerelec/1116
Create:
Last Update:

❇️کلیدهای IGBT جدید مبتنی بر فناوری SiC

اخیراً، شرکت میتسوبیشی الکتریک عرضه نسل دوم فناوری کلیدهای سیلیکون کاربید (SiC) را در ماژول های کلاس 1200 ولت و 1700 ولت آغاز کرده است. این ماژول‌های جدید، که در شکل پست نشان داده شده‌اند، کارایی بیشتر و توان بالاتر، چگالی بیشتری نسبت به نسل‌های قبلی SiC و همچنین آخرین فناوری سیلیکون (Si) ارائه می‌کنند که قابلیت‌های جدیدی در کاربردهای حوزه انرژی، حمل‌ونقل و پزشکی را ممکن می‌سازد.
شکل موجود در پست کاهش چشمگیر تلفات و بهبود کارایی را نشان می دهد که با بکارگیری فناوری های پردازش پیشرفته و ساختارهای بهینه ادوات نیمه هادی به دست آمده است. مطابق این شکل در ده سال اول توسعه IGBT از نسل اول تا نسل پنجم، تلفات اینورتر معمولی به نصف کاهش یافته است. در ده سال اخیر از سال 2010 تا به امروز، تلفات IGBT تنها حدود 20٪ کاهش یافته است و این نشان از محدودیت در فناوری Si برای کاهش تلفات است. این یکی از انگیزه های اصلی برای توسعه فناوری SiC است. این شکل کاهش چشمگیر تلفات به دست آمده با استفاده از SiC را نشان می دهد. این پیشرفت بسیار فراتر از چیزی است که می توان با کلیدهای IGBT سیلیکونی به دست آورد.
این ماژول‌های توان SiC شروع به جایگزینی با همتایان سیلیکونی خود در کاربردهایی کرده اند که در آن هزینه و مزایای بدست آمده در اثر استفاده از کلیدهای SiC بسیار بیشتر از
هزینه اولیه ی بالا برای این ماژول ها است. چند نمونه از این کاربردها عبارتند از:

اینورترهای فتوولتائیک برای دستیابی به راندمان بالاتر سیستم و کاهش اندازه/هزینه ادوات مغناطیسی
اینورترهای محرکه های حمل نقل ریلی برای دستیابی به قابلیت ترمز با بازیابی توان بیشتر و در نتیجه کاهش هزینه های عملیاتی طول عمر به دلیل کاهش ترمز مکانیکی
اینورترهای کمکی کششی (Traction) در کاربرد حمل و نقل برای کاهش وزن و هزینه ادوات مغناطیسی سیستم
تقویت کننده های اشعه ایکس و MRI برای افزایش عملکرد سیستم به لطف عملکرد فرکانس بالاتر و سیستم های خنک کننده کوچکتر
درایوهای آسانسور به دلیل افزایش بازدهی، هزینه های عملیاتی سیستم در طول عمر را کاهش می دهد
کاربردهای پیشرانه خودرو برای کاهش اندازه/وزن اینورتر و افزایش برد باتری.



#فناوری_WBG
#کلیدهای_SiC

⚡️ @UTpowerelec

BY UTPowerElec


Share with your friend now:
tgoop.com/utpowerelec/1116

View MORE
Open in Telegram


Telegram News

Date: |

Read now How to Create a Private or Public Channel on Telegram? Hui said the time period and nature of some offences “overlapped” and thus their prison terms could be served concurrently. The judge ordered Ng to be jailed for a total of six years and six months. A new window will come up. Enter your channel name and bio. (See the character limits above.) Click “Create.” With the administration mulling over limiting access to doxxing groups, a prominent Telegram doxxing group apparently went on a "revenge spree."
from us


Telegram UTPowerElec
FROM American