❇️دسته بندی روش های کنترل مد لغزشی



#روش_های_نوین_کنترلی

⚡️ @UTPowerElec

❇️دسته بندی روش های کنترل مد لغزشی

در چند دهه اخیر، روش کنترل مد لغزشی (Sliding Mod Control (SMC که برگرفته از نظریه سیستم های ساختار متغیر (VSS یا Variable Structure Systems) است، به عنوان یکی از ابزارهای کنترلی محبوب و قدرتمند در مبدل های الکترونیک قدرت شناخته شده است. محبوبیت این روش کنترلی ناشی از ویژگی Robust بودن این روش کنترلی است که نیاز به پارامترهای سیستم برای مدل سازی دقیق را از بین می برد. مبدل های الکترونیک قدرت متعلق به یک کلاس خاص از VSSها هستند، زیرا ساختار آنها همیشه توسط حالات کلیدزنی مختلف تغییر می کند. از این منظر، SMC یک روش کنترلی مناسب برای مبدل های الکترونیک قدرت است. ایده اصلی پشت SMC این است که حالت‌های سیستم را وادار کنیم تا با استفاده از منطق کنترل ناپیوسته، که بین دو ساختار مختلف سیستم سوئیچ می‌کند، روی یک سطح لغزشی از پیش تعریف‌شده حرکت کند. هنگامی که یک سیستم در حالت لغزشی است، مسیر وضعیت آن با خط لغزشی منطبق است که نه به پارامترهای سیستم و نه به اختلال بستگی دارد. بلکه فقط به ضریب لغزش بستگی دارد. در چنین حالتی، مرتبه سیستم کنترل‌شده یک مرتبه کاهش می‌یابد که منجر به ساده‌سازی در طراحی و مجزاسازی دینامیک متغیر حالت می‌شود.

در سالهای اخیر در کنار روش SMC مرسوم، بسیاری از روش‌های SMC دیگر، مانند total SMC، observer based SMC، integral SMC و terminal SMC و ... پیشنهاد شده اند. شکل موجود در پست طبقه بندی روش های SMC را همراه با روش های طراحی نشان می دهد. به طور کلی، طراحی روش SMC شامل طراحی تابع سطح لغزشی، انتخاب ضریب لغزشی، انتخاب ورودی کنترلی، و تکنیک های مدولاسیون است.
برای آشنایی بیشتر با روش کنترلی مد لغزشی و کاربردهای آن در الکترونیک قدرت، میتوانید به مقاله مروری دکتر HASAN KOMURCUGIL، در لینک زیر مراجعه کنید.

➡️ https://ieeexplore.ieee.org/document/9305197/


#روش_های_نوین_کنترلی

⚡️ @UTPowerElec

✅ راهکار هایی به منظور کاهش حرارت مدار های چاپی


#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت

⚡️ @UTPowerElec

✅ راهکار هایی به منظور کاهش حرارت مدار های چاپی

🔸اگرچه برای بسیاری از مدار های چاپی کوچک ، مسائل حرارتی مشکلی ایجاد نمی کند ، اما در PCB های مدرن که سرعت پردازش بالاتر و تراکم اجزا بیشتر است ، مسائل حرارتی اغلب می توانند به یک مانع قابل توجه تبدیل شود.گرمای تولید شده توسط IC به لایه های مسی PCB منتقل می شود و در طراحی حرارتی ایده آل باعث می شود که کل صفحه دارای دمای یکسان باشد. ضخامت مس ، تعداد لایه ها ، طول مسیرهای حرارتی و ابعاد صفحه تأثیر مستقیمی بر دمای عملکرد اجزا خواهد داشت.با رعایت موارد ذکر شده می توانید بخش زیادی از این تنش های حرارتی را کاهش دهید.

✅فضای کافی اطراف IC های گرمتر در نظر بگیرید: اجزایی که دمای زیادی منتشر می کنند نیاز به فضای خالی بیشتری در اطراف خود دارند،همچنین برای هیت سینک ها نیز فضای کافی در نظر بگیرد تا قادر به دفع دما باشند.

✅حفره هایی برای جریان هوا زیر المان های گرمتر در نظر بگیرید: حفره ها علاوه بر ایجاد اتصال الکتریکی بین لایه ها ، ابزاری مناسب برای انتقال گرما هستند.با قرار دادن چندین حفره در زیر IC ، شما قادر خواهید بود دمای عملیاتی یک IC را کاهش دهید ، که به نوبه خود طراحی شما را در طولانی مدت دارای قابلیت اطمینان بیشتر می کند.

✅برای پخش دما به طور یکسان IC های گرمتر را در کنار یکدیگر قرار ندهید: مدیریت درست در چینش اجزا با توجه دمای کارکرد آن ها نیز بسیار موثر در پخش و دفع بهینه دما در مدارهای چاپی خواهد بود.


#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت

⚡️ @UTPowerElec

❇️ محل استفاده و مزایای استفاده از فریت بید در گیت درایو

برای مطالعه این مطلب به لینک زیر مراجعه کنید:

📶 https://b2n.ir/h13344


#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت

⚡️ @UTPowerElec

❇️ استفاده از شبکه LISN برای اندازه گیری تداخلات الکترومغناطیسی هدایتی

شبکه LISN (مخفف line impedance stabilization network) یک شبکه سلفی-خازنی-مقاومتی است که در بین تجهیز الکترونیک قدرت و برق ورودی متصل میشود و نویز هدایتی فرکانس بالا را از طریق یک مسیر کم امپدانس به خروجی متصل به اسپکتروم آنالایزر (یا تحلیل گر طیف فرکانسی) منتقل میکند. با استفاده از اسپکتروم آنالایزر میتوان میزان دامنه نویز هدایتی در هر فرکانس را بدست آورد. در این ویدیو نحوه استفاده از یک سیستم LISN برای اندازه گیری میزان نویز هدایتی نشان داده شده است.


#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
#تداخلات_الکترومغناطیسی

⚡️ @UTPowerElec

❇️ ویدیوهای آموزشی مرتبط با نویز و EMI و راه های مقابله با آن در مدارات الکترونیک قدرت

❇️ نکات طراحی PCB برای مقابله با EMI-بخش 1:

📶 https://www.aparat.com/v/N5tTE

❇️ نکات طراحی PCB برای مقابله با EMI- بخش 2:

📶 https://www.aparat.com/v/mNRgO

❇️ نکات طراحی PCB برای مقابله با EMI- بخش 3:

📶 https://www.aparat.com/v/ni3DL

✅ نکات طراحی PCB درایوهای الکتریکی:

📶 https://www.aparat.com/v/ni3DL


❇️ آموزش ملاحظات طراحی در برابر پالسهای الکتریکی تندگذر (EFT)-بخش 1:

📶 https://www.aparat.com/v/DYu5z

❇️ آموزش ملاحظات طراحی در برابر پالسهای الکتریکی تندگذر (EFT)-بخش 2:

📶 https://www.aparat.com/v/qS8ht

❇️ آموزش ملاحظات طراحی در برابر پالسهای الکتریکی تندگذر (EFT)-بخش 3:

📶 https://www.aparat.com/v/eQCL6

❇️ آموزش ملاحظات طراحی در برابر پالسهای الکتریکی تندگذر (EFT)-بخش 4:

📶 https://www.aparat.com/v/6WXmk

❇️ آموزش ملاحظات طراحی در برابر پالسهای الکتریکی تندگذر (EFT)-بخش 5:

📶 https://www.aparat.com/v/q41dL

❇️ آموزش ملاحظات طراحی در برابر پالسهای الکتریکی تندگذر (EFT)-بخش 6:

📶 https://www.aparat.com/v/jLkc0

❇️ آموزش ملاحظات طراحی در برابر پالسهای الکتریکی تندگذر (EFT)-بخش 7:

📶 https://www.aparat.com/v/IguHU


✅ آشنایی با تخلیه الکترواستاتیک (ESD) - بخش 1:

📶 https://www.aparat.com/v/VRXty

✅ آشنایی با تخلیه الکترواستاتیک (ESD) - بخش 2:

📶 https://www.aparat.com/v/rbIOx



#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت

⚡️ @UTPowerElec

🔹اثر حافظه در باتری ها

🔸اثر حافظه توضیح دهنده یک وضعیت بسیار خاص است که در آن برخی از باتری‌های NiCd و NiMH اگر بار‌ها پس از این که تنها بخشی شارژ خود را تخلیه کردند به صورت کامل شارژ شوند، به تدریج بیشینه ظرفیت انرژی خود را از دست می‌دهند. به نظر می‌رسد که باتری به خاطر می‌سپارد که ظرفیت آن کوچک‌تر است. منشاء این اثر تغییرات در ویژگی‌های مواد فعال پیل است که کم‌تر استفاده شده‌اند. این "حافظه" ظرفیت شارژهای بعدی و در نتیجه عمر باتری در آینده را در یک دستگاه مشخص کاهش می دهد. این اثر همچنین می تواند توسط شارژرهای با طراحی ضعیف ایجاد شود.
🔸اثر حافظه را می توان با استفاده مجدد از باتری کاهش داد. با استفاده از چرخه تخلیه عمیق و شارژ، می توان باتری های دارای اثر حافظه را دوباره تعمیر کرد. برخی شارژرها حالت های خاص اصلاح مجدد باتری را نیز دارند.
🔸در باتری های جدیدتر ( مثل باتری لیتیوم- یون ) با توجه به ساختارشیمیایی، این اثر ناچیز است. در این نوع از باتری ها تخلیه ظرفیت کامل باتری برای طول عمر سلول ها نامناسب است و باعث زودتر خراب شدن باتری میشود.

#نکات_کاربردي_الکترونيک_قدرت
#باتری

⚡️@UTPowerElec

❇️ برتری کلیدهای GaN در مقایسه با کلیدهای سیلیکونی

#کلیدهای_نیترید_گالیوم
#مبدلهای_با_چگالی_توان_بالا


⚡️@UTPowerElec

❇️ برتری کلیدهای GaN در مقایسه با کلیدهای سیلیکونی

جدول بالا در تصویر پست خواص فیزیکی و الکترونیکی مربوط به فناوری کلیدهای نیترید گالیوم (GaN) را در مقایسه با کلیدهای سیلیکونی (Si) و کاربید سیلیکون (4H-Sic) توضیح می‌دهد. همانطور که در این تصویر قابل مشاهده است، GaN دارای میدان الکتریکی بحرانی بسیار بالایی است (بیش از 10 برابر فناوری کلیدهای سیلیکونی)؛ بنابراین، نیترید گالیوم توانایی بیشتری برای تحمل ولتاژ بالا قبل از شکست دارد. میدان الکتریکی بالاتر به معنی کلیدهای ولتاژ بالاتر در ابعادی فشرده تر در مقایسه با سیلیکون است. در فناوری GaN، میدان شکست بالا و تحرک پذیری بالای گاز الکترون دو بعدی (2DEG: 2-dimensional electron gas) امکان ساخت ترانزیستورهایی با تلفات هدایتی و سوئیچینگ کم را فراهم می کند و راندمان مبدل های الکترونیک قدرت به طرز چشمیگیری میتواند افزایش یابد. از این رو علاقمندی به افزایش فرکانس کلیدزنی برای دستیابی به مبدلهای با چگالی حجمی بالاتر به یک روند پژوهشی فعال در الکترونیک قدرت تبدیل شده است.

هنگام طراحی منابع تغذیه الکترونیک قدرت، معیارهای اصلی برتری مبدل (معیارهای شایستگی)، عبارتند از: هزینه، اندازه و بازدهی. این سه معیار به یکدیگر وابسته هستند و نیاز دارند که عوامل زیادی در نظر گرفته شوند. به عنوان مثال، افزایش فرکانس کلیدزنی می تواند اندازه و هزینه ادوات مغناطیسی را کاهش دهد، اما باعث افزایش تلفات در ادوات مغناطیسی و تلفات سوئیچینگ در کلیدهای قدرت می شود. بحث تلفات کلیدزنی نقطه مسدود کننده اصلی برای افزایش فرکانس کلیدزنی در کلیدهای سیلیکونی است. به دلیل ظرفیت خازنی پایین ترمینال و نداشتن پدیده ی بازیابی معکوس دیود، کلیدهای Gan دارای تلفات کلیدزنی بسیار کمتری در مقایسه با ماسفت ها و IGBTها هستند.

با حرکت از کلیدهای سیلیکونی به سمت کلیدهای نیترید گالیوم، به دلایل ذکر شده در بالا، میتوان به بهبود قابل توجه در معیارهای شایستگی (هزینه، اندازه و بازدهی) یک مبدل دست یافت. به عبارت دیگر، با انتخاب کلیدهای Gan و افزایش فرکانس کلیدزنی میتوان سایز ادوات ذخیره کننده موجود در مدار (خازن و ادوات مغناطیسی) را کاهش داد و کل سیستم به این ترتیب بهره مند میشوند.

#کلیدهای_نیترید_گالیوم
#مبدلهای_با_چگالی_توان_بالا


⚡️@UTPowerElec

ولادت با سعادت امام رضا (ع) بر همه مبارک باد 🌷🌷

#مناسبت


⚡️@UTPowerElec

❇️ شیلد EMI در ترانسفورماتورهای سوئیچینگ

#تداخلات_الکترومغناطیسی
#شیلیدنگ
#منابع_تغذیه_سوئیچینگ



⚡️@UTPowerElec

❇️ شیلد EMI در ترانسفورماتورهای سوئیچینگ

ترانسفورماتورهای سوئیچینگ یکی از المانهای پرکاربرد و غیرقابل صرفنظر کردن در مبدلهای الکترونیک قدرت است. با این حال یکی از منابع تولید و پخش تداخلات الکترومغناطیس در صورت عدم تدارک تمهیدات مناسب، همین ترانسفورماتورهای سوئیچینگ خواهند بود. ترانسفورماتورهای سوئیچینگ به دلیل ماهیت مغناطیسی خود، به صورت ذاتی یک منبع تولید میدان الکترومغناطیسی (EM) هستند که مقدار دامنه آن وابسته به اندازه، تعداد دور سیم پیچ، ولتاژ و جریان اعمال شده به ورودی، نوع هسته آهنی مورد استفاده و موقعیت آنها در مداری که در آن نصب می شوند، است. اگر این انرژی الکترومغناطیسی ترانسفورماتور به درستی مدیریت نشود میتواند طرح را با چالش جدی از منظر نویز و تخریب عملکرد سایر بخش های مدار روبرو کند.

ترانسفورماتورهای سوئیچینگ می توانند انرژی EM را به دو طریق از طریق میدانهای EM یا نویز الکتریکی مد مشترک (Common mode (CM)) هدایت یا تابش کنند، که هر دو به شرح زیر قابل توصیف هستند.

1️⃣ سیم‏پیچ‏های ترانسفورماتور دارای ولتاژ و حامل جریانهای سوئیچینگ هستند که این جریان فرکانس بالا میتواند میدان EM را مانند آنتن به محیط اطراف خود تابش کند و این نویز تابشی منجر به اختلال عملکرد قطعات روی برد مدار چاپی میشود.

2️⃣ خازن پارازیتی بین لایه‏های سیم پیچهای ترانسفورماتور، نویز الکتریکی را بین سیم‏پیچ‏های مختلف (اولیه و ثانویه و ...) جابجا می‌کند. این مکانیسم را مکانیسم نویز مد مشترک میگویند. این نویز به دلیل اتصال سیم پیچ ها به بدنه (Case) و زمین، از طریق صفحه زمین به صورت نویز CM به منبع باز می گردد. ترانسفورماتورهای سوئیچنگ معمولاً با حداقل فضای بین سیم پیچ ها ساخته می شوند تا کوپلینگ را بهبود بخشند و اندوکتانس نشتی را کاهش دهند. در نتیجه، کاهش فاصله بین لایه ها باعث افزایش ظرفیت خازن پارازیتی بین سیم‌پیچ‌ها و در نتیجه انتقال بهتر نویز CM بین بخش‏های مختلف می‌شود.

✅ روشهای تضعیف نویز EMI ترانسفورماتور

ترانسفورماتورهای سوئیچینگ معمولاً از چندین لایه عایق لایه نازک بین سیم‌پیچ‌های ورودی و خروجی استفاده می‌کنند تا شرایط عایقی را فراهم کنند. در ساختارهای با سیم‏پیچی متمرکز، بین لایه های اولیه و ثانویه یک شیلد که معمولا یک لایه فویل مسی است که به پتانسیل زمین متصل است استفاده میکنند که این لایه یک خازن به زمین ایجاد میکند و از کوپل شدن نویز مد مشترک بین لایه‎ ها جلوگیری میکند. به عبارتی مسیر نویز را به زمین مدار منحرف میکند. علاوه بر این بر تضعیف نویز EM تابشی نیز موثر است.

معمولاً سیم پیچ های خروجی ترانسفورماتورهای سوئیچینگ نیز می توانند انرژی EM را از طریق کوپلینگ خازنی به سیم پیچ های ورودی منتقل کنند. برای کاهش این اثر، برخی از طرح‌های پیچیدن ترانسفورماتور از شیلد فارادی دیگری استفاده می‌کنند که دور سیم‌پیچ‌های خروجی پیچیده شده و به زمین خروجی متصل میشود (یعنی علاوه بر شیلد بین اولیه و ثانویه، بر روی سیم پیچ ثانویه در انتها شیلد متصل میکنند).

در کنار این معمولا یک لایه نوار مسی بعنوان شیلد فارادی هم روی کل ترانسفورماتور (مجموع هسته و سیم پیچ) سوئیچینگ میکشند تا انتشار تابشی EM را به حداقل برسانند. این نوار به ویژه در ترانسفورماتور فلایبک که فاصله هوایی دارند برای کاهش اثر شار نشتی تاثیر بسیار مناسبی دارد.

در مواردی که ترانسفورماتور نویز تابشی بالایی دارد معمولا کل ترانسفورماتور را داخل یک اتاقک فلزی (مسی) قرار میدهند که یک شیلد قوی را انجام دهند. شکل موجود در پست این مدل شیلد را نشان میدهد. در کنار این موارد استفاده از هسته هایی که دارای شیلدینگ بهتری هستند در بهبود وضعیت سیستم در برابر نویز تابشی میتواند کمک قابل توجهی کند. بعنوان مثال هسته های POT از لحاظ شیلدینگ دارای بهترین ساختار هستند.

#تداخلات_الکترومغناطیسی
#شیلیدنگ
#منابع_تغذیه_سوئیچینگ



⚡️@UTPowerElec

#دعوت_به_همکاری

شرکت توان آذرخش پارسیان با بیش از ده سال فعالیت در زمینه های مختلف فنی و مهندسی در زمینه های زیر به دنبال جذب کاراموز میباشد.

✅ موقعیت اول:
کاراموز برق قدرت
مزایا : دارای حقوق
ویژگی های مدنظر : علاقه مند به یادگیری


✅ موقعیت دوم:
کاراموز حسابداری
مزایا: دارای حقوق
ویژگی های مدنظر : علاقه مند به یادگیری


✅ موقعیت سوم:
کاراموز الکترونیک قدرت
ویژگی های مدنظر : علاقه مند به یادگیری


محل کار : تهران، کیلومتر 12 جاده خاوران، عباس اباد علاقه بند، شهرک صنعتی کاوه.

شماره تماس: 09109676745

⚡️@UTPowerElec

❇️ راهنمای کلی انتخاب توپولوژی مبدلهای سوئیچینگ پرکاربرد بر اساس توان خروجی و ولتاژ ورودی

📚 مرجع:

📶 https://www.onsemi.com/pub/Collateral/Smpsrm-D.PDF


#منابع_تغذیه_سوئیچینگ

⚡️@UTPowerElec

✅ خلاصه ای از مشخصات مهم انواع روشهای درایو کلید

❇️ روش درایو گیت شناور با تغذیه ایزوله (Floating Gate Drive Supply)

1️⃣ کنترل کامل گیت کلید فارغ از مقدار دیوتی سایکل
2️⃣ هزینه قابل توجه برای تامین تغذیه های ایزوله
3️⃣ ایزولاسیون مبتنی بر اپتوکوپلر نسبتاً گران هستند، از نظر پهنای باند محدود و حساس به نویز هستند

❇️ روش درایو گیت با ترانس پالس (Pulse Transformer)

1️⃣ روش ارزان و مقرون به صرفه اما دارای برخی محدودیت های عملیات
2️⃣ در صورت عملکرد کلید در گستره وسیعی از دیوتی سایکل، نیاز به مدارات پیچیده تر جانبی است.
3️⃣ اندازه ترانسفورماتور با کاهش فرکانس سوئیچینگ به طور قابل توجهی افزایش می یابد
4️⃣ المان های پارازیتی ترانس پالس بر روی شکل موج گیت تاثیر نامطلوب دارد

❇️روش درایو گیت با تکنیک شارژ پمپ (Charge Pump)

1️⃣ در این روش میتوان گیت را برای مدت نامحدودی روشن نگاه داشت.
2️⃣ ادوات بیشتر در مقایسه با روش بوت استرپ در گیت درایو مهمترین عیب این تکنیک است.

❇️ روش بوت استرپ (Bootstrap)

1️⃣روشی ساده و ارزان
2️⃣ عیب این روش محدودیت در دیوتی سایکل های پایین برای کلید پایین ساق است که فرصت شارژ خازن بوت استرپ ایجاد نمیشود و کلید بالا درایو نمیشود.
3️⃣ اگر خازن از یک ریل ولتاژ بالا شارژ شود، اتلاف توان می تواند قابل توجه باشد.

❇️ روش Carrier Drive

1️⃣ برای مبدلهای مبتنی بر کنترل آنالوگ که نیاز به تغییر وضعیت کنترلی نیست یک روش بهینه از لحاظ قیمت است.
2️⃣ کنترل کامل گیت را برای مدت زمان نامحدود این روش فراهم میکند.
3️⃣ در جایی که نیاز کنترل متغیر عرض پالس گیت است با پیچیدگی بیشتر در مدار میتوان این امکان را ایجاد کرد.


#گیت_درایو
#منابع_تغذیه_سوئیچینگ


⚡️@UTPowerElec

عید غدیر مبارک 🌱🎊

🔻مشارکت در پویش بزرگ #اطعام_غدیر در مناطق محروم:

ghadir.org/etaam


6104337302241417

#مناسبت


⚡️ @UTPowerElec

❇️ تاثیر پیشرفت نیمه هادی ها و تکنیک های کنترل پیشرفته در الکترونیک قدرت در دستیابی ابزارآلات بی سیم (با باتری لیتیوم-یون) با توان بالاتر در این شکل نشان داده شده است. پیشرفت نیمه هادی ها منجر به این شده است که در ابعاد یکسان، بتوان به مقادیر توان بالاتر (چگالی توان بالاتر) دست یابیم. ترکیب تکنیک های کنترلی پیشرفته برای کنترل دور موتورهای براشلس و پیشرفت در ادوات نیمه هادی منجر به افزایش بازدهی و چگالی توان و کاهش ابعاد مبدلهای الکترونیک قدرت شده است که یک نمونه عملی این پیشرفت ها در ساختار درایو ابزارآلات بی سیم مشهود است.

منبع: Milwaukee Tools

#مبدلهای_با_چگالی_توان_بالا

⚡️ @UTPowerElec

📌 دیناموتر، یک تجهیز آزمایشگاهی برای اندازه گیری همزمان گشتاور و سرعت چرخشی یک تجهیز دوار مورد آزمایش است. علاوه بر این اندازه گیری‌ها امروزه دینامومترها کاربردهای وسیع دیگری نیز دارند. از جمله این‌که در آزمون‌های سنجش آلایندگی وسایل نقلیه، نیاز به شبیه سازی بارگذاری جاده بر روی موتور احتراقی در حال آزمون است. این مهم نیز توسط دینامومترهای قابل برنامه ریزی شاسی یا موتور انجام می‌شود. همچنین دینامومترهای عمومی نیز در آزمایشگاه‌های پیشرفته محرکه الکتریکی جهت بارگیری از موتور به شیوه دلخواه و یا اعمال پروفایل گشتاور مطلوب به ژنراتورها مورد استفاده است. دینامومترها همچنین در علم پزشکی نیز برای سنجش نیروی عضلات بیمار کاربرد دارند.

💡پس بطور خلاصه دینامومترها دو کاربرد اصلی دارند:
✅ اندازه گیری
✅ بارگذاری دلخواه

#درايو
#موتور_الکتریکی


⚡️ @UTPowerElec